半導體封裝件及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明是有關于一種半導體封裝件及其制造方法，且特別是有關于一種以重布線路做為阻抗匹配層的具有半導體封裝件及其制造方法。
【背景技術】
[0002]傳統(tǒng)的系統(tǒng)級封裝(System in Package, SiP)是將主芯片及被動元件另外設于塑膠基板的上表面，然后再進行封裝。然而，由于基板的體積大，導致系統(tǒng)級封裝的尺寸無法有效縮小。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明是有關于一種半導體封裝件及其制造方法，可改善半導體封裝件無法有效縮小的問題。
[0004]根據本發(fā)明，提出一種半導體封裝件。半導體封裝件包括一芯片、一封裝體、一重布層及一屏蔽層。芯片具有一主動面。封裝體包覆芯片。重布層包括一第一介電層及一第一導電層。第一介電層形成于封裝體與芯片的主動面上并露出主動面的一部分。第一導電層形成于第一介電層上并電性連接于露出的主動面，其中第一導電層是作為阻抗匹配層。屏蔽層覆蓋封裝體的外表面并電性連接于第一導電層。
[0005]根據本發(fā)明，提出一種半導體封裝件的制造方法。制造方法包括以下步驟。設置一芯片于一黏貼載板上，芯片具有一主動面，主動面面向黏貼載板；形成一封裝體覆蓋黏貼載板并包覆芯片；分離黏貼載板與芯片，以露出芯片的主動面；形成一重布層，其包括以下步驟:形成一第一介電層于封裝體與芯片的主動面，其中第一介電層露出主動面的一部分；及，形成一第一導電層于第一介電層上，其中第一導電層電性連接于露出的主動面且第一導電層是作為阻抗匹配層；以及，形成一屏蔽層覆蓋封裝體的一外表面，其中屏蔽層電性連接于第一導電層。
[0006]為讓本發(fā)明的上述內容能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下:
【附圖說明】
[0007]圖1A繪示依照本發(fā)明一實施例的半導體封裝件的功能方塊圖。
[0008]圖1B繪示依照本發(fā)明一實施例的半導體封裝件的剖視圖。
[0009]圖1C繪示圖1B中沿方向1C-1C’的剖視圖。
[0010]圖1D繪示圖1B中沿方向1D-1D’的剖視圖。
[0011]圖1E繪示圖1B的第一導電層、第二介電層與第二導電層的局部示意圖。
[0012]圖2繪示依照本發(fā)明另一實施例的第一導電層、第二介電層與第二導電層的局部示意圖。
[0013]圖3繪示依照本發(fā)明另一實施例的第一導電層、第二介電層與第二導電層的局部示意圖。
[0014]圖4繪示依照本發(fā)明另一實施例的半導體封裝件的剖視圖。
[0015]圖5A至5K繪示圖1B的半導體封裝件的制造過程圖。
[0016]圖6A至6D繪示圖4的半導體封裝件的制造過程圖。
[0017]主要元件符號說明:
[0018]10:黏貼載板
[0019]11:可撓性黏貼層
[0020]20:冶具
[0021]21:側部
[0022]21s:內側面
[0023]22:蓋部
[0024]100、200:半導體封裝件
[0025]110:天線
[0026]120:芯片
[0027]1201:接墊
[0028]121a:接墊開孔
[0029]122:保護層
[0030]123:開關
[0031]120u:主動面
[0032]120b:背面
[0033]120s、130s、141s、1422s、143s、1442s:外側面
[0034]124:第一無線通信芯片
[0035]126:第二無線通信芯片
[0036]125:被動元件
[0037]1251:第一接點
[0038]1252:第二接點
[0039]130:封裝體
[0040]130u:第一表面
[0041]130ul:第一部分
[0042]130u2:第二部分
[0043]130b:第二表面
[0044]140:重布層
[0045]141:第一介電層
[0046]141a:第一信號開孔
[0047]142:第一導電層
[0048]1421:線路層
[0049]1422:第一接地層
[0050]1423:走線
[0051]143:第二介電層
[0052]143al:第一接地開孔
[0053]143a2:第二信號開孔
[0054]144:第二導電層
[0055]1441:接墊層
[0056]1442:第二接地層
[0057]145:第三介電層
[0058]145al:第二接地開孔
[0059]145a2:第三信號開孔
[0060]150:電性接點
[0061]151:接地接點
[0062]152:信號接點
[0063]160:屏蔽層
[0064]270:導電元件
[0065]270a:貫孔
[0066]Pl:切割道
[0067]R1、R2、R3:介電層開孔
[0068]Tl:刀具
[0069]Wl:寬度
【具體實施方式】
[0070]請參照圖1A，其繪示依照本發(fā)明一實施例的半導體封裝件的功能方塊圖。半導體封裝件100例如是一無線通信模塊，其包括數個天線110、芯片120、開關123、第一無線通信芯片124、第二無線通信芯片126、及重布層140。
[0071]天線110從外界接收一無線信號，或輻射一無線信號至外界。開關123例如是單刀/雙擲(Single Pole Double Throw, SPDT),其可將從外界接收的無線信號切換至第一無線通信芯片124或及第二無線通信芯片126 ;或者，開關123可切換讓來自于第一無線通信芯片124或及第二無線通信芯片126的無線信號通過而傳輸至天線110。本實施例中，第一無線通信芯片124例如是WiFi芯片，而第二無線通信芯片126例如是藍牙芯片，然并不限于此些無線通信芯片的種類。
[0072]請參照圖1B，其繪示依照本發(fā)明一實施例的半導體封裝件的剖視圖。半導體封裝件100包括芯片120、被動元件125、封裝體130、重布層140、電性接點150及屏蔽層160。
[0073]芯片120具有相對的主動面120u、背面120b、外側面120s且包括及至少一接墊121，接墊121形成于主動面120u上。芯片120更包括保護層122，其覆蓋芯片120的主動面120u且具有至少一接墊開孔121a，其露出芯片120的接墊121。
[0074]被動元件125包括第一接點1251及第二接點1252，其中第一接點1251及第二接點1252通過第一導電層142電性連接于芯片120。被動元件125例如是電阻、電容或電感。此外，被動元件125亦可作為阻抗匹配層的一部分。另一實施例中，可省略被動元件125。
[0075]封裝體130包覆芯片120的背面120b及外側面120s，并露出芯片120的主動面120u。封裝體130具有相對的第一表面130u與第二表面130b，其中第一表面130u與芯片120的主動面120u同向。由于本實施例的半導體封裝件100是以封裝體130固定芯片120，因此可省略基板，可縮小半導體封裝件100的尺寸。
[0076]封裝體130的材料可包括酹醒基樹脂(Novolac-based resin)、環(huán)氧基樹脂(epoxy-based resin)、娃基樹脂(silicone-based resin)或其他適當的包覆劑。封裝體130亦可包括適當的填充劑，例如是粉狀的二氧化硅?？衫脭捣N封裝技術形成封裝體130,例如是壓縮成型(compress1n molding)、液態(tài)封裝型(liquid encapsulat1n)、注射成型(inject1n molding)或轉注成型(transfer molding)。
[0077]重布層140是于晶圓(未繪示)未切割成數個芯片120前，即重布于晶圓(未繪示)，因此，半導體封裝件100屬于晶圓級封裝(Wafer-level packaging, WLP)的封裝件。重布層140包括第一介電層141、第一導電層142、第二介電層143、第二導電層144及第三介電層145。
[0078]第一介電層141形成于芯片120的主動面120u并具有數個第一信號開孔141a。一些第一信號開孔141a的位置對應接墊開孔121a，以露出芯片120的接墊121，而另一些第一信號開孔141a的位置對應被動元件125的第一接點1251及第二接點1252，以露出第一接點1251及第二接點1252。此外，第一介電層141覆蓋封裝體130的第一表面130u的第一部分130ul，但未覆蓋第一表面130u的第二部分130u2，其中第二部分130u2是第一表面130u的邊緣區(qū)域。由于第一介電層141未覆蓋第一表面130u的第二部分130u2,因此第一介電層141的外側面141s與第二部分130u2共同形成一凹陷結構(即圖的介電層開孔Rl)，以容納部分第一導電層142及第二導電層144。此外，第一部分130ul與第二部分130u2定義第一表面130u的全部或部分。
[0079]第一介電層141的材料包括聚酰亞胺(PI)、環(huán)氧玻纖布半固化片(Pr印