一種顯示基板及其制備方法和一種顯示設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種顯示基板及其制備方法和一種顯示設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，顯示設(shè)備中采用的發(fā)光部件種類越來越豐富，OLED(Organic Light-Emitting D1d,有機(jī)電致發(fā)光二極管)是一種在顯示設(shè)備中非常常用的發(fā)光部件，基于OLED發(fā)光部件的顯示設(shè)備以具有輕薄、低功耗、視角寬及響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，受到人們的青睞。
[0003]在OLED顯示設(shè)備中，OLED具有多層結(jié)構(gòu)，通常，該多層結(jié)構(gòu)中各層分別為陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極。一種可行的生產(chǎn)過程是將陽極形成到基板上，再通過鍍膜加工方式(如真空熱蒸鍍、有機(jī)氣相淀積等)按照空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層的順序，將它們設(shè)置在陽極的上層，最后將陰極設(shè)置在最上層，進(jìn)而形成多層結(jié)構(gòu)的0LED。通常，每個(gè)OLED劃分有多個(gè)發(fā)光單元，每個(gè)發(fā)光單元內(nèi)設(shè)置有一種基色的發(fā)光層。
[0004]在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題:
[0005]在將空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層等使用的有機(jī)材料鍍膜到基板上時(shí)，由于鍍膜工藝的局限性，所形成的鍍膜寬度具有一定的下限，而且，在上述結(jié)構(gòu)中，每個(gè)發(fā)光單元內(nèi)設(shè)置有一種基色的發(fā)光層，每個(gè)發(fā)光單元的寬度則不會小于鍍膜寬度的下限，因此，每個(gè)OLED在基板上的寬度無法低于鍍膜寬度下限與發(fā)光單元數(shù)目的乘積，這對顯示分辨率的提聞造成了限制。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示基板及其制備方法和一種顯示設(shè)備。所述技術(shù)方案如下:
[0007]第一方面，提供了一種顯示基板，所述顯示基板包括多個(gè)像素，每個(gè)像素劃分有多個(gè)發(fā)光單元，每個(gè)發(fā)光單元包括陽極、陰極、載流子傳輸層和發(fā)光層，其中:
[0008]所述多個(gè)發(fā)光單元中的至少一個(gè)發(fā)光單元中包括一個(gè)發(fā)光層和至少一個(gè)工藝輔助層；
[0009]所述工藝輔助層與其它發(fā)光單元中的發(fā)光層是使用相同的材料經(jīng)過一次鍍膜形成的一個(gè)整體。
[0010]可選地，所述多個(gè)發(fā)光單元分別為第一發(fā)光單元、第二發(fā)光單元、第三發(fā)光單元和第四發(fā)光單元；
[0011]所述第一發(fā)光單元的發(fā)光層包括第一發(fā)光層，所述第二發(fā)光單元中包括第一工藝輔助層及第二發(fā)光層，所述第三發(fā)光單元中包括第三發(fā)光層及第二工藝輔助層，所述第四發(fā)光單元中包括第四發(fā)光層；
[0012]其中，所述第一發(fā)光層和所述第一工藝輔助層是使用相同的材料經(jīng)過一次鍍膜形成的一個(gè)整體，所述第二發(fā)光層和所述第三發(fā)光層是使用相同的材料經(jīng)過一次鍍膜形成的一個(gè)整體，所述第二工藝輔助層和所述第四發(fā)光層是使用相同的材料經(jīng)過一次鍍膜形成的一個(gè)整體。
[0013]可選地，所述第一工藝輔助層與所述第二發(fā)光層之間包括第一阻擋層，所述第三發(fā)光層與所述第二工藝輔助層之間包括第二阻擋層，其中，所述第一阻擋層與所述第二阻擋層是使用相同的材料經(jīng)過一次鍍膜形成的一個(gè)整體。
[0014]可選地，所述載流子傳輸層包括空穴傳輸層，所述第一載流子為空穴，所述第一發(fā)光單元中的空穴傳輸層包括第一空穴傳輸層及第二空穴傳輸層，所述第二發(fā)光單元中的空穴傳輸層包括第三空穴傳輸層、第四空穴傳輸層及第五空穴傳輸層，所述第三發(fā)光單元中的空穴傳輸層包括第六空穴傳輸層及第七空穴傳輸層，所述第四發(fā)光單元的空穴傳輸層包括第八空穴傳輸層；
[0015]其中，所述第一空穴傳輸層、所述第三空穴傳輸層、所述第六空穴傳輸層及所述第八空穴傳輸層是使用相同的材料經(jīng)過一次鍍膜形成的一個(gè)整體，所述第二空穴傳輸層及所述第四空穴傳輸層是使用相同的材料經(jīng)過一次鍍膜形成的一個(gè)整體，所述第五空穴傳輸層及所述第七空穴傳輸層是使用相同的材料經(jīng)過一次鍍膜形成的一個(gè)整體。
[0016]可選地，所述第一發(fā)光單元對應(yīng)的微腔的腔長為第一預(yù)設(shè)腔長，所述二發(fā)光單元對應(yīng)的微腔的腔長為第二預(yù)設(shè)腔長，所述第三發(fā)光單元對應(yīng)的微腔的腔長為第三預(yù)設(shè)腔長，所述第四發(fā)光單元對應(yīng)的微腔的腔長為第四預(yù)設(shè)腔長。
[0017]可選地，所述每個(gè)發(fā)光單元對應(yīng)的陽極的厚度相同。
[0018]可選地，所述第二發(fā)光層及所述第三發(fā)光層由對應(yīng)的頻率范圍中包括紅光和綠光的頻率的一種發(fā)光材料構(gòu)成；或者，所述第二發(fā)光層及所述第三發(fā)光層的材料包含第一發(fā)光材料和第二發(fā)光材料，所述第一發(fā)光材料為對應(yīng)的頻率范圍中包括紅光的頻率的發(fā)光材料，所述第二發(fā)光材料為對應(yīng)的頻率范圍中包括綠光的頻率的發(fā)光材料；
[0019]所述第一發(fā)光層及所述第一工藝輔助層由對應(yīng)的頻率范圍中包括天藍(lán)光的頻率的發(fā)光材料構(gòu)成；
[0020]所述第二工藝輔助層及所述第四發(fā)光層由對應(yīng)的頻率范圍中包括深藍(lán)光的頻率的發(fā)光材料構(gòu)成。
[0021]可選地，所述第二發(fā)光層及所述第三發(fā)光層由對應(yīng)的頻率范圍中包括紅光和綠光的頻率的一種發(fā)光材料構(gòu)成；或者，所述第二發(fā)光層及所述第三發(fā)光層的材料包含第一發(fā)光材料和第二發(fā)光材料，所述第一發(fā)光材料為對應(yīng)的頻率范圍中包括紅光的頻率的發(fā)光材料，所述第二發(fā)光材料為對應(yīng)的頻率范圍中包括綠光的頻率的發(fā)光材料；
[0022]所述第一發(fā)光層及所述第一工藝輔助層由對應(yīng)的頻率范圍中包括天藍(lán)光的頻率的發(fā)光材料構(gòu)成；
[0023]所述第二工藝輔助層及所述第四發(fā)光層由對應(yīng)的頻率范圍中包括綠光的頻率的發(fā)光材料構(gòu)成。
[0024]第二方面，提供了一種顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備包括顯示基板。
[0025]第三方面，提供了一種顯示基板的制備方法，所述顯示基板包括多個(gè)像素，每個(gè)像素劃分有多個(gè)發(fā)光單元，所述方法包括:
[0026]將每個(gè)發(fā)光單元的第一電極形成在基板上，通過鍍膜加工方式，在所述第一電極的上層，形成載流子傳輸層；
[0027]通過鍍膜加工方式，在所述多個(gè)發(fā)光單元中的部分發(fā)光單元的載流子傳輸層的上層，形成發(fā)光層；
[0028]通過鍍膜加工方式，在所述部分發(fā)光單元中的至少一個(gè)發(fā)光單元的發(fā)光層的上層，以及所述部分發(fā)光單元之外的發(fā)光單元的載流子傳輸層的上層，形成發(fā)光層；其中，所述至少一個(gè)發(fā)光單元中包括一個(gè)發(fā)光層和一個(gè)工藝輔助層，所述工藝輔助層與其它發(fā)光單元中的發(fā)光層是使用相同的材料經(jīng)過一次鍍膜形成的一個(gè)整體；
[0029]在每個(gè)發(fā)光單元的發(fā)光層的上層形成第二電極。
[0030]可選地，所述通過鍍膜加工方式，在所述部分發(fā)光單元中的至少一個(gè)發(fā)光單元的發(fā)光層的上層，以及所述部分發(fā)光單元之外的發(fā)光單元的載流子傳輸層的上層，形成發(fā)光層，包括:
[0031]通過鍍膜加工方式，在所述部分發(fā)光單元中的至少一個(gè)發(fā)光單元的發(fā)光層的上層，形成用于阻擋第一載流子和激子的阻擋層；其中，所述第一載流子為空穴或電子；
[0032]通過鍍膜加工方式，在所述至少一個(gè)發(fā)光單元的阻擋層的上層，以及所述部分發(fā)光單兀之外的發(fā)光單兀的載流子傳輸層的上層，形成發(fā)光層。
[0033]可選地，所述多個(gè)發(fā)光單元分別為第一發(fā)光單元、第二發(fā)光單元、第三發(fā)光單元和第四發(fā)光單元；
[0034]所述在所述多個(gè)發(fā)光單元中的部分發(fā)光單元的載流子傳輸層的上層，形成發(fā)光層，包括:
[0035]在所述第二發(fā)光單元的載流子傳輸層的上層形成第二發(fā)光層，在所述第三發(fā)光單元的載流子傳輸層的上層形成第三發(fā)光層；其中，所述第二發(fā)光層和所述第三發(fā)光層是使用相同的材料經(jīng)過一次鍍膜形成的一個(gè)整體；
[0036]所述在所述部分發(fā)光單元中的至少一個(gè)發(fā)光單元的發(fā)光層的上層，形成用于阻擋第一載流子和激子的阻擋層，包括:
[0037]在所述第二發(fā)光層的上層形成用于阻擋第一載流子和激子的第一阻擋層，在所述第三發(fā)光層的上層形成用于阻擋第一載流子和激子的第二阻擋層；其中，所述第一阻擋層與所述第二阻擋層是使用相同的材料經(jīng)過一次鍍膜形成的一個(gè)整體；
[0038]所述在所述至少一個(gè)發(fā)光單元的阻擋層的上層，以及所述部分發(fā)光單元之外的發(fā)光單兀的載流子傳輸層的上層，形成發(fā)光層，包括:
[0039]在所述第一阻擋層的上層形成第一工藝輔助層，在所述第一發(fā)光單元的載流子傳輸層的上層形成第一發(fā)光層，在所述第二阻擋層的上層形成第二工藝輔助層，在所述第四發(fā)光單元的載流子傳輸層的上層形成第四發(fā)光層；其中，所述第一發(fā)光層和所述第一工藝輔助層是使用相同的材料經(jīng)過一次鍍膜形成的一個(gè)整體，所述第二工藝輔助層和所述第四發(fā)光層是使用相同的材料經(jīng)過一次鍍膜形成的一個(gè)整體。
[0040]可選地，所述載流子傳輸層為空穴傳輸層，所述第一電極為陽極，所述第二電極為陰極，所述第一載流子為空穴；
[0041]所述在所述第一電極的上層，形成載流子傳輸層，包括:
[0042]在所述第一發(fā)光單元中的第一電極的上層形成第一空穴傳輸層，在所述第二發(fā)光單元中的第一電極的上層形成第三空穴傳輸層，在所述第三發(fā)光單元中的第一電極的上層形成第六空穴傳輸層，在所述第四發(fā)光單元中的第一電極的上層形成第八空穴傳輸層；其中，所述第一空穴傳輸層、所述第三空穴傳輸層、所述第六空穴傳輸層及所述第八空穴傳輸層是使用相同的材料經(jīng)過一次鍍膜形成的一個(gè)整體；
[0043]在所述第一發(fā)光單元中的所述第一空穴傳輸層的上層形成第二空穴傳輸層，在所述第二發(fā)光單元中的所述第三空穴傳輸層的上層形成第四空穴傳輸層；其中，所述第二空穴傳輸層及所述第四空穴傳輸層是使用相同的材料經(jīng)過一次鍍膜形成的一個(gè)整體；
[0044]在所述第二發(fā)光單元中的所述第四空穴傳輸層的上層形成第五空穴傳輸層，在所述第三發(fā)光單元中的所述第六空穴傳輸層的上層形成第七空穴傳輸層；其中，所述第五空穴傳輸層及所述第七空穴傳輸層是使用相同的材料經(jīng)過一次鍍膜形成的一個(gè)整體。
[0045]可選地，所述第一電極為陽極，所述第二電極為陰極，所述載流子傳輸層為空穴傳輸層;
[0046]所述在每個(gè)發(fā)光單元的發(fā)光層的