N型擴(kuò)散層3a為最優(yōu)化的雜質(zhì)濃度的條件下，將N型的雜質(zhì)23a注入角部18及直線部17中。然后，去除抗蝕圖形45。
[0062]接下來，如圖23及圖25所示，形成露出角部18、覆蓋直線部17的抗蝕圖形46。然后，將抗蝕圖形46作為注入掩膜，向角部18追加注入N型的雜質(zhì)23b。此時(shí)的N型的雜質(zhì)的注入量被設(shè)定為下述規(guī)定注入量，該規(guī)定注入量使得N型的雜質(zhì)的凈濃度成為對(duì)角部18的N型擴(kuò)散層3b為最優(yōu)化的雜質(zhì)濃度。
[0063]然后，如圖26所示，通過去除抗蝕圖形46，形成將高電位側(cè)電路區(qū)域13和低電位側(cè)電路區(qū)域14電隔離的高耐壓分離區(qū)域16。
[0064]在以上述方式制造出的半導(dǎo)體裝置D中，最終，向角部18注入的N型的雜質(zhì)的量和向直線部17注入的N型的雜質(zhì)的量為與在實(shí)施方式I中說明的半導(dǎo)體裝置D的情況相同。由此，向角部18伸展的耗盡層的寬度、和向直線部17伸展的耗盡層的寬度實(shí)質(zhì)上為相同寬度，能夠抑制角部18中的耐壓的下降。
[0065]實(shí)施方式4
在這里，說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的主要工序中的雜質(zhì)向高耐壓分離區(qū)域的導(dǎo)入(注入)分配的第4例。
[0066]如圖27及圖28所示，形成露出角部18及直線部17、覆蓋其他區(qū)域的抗蝕圖形47。然后，以該抗蝕圖形45作為注入掩膜，在成為對(duì)角部18的N型擴(kuò)散層3b為最優(yōu)化的雜質(zhì)濃度的條件下，將N型的雜質(zhì)24a注入角部18及直線部17中。然后，去除抗蝕圖形47。
[0067]接下來，如圖27及圖29所示，形成覆蓋角部18、以條紋狀覆蓋直線部17的抗蝕圖形48。然后，以抗蝕圖形48為注入掩膜，向直線部17以條紋狀注入P型的雜質(zhì)24b。此時(shí)的P型的雜質(zhì)的注入量被設(shè)定為下述的規(guī)定注入量，該規(guī)定注入量使得N型的雜質(zhì)被中和，N型的雜質(zhì)的凈濃度成為對(duì)直線部17的N型擴(kuò)散層3a為最優(yōu)化的雜質(zhì)濃度。
[0068]然后，如圖30所示，通過去除抗蝕圖形48，形成將高電位側(cè)電路區(qū)域13和低電位側(cè)電路區(qū)域14電隔離的高耐壓分離區(qū)域16。特別是，在高耐壓分離區(qū)域16的直線部17中，以條紋狀配置N型的雜質(zhì)的濃度相對(duì)較高的部位、和相對(duì)較低的部位。
[0069]在以上述方式制造出的半導(dǎo)體裝置D中，最終，向角部18注入的N型的雜質(zhì)的量和向直線部17注入的N型的雜質(zhì)的量為與在實(shí)施方式I中說明的半導(dǎo)體裝置D的情況相同。由此，向角部18伸展的耗盡層的寬度、和向直線部17伸展的耗盡層的寬度實(shí)質(zhì)上為相同寬度，能夠抑制角部18中的耐壓的下降。
[0070]特別是，在上述半導(dǎo)體裝置D的制造方法中，對(duì)直線部17中的條紋狀的抗蝕圖形48的寬度和間距進(jìn)行調(diào)整，從而能夠精密地進(jìn)行N型擴(kuò)散層3a的N型雜質(zhì)的調(diào)整。
[0071]實(shí)施方式5
在這里，說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的主要工序中的雜質(zhì)向高耐壓分離區(qū)域的導(dǎo)入(注入)分配的第5例。
[0072]如圖31及圖32所示，形成露出角部18及直線部17、覆蓋其他區(qū)域的抗蝕圖形49。然后，以該抗蝕圖形49為注入掩膜，在成為對(duì)角部18的N型擴(kuò)散層3b為最優(yōu)化的雜質(zhì)濃度的條件下，向角部18及直線部17注入N型雜質(zhì)25a。然后，去除抗蝕圖形49。
[0073]接下來，如圖31及圖33所示，形成覆蓋角部18、以點(diǎn)狀覆蓋直線部17的抗蝕圖形50。然后，以抗蝕圖形50為注入掩膜，向直線部17以點(diǎn)狀(或者，矩陣狀)注入P型的雜質(zhì)25b。此時(shí)的P型的雜質(zhì)的注入量被設(shè)定為下述規(guī)定注入量，該規(guī)定注入量使得N型的雜質(zhì)被中和，N型的雜質(zhì)的凈濃度成為對(duì)直線部17的N型擴(kuò)散層3a為最優(yōu)化的雜質(zhì)濃度。
[0074]然后，如圖34所示，通過去除抗蝕圖形50，形成將高電位側(cè)電路區(qū)域13和低電位側(cè)電路區(qū)域14電隔離的高耐壓分離區(qū)域16。特別是，在高耐壓分離區(qū)域16的直線部17中，以點(diǎn)狀(或者，矩陣狀)配置N型的雜質(zhì)濃度相對(duì)較低的部位。
[0075]在以上述方式制造出的半導(dǎo)體裝置D中，最終，向角部18注入的N型的雜質(zhì)的量和向直線部17注入的N型的雜質(zhì)的量為與在實(shí)施方式I中說明的半導(dǎo)體裝置D的情況相同。由此，向角部18伸展的耗盡層的寬度、和向直線部17伸展的耗盡層的寬度實(shí)質(zhì)上為相同寬度，能夠抑制角部18中的耐壓的下降。
[0076]特別是，在上述半導(dǎo)體裝置D的制造方法中，通過以點(diǎn)狀向直線部17注入P型的雜質(zhì)，對(duì)于相同的P型雜質(zhì)的注入量，與以條紋狀進(jìn)行注入的情況相比，能夠?qū)⒅本€部17的N型雜質(zhì)的濃度向更低濃度側(cè)調(diào)整。
[0077]實(shí)施方式6
在這里，說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的主要工序中的雜質(zhì)向高耐壓分離區(qū)域的導(dǎo)入(注入)分配的第6例。
[0078]如圖35及圖36所示，形成露出角部18及直線部17、覆蓋其他區(qū)域的抗蝕圖形51。然后，以該抗蝕圖形51為注入掩膜，在成為對(duì)角部18的N型擴(kuò)散層3b為最優(yōu)化的雜質(zhì)的濃度的條件下，向角部18及直線部17注入N型雜質(zhì)26a。然后，如圖37所示，去除抗蝕圖形49。
[0079]接下來，如圖35及圖38所示，形成露出直線部17、覆蓋其他區(qū)域的抗蝕圖形52。然后，以該抗蝕圖形52作為蝕刻掩膜，對(duì)露出的直線部17實(shí)施蝕刻處理，由此，使直線部17的上表面的位置比角部18的上表面的位置低。即，使直線部17的厚度與角部18的厚度相比較薄。
[0080]此時(shí)的蝕刻量(厚度)蝕刻至N型的雜質(zhì)的凈濃度成為對(duì)直線部17的N型擴(kuò)散層3a為最優(yōu)化的雜質(zhì)濃度(雜質(zhì)的原子數(shù)量)的厚度。
[0081]然后，如圖39所示，通過去除抗蝕圖形52，形成將高電位側(cè)電路區(qū)域和低電位側(cè)電路區(qū)域電隔離的高耐壓分離區(qū)域16。特別是，在高耐壓分離區(qū)域16的直線部17中，N型擴(kuò)散層3a的厚度與角部18的N型擴(kuò)散層3b的厚度相比較薄。
[0082]在以上述方式制造處的半導(dǎo)體裝置D中，直線部17的N型擴(kuò)散層3a的N型的雜質(zhì)濃度與角部18的N型擴(kuò)散層3b的N型的雜質(zhì)濃度相同，但直線部17的N型擴(kuò)散層3a的厚度與比角部18的N型擴(kuò)散層3b的厚度相比較薄。由此，向角部18注入的N型的雜質(zhì)的量和向直線部17注入的N型的雜質(zhì)的量為與在實(shí)施方式I中說明的半導(dǎo)體裝置D的情況相同。由此，向角部18伸展的耗盡層的寬度、和向直線部17伸展的耗盡層的寬度實(shí)質(zhì)上為相同寬度，能夠抑制角部18中的耐壓的下降。
[0083]此外，在上述各實(shí)施方式中，以高耐壓分離區(qū)域16為例進(jìn)行了說明，其中，該高耐壓分離區(qū)域16將矩形狀的高電位側(cè)電路區(qū)域13和低電位側(cè)電路區(qū)域14電隔離。因此，作為高耐壓分離區(qū)域16的角部18，例舉了中心角度大約90°的扇形形狀。
[0084]作為由高耐壓分離區(qū)域16所包圍高電位側(cè)電路區(qū)域13的布局圖案，并不限定于矩形形狀的布局圖案，例如，可以是圖40所示的六邊形的高電位側(cè)電路區(qū)域13，或者圖41所示的五邊形的高電位側(cè)電路區(qū)域13。在這些高耐壓分離區(qū)域16的角處具備扇形形狀的角部18，該角部18具有與該角相對(duì)應(yīng)的中心角和與寬度相當(dāng)?shù)陌霃健?br>[0085]另外，并不限定于六邊形或五邊形等多邊形，作為高電位側(cè)電路區(qū)域13的布局圖案，只要相對(duì)于包含直線圖案和角圖案的布局圖案，沿著該直線圖案形成直線部，沿著角圖案形成角部即可，以使角部的雜質(zhì)的原子數(shù)量和直線部的規(guī)定區(qū)域UV(參照?qǐng)D13)中的雜質(zhì)的原子數(shù)量成為相同數(shù)量的方式，設(shè)定雜質(zhì)的濃度即可。另外，作為角圖案，也可以是帶有圓形的圖案。
[0086]并且，作為角部，以角部18的N型擴(kuò)散層3b和P型擴(kuò)散層2的接合面在布局上繪出圓弧的接合面(圓柱的側(cè)面的一部分)為例進(jìn)行了說明，但如圖42所示，可以是在布局上成為諸如繪出折線之類的接合面(PN接合面31)的角部。
[0087]本發(fā)明可有效地應(yīng)用于具有橫向型高耐壓元件的半導(dǎo)體裝置。
雖然對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解為此次公開的實(shí)施方式在所有方面是例示，并不是對(duì)本發(fā)明的限定。本發(fā)明的范圍通過權(quán)利要求書示出，包含與權(quán)利要求書等同的內(nèi)容以及范圍內(nèi)的所有變更。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體裝置，其具有: 半導(dǎo)體基板，其具有主表面； 第I導(dǎo)電型的第I半導(dǎo)體層，其以將所述半導(dǎo)體基板的所述主表面覆蓋的方式形成；第2導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體層，其以從所述第I半導(dǎo)體層的表面開始到達(dá)第I深度的方式形成； 第I區(qū)域，其配置于所述第I半導(dǎo)體層，形成有由第I電壓驅(qū)動(dòng)的第I電路； 第2區(qū)域，其配置于所述第2半導(dǎo)體層，形成有由比所述第I電壓高的第2電壓驅(qū)動(dòng)的第2電路； 第2導(dǎo)電型的分離區(qū)域，其具有寬度，在所述第2半導(dǎo)體層上以包圍所述第2區(qū)域的方式沿著所述第2區(qū)域而形成，將所述第I區(qū)域和所述第2區(qū)域電隔離， 所述第2區(qū)域作為布局圖案包含直線圖案及角圖案， 所述分離區(qū)域具有: 第3半導(dǎo)體層，其具有所述寬度和第I厚度，并位于沿著所述直線圖案的位置，且與所述第I半導(dǎo)體層接合，具有第2導(dǎo)電型的第I雜質(zhì)；以及 第4半導(dǎo)體層，其具有所述寬度和第2厚度，并位于沿著所述角圖案的位置，且與所述第I半導(dǎo)體層接合，具有第2導(dǎo)電型的第2雜質(zhì)， 如果將所述第4半導(dǎo)體層和所述第I半導(dǎo)體層接合的接合面的面積設(shè)為面積A