金屬件10連接。如圖1所示，第二防爆緩沖環(huán)2的自由端向第一防爆緩沖環(huán)3的方向延伸并抵靠在第一防爆緩沖環(huán)3的外周面，從而形成封閉環(huán)將芯片組件包圍在其中。這個封閉的環(huán)也就是防爆圈，且形成的防爆圈的防爆能力不小于 65MA2s。
[0035]在一個優(yōu)選的實施例中，第二防爆緩沖環(huán)2與第一防爆緩沖環(huán)3均采用具有一定的強度、韌性以及絕緣性能的熱塑性材料制成。例如，第一防爆圈3和第二防爆圈2均采用聚四氟乙烯材料制成。且第二防爆緩沖環(huán)2與第一防爆緩沖環(huán)3能耐高溫，溫度可達200°C或以上。
[0036]在一個實施例中，第一連接金屬件4與第二連接金屬件10均采用銅塊。根據(jù)公知常識，為了確保封裝后與管蓋5及芯片組件的接觸良好，第一連接金屬件4與第二連接金屬件10均應(yīng)具有一定的平整度、粗糙度和強度。
[0037]在一個優(yōu)選的實施例中，第一連接金屬件4的直徑不小于芯片組件的陰極鉬片6的直徑。第二連接金屬件10的直徑不小于芯片組件的陽極鉬片9的直徑。這樣的結(jié)構(gòu)一方面保證了電氣連接的良好，另一方面方便第二連接金屬件10與第二防爆緩沖環(huán)2的連接以及第一連接金屬件4與第一防爆緩沖環(huán)3的連接。
[0038]在一個實施例中，為了達到相對比較好的防爆效果，第一連接金屬件4與第二連接金屬件10均應(yīng)該具有一定的厚度。優(yōu)選地，第一連接金屬件4的厚度為陰極鉬片6的厚度的1.5?3.5倍。第二連接金屬件10的厚度為陽極鉬片9的厚度的2?4倍。這樣的結(jié)構(gòu)既保證第一連接金屬件4以及第二連接金屬件10具有一定的強度，從而限制芯片組件的變形量，另一方面第一連接金屬件4與第二連接金屬件10本身具有一定的防爆性能。此夕卜，第一連接金屬件4與第二連接金屬件10分別與第一防爆緩沖環(huán)3和第二防爆緩沖環(huán)2連接時，保證一定的連接接觸面積，在爆炸沖擊力的作用下，第一防爆緩沖環(huán)3和第二防爆緩沖環(huán)2不容易從第一連接金屬件4與第二連接金屬件10脫開。
[0039]在一個優(yōu)選的實施例中，底座1.1、第二連接金屬件10與陽極鉬片9三者通過銷軸8從下往上依次固定連接。
[0040]在一個實施例中，第二防爆緩沖環(huán)2的斷面為L型。第二防爆緩沖環(huán)2的下端大，上端小。且第二防爆緩沖環(huán)2與底座1.1以及第二連接金屬件10連接的內(nèi)側(cè)面形成向上向內(nèi)側(cè)延伸的階梯狀。尤其是，第二連接金屬件10內(nèi)側(cè)面的最后一級臺肩比較長，在封裝時該部分被卡接在第二連接金屬件10與底座1.1形成的面之間。在圖1中，底座1.1的上表面比第二連接金屬件10要長，且第二連接金屬件10下部的外側(cè)形成有缺口，第二連接金屬件10的長臺肩被卡在缺口與底座1.1的上表面之間。
[0041]在一個實施例中，第一連接金屬件4的外表面的下側(cè)形成由向中部傾斜的斜面，第一連接金屬件4的外表面的中部形成了用于安裝的環(huán)狀槽或卡槽。第一防爆緩沖環(huán)3的斷面的內(nèi)側(cè)為階梯形環(huán)狀凸起結(jié)構(gòu)。封裝時，第一連接金屬件4內(nèi)表面的該階梯形環(huán)狀凸起與第一連接金屬件4的環(huán)狀槽或卡槽形成卡接，且與第一連接金屬件4的外周面以及管蓋5的下部外周面形成階梯狀連接。
[0042]在一個優(yōu)選的實施例中，第一防爆緩沖環(huán)3的內(nèi)徑采用負偏差以利于與第一連接金屬件4的組裝。第一防爆緩沖環(huán)3的外徑采用正偏差，這樣第二防爆緩沖環(huán)2的內(nèi)側(cè)與第一防爆緩沖環(huán)3的外側(cè)的配合更緊密，有利于防爆。
[0043]以上實施例中，第一防爆緩沖環(huán)3與第二防爆緩沖環(huán)2均采用的是兩端均設(shè)開口的圓桶狀結(jié)構(gòu)。且兩者的內(nèi)側(cè)的連接部分均為階梯狀，可有效防護各個方向的爆炸沖擊力。
[0044]在一個優(yōu)選的實施例中，為了保證第一防爆緩沖環(huán)3與第二防爆緩沖環(huán)2在受到?jīng)_擊力作用時具有充足的緩沖量，采用聚四氟乙烯制作的第一防爆緩沖環(huán)3與第二防爆緩沖環(huán)2兩者的厚度為5?8_。另外，為了保證第二防爆緩沖環(huán)2變形時不會造成對瓷環(huán)1.2的破壞，第二防爆緩沖環(huán)2與瓷環(huán)1.2之間的間隙應(yīng)不小于1_。在進一步優(yōu)選的實施例中，為了應(yīng)對大于65MA2s的大爆炸能量的作用，優(yōu)選第二防爆緩沖環(huán)2與瓷環(huán)1.2之間的間隙不小于2.5_。這樣的結(jié)構(gòu)可以在大爆炸能量作用下，尤其是使第二防爆緩沖環(huán)2有足夠的緩沖空間，因此還能繼續(xù)保證瓷環(huán)1.2的安全。
[0045]本發(fā)明還涉及一種防爆整流管的封裝方法，采用上述的防爆整流管，該防爆整流管的防爆緩沖組件包括有第一連接金屬件4、第一防爆緩沖環(huán)3、第二連接金屬件10以及第二防爆緩沖環(huán)2。且采用該封裝方法在對該防爆整流管進行封裝時包括以下步驟:先將第二防爆緩沖環(huán)2封裝到底座1.1上，然后根據(jù)銷軸8的中心定位作用，再依次封裝第二連接金屬件10與芯片組件的陽極鉬片9，然后封裝管芯7和陰極鉬片6，再然后對第一連接金屬件4與第一防爆緩沖環(huán)3兩者進行組裝，封裝由第一連接金屬件4與第一防爆緩沖環(huán)3組裝成的組件，封裝管蓋5，再封裝瓷環(huán)1.2。
[0046]另外，為了更好地實現(xiàn)組裝與封裝，在組裝第一連接金屬件4與第一防爆緩沖環(huán)3時，先對第一防爆緩沖環(huán)3加熱軟化，然后依據(jù)第一連接金屬件4的斜角將其卡入第一防爆緩沖環(huán)3完成組裝。
[0047]在以上的封裝步驟中，也可以首先對第一連接金屬件4與第一防爆緩沖環(huán)3進行組裝成組件后，再按照上述的封裝順利等待對該組件的封裝。
[0048]封裝完成后，要對該防爆整流管進行檢測。
[0049]對于整個封裝過程來說，主要是增加了第一連接金屬件4與第一防爆緩沖環(huán)3的組裝、封裝以及第二防爆緩沖環(huán)2與第二連接金屬件10的封裝這三個步驟。但這并沒有過多增加封裝的困難及復(fù)雜程度，且對封裝工藝、模塊設(shè)計及壓裝、散熱設(shè)計等方面基本不造成影響，另外結(jié)構(gòu)相對簡單，還能達到好的防爆效果。因此，該防爆整流管有利于推廣應(yīng)用。
[0050]雖然已經(jīng)結(jié)合具體實施例對本發(fā)明進行了描述，然而可以理解，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以對其進行各種改進或替換。尤其是，只要不存在結(jié)構(gòu)上的沖突，各實施例中的特征均可相互結(jié)合起來，所形成的組合式特征仍屬于本發(fā)明的范圍內(nèi)。本發(fā)明并不局限于文中公開的特定實施例，而是包括落入權(quán)利要求的范圍內(nèi)的所有技術(shù)方案。
【主權(quán)項】
1.一種防爆整流管，包括: 管座，其包含底座以及環(huán)繞連接底座的瓷環(huán)； 管蓋，其與管座連接形成管殼； 芯片組件，其設(shè)在管殼內(nèi)；以及 防爆緩沖組件，其連接在管殼內(nèi)，在芯片組件周圍形成防爆圈從而在爆炸時保護瓷環(huán)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防爆整流管，其特征在于，在爆炸發(fā)生時，所述防爆緩沖組件吸收及緩沖因爆炸產(chǎn)生的沖擊力，且防爆緩沖組件的防爆能力不小于65MA2s。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防爆整流管，其特征在于，所述防爆緩沖組件包括: 第一連接金屬件，其設(shè)在芯片組件與管蓋之間； 第一防爆緩沖環(huán)，其卡接在第一連接金屬件上并與管蓋連接； 第二連接金屬件，其設(shè)在芯片組件與底座之間，并與芯片組件以及底座連接；以及 第二防爆緩沖環(huán)，其下端卡接在第二連接金屬件以及底座上，其上端延伸過芯片組件并抵接在第一防爆緩沖環(huán)的外周面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的防爆整流管，其特征在于，所述防爆緩沖組件包括設(shè)在管蓋與芯片組件的陰極鉬片之間的第一連接銅塊、設(shè)在底座與芯片組件的陽極鉬片之間的第二連接銅塊、與第一連接銅片連接的第一聚四氟乙烯環(huán)以及與第二連接銅塊連接的第二聚四氟乙烯環(huán)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的防爆整流管，其特征在于，所述第一連接金屬件的直徑不小于芯片組件的陰極鉬片的直徑，所述第二連接金屬件的直徑不小于芯片組件的陽極鉬片的直徑；優(yōu)選地，所述第一連接金屬件的厚度為陰極鉬片的厚度的1.5?3.5倍，所述第二連接金屬件的厚度為陽極鉬片的厚度的2?4倍。
6.根據(jù)權(quán)利要求3?5中任一項所述的防爆整流管，其特征在于，所述底座、第二連接金屬件以及芯片組件的陽極鉬片這三者固定連接；優(yōu)選的，所述第二防爆緩沖環(huán)的斷面為L型且下端形成向上延伸的階梯，第二防爆緩沖環(huán)與第二連接金屬件以及底座形成卡裝。
7.根據(jù)權(quán)利要求3?6中任一項所述的防爆整流管，其特征在于，所述第一連接金屬件的外周面的中部設(shè)有環(huán)狀槽，第一防爆緩沖環(huán)的內(nèi)環(huán)構(gòu)造成階梯狀且設(shè)有與環(huán)狀槽配合的環(huán)狀凸起，且第一防爆緩沖環(huán)與第一連接金屬件的外周面形成階梯狀過盈嵌裝。
8.根據(jù)權(quán)利要求1?7中任一項所述的防爆整流管，其特征在于，所述第二防爆緩沖環(huán)與瓷環(huán)之間的間隙不小于1mm，優(yōu)選該間隙不小于2.5mm。
9.一種防爆整流管的封裝方法，其特征在于，采用權(quán)利要求1?8中任一項所述的防爆整流管，所述防爆整流管的防爆緩沖組件包括第一連接金屬件、第一防爆緩沖環(huán)、第二連接金屬件以及第二防爆緩沖環(huán)，在封裝時包括以下步驟:先將第二防爆緩沖環(huán)封裝到底座上，然后封裝第二連接金屬件，再封裝芯片組件，再然后組裝第一連接金屬件與第一防爆緩沖環(huán)，封裝由第一連接金屬件與第一防爆緩沖環(huán)組裝后的組件，封裝管蓋。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝方法，其特征在于，在組裝第一連接金屬件與第一防爆緩沖環(huán)時，先對第一防爆緩沖環(huán)加熱軟化，然后依據(jù)第一連接金屬件的斜角將其卡入第一防爆緩沖環(huán)完成組裝。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種防爆整流管及其封裝方法，該防爆整流管包括：管座，其包含底座以及環(huán)繞連接底座的瓷環(huán)；管蓋，其與管座連接形成管殼；芯片組件，其設(shè)在管殼內(nèi)；以及防爆緩沖組件，其連接在管殼內(nèi)，在芯片組件周圍形成防爆圈從而在爆炸時保護瓷環(huán)。該防爆整流管結(jié)構(gòu)更簡單、防爆效果更好。
【IPC分類】H01L21-52, H01L23-16
【公開號】CN104637887
【申請?zhí)枴緾N201510018159
【發(fā)明人】曾文彬, 任亞東, 顏驥, 李世平, 潘學(xué)軍, 唐柳生, 高超, 劉棟
【申請人】株洲南車時代電氣股份有限公司
【公開日】2015年5月20日
【申請日】2015年1月14日