捉裝置，其中，所述柵極支撐結(jié)構(gòu)被構(gòu)造成使得所述 陰極與所述柵極之間的表面路徑大于所述陰極-柵極間隔。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像捕捉裝置，其中，所述柵極支撐結(jié)構(gòu)包括分層中間層。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的圖像捕捉裝置，所述分層中間層包括至少一層第一材料和 至少一層第二材料，其中，所述第一材料比所述第二材料更容易被蝕刻。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的圖像捕捉裝置，所述分層中間層包括至少一層低密度材料 和至少一層高密度材料。
16. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的圖像捕捉裝置，所述分層中間層包括至少一層二氧化娃。
17. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的圖像捕捉裝置，所述分層中間層包括至少一層高密度二氧 化娃和至少一層低密度二氧化娃。
18. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的圖像捕捉裝置，所述分層中間層包括至少一層二氧化娃和 至少一層娃氮氧化物。
19. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像捕捉裝置，其中，所述柵極支撐結(jié)構(gòu)包括多個(gè)支撐柱。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的圖像捕捉裝置，所述支撐柱W陣列排布，在所述支撐柱之 間具有規(guī)則的柱間隔。
21. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的圖像捕捉裝置，其中，所述支撐柱之間的柱間隔大于所述 電子源之間的源間隔。
22. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的圖像捕捉裝置，其中，所述支撐柱被構(gòu)造成使得至少一個(gè) 所述支撐柱與至少一個(gè)鄰近電子源之間的柱-源間隔大于所述電子源之間的源間隔。
23. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像捕捉裝置，其中，所述電子發(fā)射構(gòu)件還包括W陣列排布 的多個(gè)第一會(huì)聚結(jié)構(gòu)，各個(gè)所述第一會(huì)聚結(jié)構(gòu)包括第一會(huì)聚電極。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的圖像捕捉裝置，其中，所述第一會(huì)聚結(jié)構(gòu)圍繞包括所述場(chǎng) 發(fā)射型電子源的子集在內(nèi)的單位單元，所述單位單元限定了發(fā)射器區(qū)域。
25. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像捕捉裝置，其中，所述電子發(fā)射構(gòu)件包括第二會(huì)聚結(jié)構(gòu) 的陣列，該第二會(huì)聚結(jié)構(gòu)包括第二會(huì)聚電極。
26. -種X射線(xiàn)發(fā)射裝置，該X射線(xiàn)發(fā)射裝置包括由至少一個(gè)間隔件分隔開(kāi)的電子接收 構(gòu)件和電子發(fā)射構(gòu)件，該至少一個(gè)間隔件被定位成使得所述電子接收構(gòu)件與所述電子發(fā)射 構(gòu)件之間存在內(nèi)部間隙； 所述電子接收構(gòu)件包括陽(yáng)極，所述陽(yáng)極為X射線(xiàn)祀；并且 所述電子發(fā)射構(gòu)件包括： (a)背板； 化）基板； (C)陰極； (d) W陣列排布的多個(gè)場(chǎng)發(fā)射型電子源，其中，所述場(chǎng)發(fā)射型電子源被構(gòu)造成朝向所述 陽(yáng)極發(fā)射電子束；W及 (e)柵極； 其中，所述內(nèi)部間隙在所述電子發(fā)射構(gòu)件與所述電子接收構(gòu)件之間提供無(wú)障礙空間。
27. 根據(jù)權(quán)利要求26所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，其中，所述陽(yáng)極包括由鋼、錠和鶴組成的 組中的一種或更多種。
28. 根據(jù)權(quán)利要求26或權(quán)利要求27所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，其中，所述電子發(fā)射構(gòu)件 不包括網(wǎng)格電極。
29. 根據(jù)權(quán)利要求26至權(quán)利要求28中任一項(xiàng)所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，其中，所述電子 發(fā)射構(gòu)件還包括W陣列排布的多個(gè)第一會(huì)聚結(jié)構(gòu)，各個(gè)所述第一會(huì)聚結(jié)構(gòu)包括第一會(huì)聚電 極。
30. 根據(jù)權(quán)利要求29所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，其中，所述第一會(huì)聚結(jié)構(gòu)圍繞包括所述場(chǎng) 發(fā)射型電子源的子集在內(nèi)的單位單元，所述單位單元限定了發(fā)射器區(qū)域。
31. 根據(jù)權(quán)利要求26至30中任一項(xiàng)所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，其中，所述電子發(fā)射構(gòu)件 包括第二會(huì)聚結(jié)構(gòu)的陣列，該第二會(huì)聚結(jié)構(gòu)包括第二會(huì)聚電極。
32. 根據(jù)權(quán)利要求26至31中任一項(xiàng)所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，其中，所述場(chǎng)發(fā)射型電子 源為斯賓特型電子源。
33. 根據(jù)權(quán)利要求26至32中任一項(xiàng)所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，其中，所述基板是娃基的。
34. 根據(jù)權(quán)利要求33所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，其中，選自由所述陰極、信號(hào)線(xiàn)、所述場(chǎng)發(fā) 射型電子源、所述第一會(huì)聚結(jié)構(gòu)、所述第一會(huì)聚電極、所述第二會(huì)聚結(jié)構(gòu)、所述第二會(huì)聚電 極及其任意組合組成的組的至少一個(gè)元件與所述基板集成為一體。
35. 根據(jù)權(quán)利要求26至34所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，其中，所述電子接收構(gòu)件還包括準(zhǔn) 直器。
36. 根據(jù)權(quán)利要求26所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，該X射線(xiàn)發(fā)射裝置還包括位于所述場(chǎng)發(fā) 射型電子源的陣列與所述陰極之間的分層電阻層。
37. 根據(jù)權(quán)利要求36所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，所述分層電阻層至少包括最靠近所述場(chǎng) 發(fā)射型電子源的近端電阻器層、和較遠(yuǎn)離所述場(chǎng)發(fā)射型電子源的遠(yuǎn)端電阻器層，所述近端 電阻器層包括具有第一特征電阻率的第一電阻材料并且所述遠(yuǎn)端電阻器層包括具有第二 特征電阻率的第二電阻材料，其中，所述第一特征電阻率大于所述第二特征電阻率。
38. 根據(jù)權(quán)利要求37所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，所述分層電阻層包括近端電阻器層與遠(yuǎn) 端電阻器層之間的至少一個(gè)中間電阻器層，所述至少一個(gè)中間電阻器層至少包括第S電阻 材料，該第=電阻材料具有在所述第一特征電阻率與所述第二特征電阻率之間的特征電阻 率。
39. 根據(jù)權(quán)利要求37或權(quán)利要求38所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，其中，所述近端電阻器層 包括SiOCN。
40. 根據(jù)權(quán)利要求37或權(quán)利要求38所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，其中，所述遠(yuǎn)端電阻器層 包括Si。
41. 根據(jù)權(quán)利要求37或權(quán)利要求38所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，其中，所述遠(yuǎn)端電阻器層 包括碳化娃晶片。
42. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，其中，所述中間電阻器層包括非晶娃碳氮 化物膜。
43. 根據(jù)權(quán)利要求36所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，所述分層電阻層包括包含電阻材料的至 少一個(gè)電阻層、和第一屏障層，該第一屏障層插入在所述電阻材料與所述陰極之間。
44. 根據(jù)權(quán)利要求36或權(quán)利要求43所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，所述分層電阻層包括包含 電阻材料的至少一個(gè)電阻層、和第二屏障層，該第二屏障層插入在所述電阻材料與所述場(chǎng) 發(fā)射型電子源之間。
45. 根據(jù)權(quán)利要求36或權(quán)利要求43所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，其中，所述第一屏障層包 括選自非反應(yīng)性材料的材料，該非反應(yīng)性材料選自由富碳碳化娃、富氮娃碳氮化物、無(wú)定形 碳及其組合組成的組。
46. 根據(jù)權(quán)利要求43所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，其中，所述第二屏障層包括選自非反應(yīng)性 材料的材料，該非反應(yīng)性材料選自由富碳碳化娃、富氮娃碳氮化物、無(wú)定形碳及其組合組成 的組。
47. 根據(jù)權(quán)利要求26所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，所述X射線(xiàn)發(fā)射裝置還包括至少一個(gè)柵 極支撐結(jié)構(gòu)，該至少一個(gè)柵極支撐結(jié)構(gòu)被構(gòu)造成W與所述陰極隔開(kāi)所需的陰極-柵極間隔 來(lái)支撐所述柵極。
48. 根據(jù)權(quán)利要求47所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，其中，所述柵極支撐結(jié)構(gòu)被構(gòu)造成使得所 述陰極與所述柵極之間的表面路徑大于所述陰極-柵極間隔。
49. 根據(jù)權(quán)利要求47所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，其中，所述柵極支撐結(jié)構(gòu)包括分層中間 層。
50. 根據(jù)權(quán)利要求49所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，所述分層中間層包括至少一層第一材料 和至少一層第二材料，其中，所述第一材料比所述第二材料更容易被蝕刻。
51. 根據(jù)權(quán)利要求49所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，所述分層中間層包括至少一層低密度材 料和至少一層高密度材料。
52. 根據(jù)權(quán)利要求49所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，所述分層中間層包括至少一層二氧化娃。
53. 根據(jù)權(quán)利要求49所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，所述分層中間層包括至少一層高密度二 氧化娃和至少一層低密度二氧化娃。
54. 根據(jù)權(quán)利要求49所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，所述分層中間層包括至少一層二氧化娃 和至少一層娃氮氧化物。
55. 根據(jù)權(quán)利要求47所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，其中，所述柵極支撐結(jié)構(gòu)包括多個(gè)支撐 柱。
56. 根據(jù)權(quán)利要求55所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，所述支撐柱W具有規(guī)則的柱間隔的陣列 排布。
57. 根據(jù)權(quán)利要求55所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，其中，所述支撐柱之間的柱間隔大于所述 電子源之間的源間隔。
58. 根據(jù)權(quán)利要求55所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，其中，所述支撐柱被構(gòu)造成使得至少一個(gè) 所述支撐柱與至少一個(gè)鄰近電子源之間的柱-源間隔大于所述電子源之間的源間隔。
59. -種X射線(xiàn)成像系統(tǒng)，該X射線(xiàn)成像系統(tǒng)包括權(quán)利要求1至25中任一項(xiàng)所述的圖 像捕捉裝置和權(quán)利要求26至58所述的X射線(xiàn)發(fā)射裝置，所述圖像捕捉裝置和所述X射線(xiàn) 發(fā)射裝置彼此面對(duì)，所述X射線(xiàn)發(fā)射裝置被構(gòu)造成朝向所述圖像捕捉裝置的所述光電導(dǎo)體 發(fā)射X射線(xiàn)。
60. 根據(jù)權(quán)利要求59所述的X射線(xiàn)成像系統(tǒng)，其中，所述X射線(xiàn)為平行射線(xiàn)。
61. 根據(jù)權(quán)利要求59或權(quán)利要求60所述的X射線(xiàn)成像系統(tǒng)，其中，X射線(xiàn)的發(fā)射受投 射模塊限制，該投射模塊限定所述X射線(xiàn)發(fā)射裝置的子集。
62. 根據(jù)權(quán)利要求61所述的X射線(xiàn)成像系統(tǒng)，其中，所述圖像捕捉裝置的由捕捉模塊限 定的一部分被激活W啟用X射線(xiàn)檢測(cè)，所述捕捉模塊的特征在于被預(yù)期接收從所述X射線(xiàn) 發(fā)射裝置發(fā)射的非散射X射線(xiàn)的所述圖像捕捉裝置的區(qū)域。
63. 根據(jù)權(quán)利要求61或權(quán)利要求62所述的X射線(xiàn)成像系統(tǒng)，其中，所述圖像捕捉裝置 的不被預(yù)期接收從所述X射線(xiàn)發(fā)射裝置發(fā)射的所述非散射X射線(xiàn)的一部分不被激活。
64. 根據(jù)權(quán)利要求61至63中任一項(xiàng)所述的X射線(xiàn)成像系統(tǒng)，其中，多個(gè)投射模塊被順 序地激活，W在大于一個(gè)投射模塊的區(qū)域的區(qū)域上發(fā)射X射線(xiàn)。
65. 根據(jù)權(quán)利要求61至63中任一項(xiàng)所述的X射線(xiàn)成像系統(tǒng)，其中，所述系統(tǒng)為斷層 攝影成像系統(tǒng)，其中，多個(gè)投射模塊被順序地激活，W按照多個(gè)角度朝向關(guān)注區(qū)域發(fā)射X射 線(xiàn)。
【專(zhuān)利摘要】介紹了一種圖像捕捉裝置和x射線(xiàn)發(fā)射裝置，包括由間隔件分隔開(kāi)的電子接收構(gòu)件和電子發(fā)射構(gòu)件。電子接收構(gòu)件包括面板、陽(yáng)極和朝向內(nèi)的光電導(dǎo)體。電子發(fā)射構(gòu)件包括背板；基板；陰極；以陣列排布的多個(gè)場(chǎng)發(fā)射型電子源；場(chǎng)發(fā)射型電子源與陰極之間的分層電阻層；柵極；會(huì)聚結(jié)構(gòu)和柵極支撐結(jié)構(gòu)，該柵極支撐結(jié)構(gòu)被構(gòu)造成以與陰極隔開(kāi)的所需的陰極-柵極間隔來(lái)支撐柵極。
【IPC分類(lèi)】H01J19-24, H01J29-46
【公開(kāi)號(hào)】CN104584179
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201380043289
【發(fā)明人】堀哲夫, 桝谷均, 監(jiān)物秀憲
【申請(qǐng)人】納歐克斯影像有限公司
【公開(kāi)日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2013年8月11日
【公告號(hào)】EP2885806A2, US20150206698, WO2014027294A2, WO2014027294A3