有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽(yáng)極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過(guò)輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0003]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內(nèi)部的光只有18%左右是可以發(fā)射到外部去的，而其他的部分會(huì)以其他形式消耗在器件外部，界面之間存在折射率的差(如玻璃與ITO之間的折射率之差，玻璃折射率為1.5，ITO為1.8，光從ITO到達(dá)玻璃，就會(huì)發(fā)生全反射)，引起了全反射的損失，從而導(dǎo)致整體出光性能較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，有必要提供一種出光效率較高的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0005]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、散射層、陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述散射層由鈣的化合物材料摻雜層和二元摻雜層組成，所述鈣的化合物材料摻雜層包括鈣的化合物材料及摻雜在所述鈣的化合物材料中的發(fā)光材料，所述發(fā)光材料選自4- (二臆甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中至少一種，所述鈣的化合物材料選自氧化鈣、氯化鈣、碳酸鈣及氟化鈣中至少一種，所述二元摻雜層包括有機(jī)硅小分子材料及摻雜在所述有機(jī)硅小分子材料中的銅的化合物材料，所述有機(jī)娃小分子材料的能隙為-3.5eV?-5.5eV,所述銅的化合物材料選自碘化亞銅、氧化亞銅、酞菁銅及氧化銅中至少一種。
[0006]所述鈣的化合物材料摻雜層的厚度為40nm?lOOnm，所述二元摻雜層的厚度為1nm ?60nmo
[0007]所述鈣的化合物材料摻雜層中所述鈣的化合物材料與所述發(fā)光材料的質(zhì)量比為3:1?8:1，所述二元摻雜層中所述有機(jī)硅小分子材料中與所述銅的化合物材料的質(zhì)量比為 40:1 ?60:1。
[0008]所述有機(jī)娃小分子材料選自二苯基二(O-甲苯基)娃、p_ 二 (三苯基娃)苯、1，3_雙(三苯基娃)苯及P-雙(三苯基娃)苯中至少一種。
[0009]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0010]在玻璃基底表面蒸鍍制備散射層，所述散射層由鈣的化合物材料摻雜層和二元摻雜層組成，在所述玻璃基底表面采用電子束蒸鍍制備鈣的化合物材料摻雜層，所述鈣的化合物材料摻雜層包括鈣的化合物材料及摻雜在所述鈣的化合物材料中的發(fā)光材料，所述發(fā)光材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亞萘基蒽、4，4’-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，Γ-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中至少一種，所述鈣的化合物材料選自氧化鈣、氯化鈣、碳酸鈣及氟化鈣中至少一種，在所述鈣的化合物材料摻雜層表面通過(guò)電子束蒸鍍制備所述二元摻雜層，所述二元摻雜層包括有機(jī)娃小分子材料及摻雜在所述有機(jī)娃小分子材料中的銅的化合物材料，所述有機(jī)娃小分子材料的能隙為-3.5eV?-5.5eV,所述銅的化合物材料選自碘化亞銅、氧化亞銅、酞菁銅及氧化銅中至少一種；
[0011]在所述散射層表面磁控濺射制備陽(yáng)極，所述陽(yáng)極的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物 '及
[0012]在所述陽(yáng)極的表面依次蒸鍍制備穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。
[0013]所述鈣的化合物材料摻雜層的厚度為40nm?lOOnm，所述二元摻雜層的厚度為1nm ?60nmo
[0014]所述鈣的化合物材料摻雜層中所述鈣的化合物材料與所述發(fā)光材料的質(zhì)量比為3:1?8:1，所述二元摻雜層中所述有機(jī)硅小分子材料中與所述銅的化合物材料的質(zhì)量比為 40:1 ?60:1。
[0015]所述有機(jī)娃小分子材料選自二苯基二(O-甲苯基)娃、p_ 二(三苯基娃)苯、1，3-雙(三苯基娃)苯及P-雙(三苯基娃)苯中至少一種。
[0016]所述電子束蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強(qiáng)為2X10—3?5X10_5Pa，電子束蒸鍍的能量密度為lOW/cm2?lOOW/cm2，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.1?lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
[0017]上述有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，在陽(yáng)極與玻璃基底之間制備散射層，散射層由鈣的化合物材料摻雜層和二元摻雜層組成，鈣的化合物材料摻雜層包括鈣的化合物材料和發(fā)光材料，發(fā)光材料為熒光發(fā)光材料與發(fā)光層的材料一致，可對(duì)發(fā)光光色進(jìn)行補(bǔ)充，提高光色純度，有效提高發(fā)光效率，使發(fā)光顏色穩(wěn)定，衰減速度降低，鈣的化合物材料有利于光子的散射，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)均一，性質(zhì)穩(wěn)定，光在鈣的化合物材料的晶體中進(jìn)行多次反射后，入射角得以改變，二元摻雜層為有機(jī)硅小分子材料和銅的化合物材料組成，有機(jī)硅小分子材料的HOMO能級(jí)很低，可提高空穴的注入能力，且LUMO能級(jí)很高，可阻擋電子的傳輸，避免了電子到達(dá)陽(yáng)極與空穴復(fù)合產(chǎn)生漏電流，有機(jī)硅小分子材料是寬能隙材料，有機(jī)硅小分子材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度在50°C以下，結(jié)晶后的晶體結(jié)構(gòu)對(duì)光有散射作用，加強(qiáng)光的散射，銅的化合物材料的納米粒徑較大，可提高光散射，使向兩側(cè)發(fā)射的光散射回到中間，從而有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命較長(zhǎng)。
【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)中散射層結(jié)構(gòu)不意圖；
[0020]圖3為實(shí)施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的電流密度與流明效率關(guān)系圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法進(jìn)一步闡明。
[0022]請(qǐng)參閱圖1，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100包括依次層疊的玻璃基底10、散射層20、陽(yáng)極30、空穴注入層40、空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70、電子注入層80及陰極90。
[0023]玻璃基底10為折射率為1.8?2.2的玻璃，在400nm透過(guò)率高于90%。玻璃基底10 優(yōu)選為牌號(hào)為 N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A 或 N-LASF44 的玻璃。
[0024]參考圖2所不散射層20形成于玻璃基底10的一側(cè)表面。散射層20由I丐的化合物材料摻雜層201和二元摻雜層202組成，所述鈣的化合物材料摻雜層201包括鈣的化合物材料及摻雜在所述鈣的化合物材料中的發(fā)光材料，所述發(fā)光材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，I’ -聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中至少一種，所述鈣的化合物材料選自氧化鈣、氯化鈣、碳酸鈣及氟化鈣中至少一種，所述二元摻雜層202包括有機(jī)硅小分子材料及摻雜在所述有機(jī)硅小分子材料中的銅的化合物材料，所述有機(jī)硅小分子材料的能隙為-3.5eV?-5.5eV，所述銅的化合物材料選自碘化亞銅、氧化亞銅、酞菁銅及氧化銅中至少一種。
[0025]所述鈣的化合物材料摻雜層201的厚度為40nm?lOOnm，所述二元摻雜層202的厚度為1nm?60nm。
[0026]所述鈣的化合物材料摻雜層201中所述鈣的化合物材料與所述發(fā)光材料的質(zhì)量比為3:1?8:1，所述二元摻雜層202中所述有機(jī)硅小分子材料中與所述銅的化合物材料的質(zhì)量比為40:1?60:1。
[0027]所述有機(jī)娃小分子材料選自二苯基二(O-甲苯基)娃、p_ 二 (三苯基娃)苯、1，3_雙(三苯基娃)苯及P-雙(三苯基娃)苯中至少一種。
[0028]陽(yáng)極30形成于散射層20的表面。陽(yáng)極30的材料為銦錫氧化物(ΙΤ