心貫通開(kāi)口部相對(duì)應(yīng)的凸部，則通過(guò)使這樣的凸塊嵌入中心貫通開(kāi)口部 的較大的直徑部分內(nèi)，能夠?qū)⒈Ｗo(hù)元件定位于電氣裝置。例如，通過(guò)在二次電池單元的封口 板設(shè)置這樣的凸部，使該凸塊嵌入中心貫通開(kāi)口部，能夠?qū)⒈Ｗo(hù)元件定位于封口板。
[0059] 在另一方式中，也可以層狀要素16沒(méi)有中心貫通開(kāi)口部12(因此層狀要素為圓板 形狀）而僅具有至少1個(gè)周邊貫通開(kāi)口部14,周邊貫通開(kāi)口部14具有熔絲層40。
[0060] 在圖4以及圖5中，與圖1以及圖2同樣地示出本發(fā)明的另一方式的保護(hù)元件10'。 另外，在圖6中，與圖3同樣地示出熔絲層32。另外，關(guān)于與圖1?圖3相同的要素使用相 同的標(biāo)號(hào)。在圖示的方式中，層狀要素16沒(méi)有周邊貫通開(kāi)口部14,僅具有中心貫通開(kāi)口部 12,中心貫通開(kāi)口部12具有熔絲層32。熔絲層32由存在于對(duì)中心貫通開(kāi)口部12進(jìn)行規(guī)定 的內(nèi)側(cè)周30上的第1金屬層43、存在于第1金屬層43上的第2金屬層44構(gòu)成。
[0061] [實(shí)施例]
[0062] (實(shí)施例1)
[0063] 制造了圖1以及圖2所示的本發(fā)明的保護(hù)元件。因此，制造了僅具有熔絲層40、沒(méi) 有熔絲層32的保護(hù)元件10。其中，周邊貫通開(kāi)口部14周狀地等間隔形成了 8個(gè)。
[0064] 最初準(zhǔn)備絕緣性樹(shù)脂的薄片（聚乙烯制，厚度0. 3mm，與層狀要素 16對(duì)應(yīng)），在其 兩側(cè)配置鎳箔（厚度：22 μ m，與另外的金屬層26以及28對(duì)應(yīng)），在加熱下將它們按壓為一 體，從而得到在兩主表面粘貼有鎳箔的壓接物。
[0065] 在壓接物的給定部位形成直徑0.6mm的貫通孔（與周邊貫通開(kāi)口部14對(duì)應(yīng)）， 之后對(duì)壓接物施加基于無(wú)電解法的鍍Ni處理。通過(guò)鍍Ni處理而形成的鎳層的厚度為約 1. 5 μπι。接下來(lái)，對(duì)壓接物施加基于電解法的鍍Sn處理。通過(guò)鍍Sn處理而形成的錫層的 厚度為約6.5 μπι。通過(guò)所述鍍覆處理，得到導(dǎo)電性金屬薄層（與導(dǎo)電性金屬薄層22以及 24對(duì)應(yīng)）、由第1金屬層（與第1金屬層41對(duì)應(yīng)）以及第2金屬層（與第2金屬層42對(duì) 應(yīng)）構(gòu)成的熔絲層（與熔絲層40對(duì)應(yīng)）。接下來(lái)，用壓接物沖制圓環(huán)狀要素，得到8個(gè)貫通 孔圍繞圓環(huán)狀要素的中心每隔45°位于給定部位的本發(fā)明的保護(hù)元件10。
[0066] 得到的圓環(huán)狀要素的外側(cè)周圓34的直徑為15mm，內(nèi)側(cè)周30的直徑（即中心貫通 開(kāi)口部的直徑）為6. 4_。該圓環(huán)狀要素在作為層狀要素16的絕緣樹(shù)脂層的兩側(cè)主表面具 有作為另外的金屬層26以及28而發(fā)揮功能的鎳箔，在圓環(huán)狀部分的主體部分36的中間部 分具有周邊貫通開(kāi)口部14。另外，圓環(huán)狀要素在鎳箔上具有作為導(dǎo)電性金屬薄層22以及 24的鍍層（鍍鎳層以及鍍錫層），在規(guī)定周邊貫通開(kāi)口部的內(nèi)側(cè)周面上具有作為由第1金 屬層41以及第2金屬層42構(gòu)成的熔絲層40而發(fā)揮功能的鍍層。
[0067] (實(shí)施例2?3)
[0068] 取代鍍錫處理而分別進(jìn)行鍍Sn-Cu (Cu 4重量％ )處理、以及鍍Sn-Bi (Bi 16重 量％ )處理，除此以外其它都與實(shí)施例1同樣，從而得到實(shí)施例2?4的保護(hù)元件。
[0069] (比較例1?3)
[0070] 取代鍍錫處理而進(jìn)行鍍鎳處理，通過(guò)該鍍鎳處理而形成的鍍鎳層的厚度分別為 4. 5、6. 5以及8. 5 μm，除此以外其它都與實(shí)施例1同樣，從而得到比較例1?3的保護(hù)元件。
[0071] 下述表1中示出實(shí)施例1?3以及比較例1?3的特征。
[0072] [表 1]
[0073]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種保護(hù)元件，具有： 層狀要素，其由絕緣性樹(shù)脂形成，并具有至少1個(gè)貫通開(kāi)口部； 導(dǎo)電性金屬薄層，其位于層狀要素的各主表面上；W及 烙絲層，其位于對(duì)該貫通開(kāi)口部的至少一個(gè)進(jìn)行規(guī)定的側(cè)面上，將導(dǎo)電性金屬薄層電 連接，并至少包含由高烙點(diǎn)金屬構(gòu)成的第1金屬層W及由低烙點(diǎn)金屬構(gòu)成的第2金屬層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)元件，其特征在于， 烙絲層由高烙點(diǎn)金屬所構(gòu)成的第1金屬層W及低烙點(diǎn)金屬所構(gòu)成的第2金屬層構(gòu)成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的保護(hù)元件，其特征在于， 高烙點(diǎn)金屬是Ni。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的保護(hù)元件，其特征在于， 低烙點(diǎn)金屬具有比絕緣性樹(shù)脂的分解溫度低的烙點(diǎn)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的保護(hù)元件，其特征在于， 低烙點(diǎn)金屬是Sn、Sn-Cu合金、或者Sn-Bi合金。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1?5中任一項(xiàng)所述的保護(hù)元件，其特征在于， 第1金屬層通過(guò)對(duì)高烙點(diǎn)金屬進(jìn)行無(wú)電解鍛而形成，第2金屬層通過(guò)在該第1金屬層 上對(duì)低烙點(diǎn)金屬進(jìn)行電解鍛而形成。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1?6中任一項(xiàng)所述的保護(hù)元件，其特征在于， 第1金屬層與第2金屬層的厚度之比為1 : 100?5 : 1。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1?7中任一項(xiàng)所述的保護(hù)元件，其特征在于， 導(dǎo)電性金屬薄層W及烙絲層通過(guò)對(duì)高烙點(diǎn)金屬W及低烙點(diǎn)金屬進(jìn)行鍛覆而一體地形 成。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的保護(hù)元件，其特征在于， 所述保護(hù)元件還具有位于層狀要素與導(dǎo)電性金屬薄層之間的金屬巧。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的保護(hù)元件，其特征在于， 金屬巧是鑲巧或者鍛鑲銅巧。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1?10中任一項(xiàng)所述的保護(hù)元件，其特征在于， 層狀要素是由內(nèi)側(cè)周面W及外側(cè)周面規(guī)定的環(huán)狀要素，具有由內(nèi)側(cè)周面規(guī)定的1個(gè)貫 通開(kāi)口部。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1?10中任一項(xiàng)所述的保護(hù)元件，其特征在于， 層狀要素是由內(nèi)側(cè)周面和外側(cè)周面規(guī)定、具有至少2個(gè)貫通開(kāi)口部的環(huán)狀要素，該些 貫通開(kāi)口部是由內(nèi)側(cè)周面規(guī)定的中屯、貫通開(kāi)口部W及位于內(nèi)側(cè)周面與外側(cè)周面之間的至 少1個(gè)周邊貫通開(kāi)口部，周邊貫通開(kāi)口部具有烙絲層。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的保護(hù)元件，其特征在于， 在層狀要素中，圍繞中屯、貫通開(kāi)口部每隔45°設(shè)置一個(gè)周邊貫通開(kāi)口部而設(shè)置了 8個(gè) 周邊貫通開(kāi)口部。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1?13中任一項(xiàng)所述的保護(hù)元件，其特征在于， 層狀要素具有圓環(huán)狀形狀。
15. -種電氣裝置，其特征在于， 所述電氣裝置具有權(quán)利要求1?14中任一項(xiàng)所述的保護(hù)元件。
16. -種二次電池單元，其特征在于， 所述二次電池單元具有權(quán)利要求1?14中任一項(xiàng)所述的保護(hù)元件。
17. -種墊片，具有： 層狀要素，其由絕緣性樹(shù)脂形成，并具有至少1個(gè)貫通開(kāi)口部； 導(dǎo)電性金屬薄層，其位于層狀要素的各主表面上；W及 烙絲層，其位于對(duì)該貫通開(kāi)口部的至少1個(gè)進(jìn)行規(guī)定的側(cè)面上，將導(dǎo)電性金屬薄層電 連接，并包含烙點(diǎn)不同的至少2種金屬層。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種保護(hù)元件，該保護(hù)元件具有：層狀要素(16)，其由絕緣性樹(shù)脂形成，并具有至少1個(gè)貫通開(kāi)口部；導(dǎo)電性金屬薄層(22)以及(28)，其位于層狀要素的各主表面上；以及熔絲層(40)，其位于對(duì)該貫通開(kāi)口部的至少1個(gè)進(jìn)行規(guī)定的側(cè)面上，將導(dǎo)電性金屬薄層電連接，并至少包含由高熔點(diǎn)金屬構(gòu)成的第1金屬層(41)以及由低熔點(diǎn)金屬(42)構(gòu)成的第2金屬層。本發(fā)明的保護(hù)元件在能夠流過(guò)更大的電流的同時(shí)，還能夠提供對(duì)過(guò)量電流的保護(hù)。
【IPC分類】H01M2-34, H01H85-06, H01H85-11, H01H85-08
【公開(kāi)號(hào)】CN104584176
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201380044745
【發(fā)明人】野村圭一郎, 柴原信行, 橫田貴之
【申請(qǐng)人】泰科電子日本合同會(huì)社
【公開(kāi)日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2013年8月30日
【公告號(hào)】WO2014034833A1