等離子體處理容器和等離子體處理裝置的制造方法
【專利說明】等離子體處理容器和等離子體處理裝置
[0001]本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2009年4月9日、申請(qǐng)?zhí)枮?00910134905.7、發(fā)明名稱為“等離子體處理容器和等離子體處理裝置”的專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明涉及一種對(duì)例如平板顯示器(FPD)用的玻璃基板等被處理體進(jìn)行等離子體處理時(shí)收納被處理體的等離子體處理容器和具有該等離子體處理容器的等離子體處理
目.ο
【背景技術(shù)】
[0003]在以液晶顯示器(IXD)為代表的FPD制造過程中，在真空下對(duì)玻璃基板等被處理體實(shí)施蝕刻、成膜等各種處理。為了利用等離子體進(jìn)行所述處理，而使用具有能夠真空抽吸的等離子體處理容器的等離子體處理裝置。
[0004]在等離子體處理裝置中，由于等離子體或腐蝕性氣體的作用會(huì)使金屬制的等離子體處理容器的內(nèi)面受損。為此，要對(duì)例如鋁制的等離子體處理容器的主體實(shí)施陽極氧化處理(陽極氧化處理)而提高耐蝕性。陽極氧化處理通常通過將接受處理的等離子體處理容器或其構(gòu)成部件浸漬在含有硫酸或草酸的電解液中。
[0005]另外，為了防止等離子體處理容器的損傷，也在等離子體處理容器的內(nèi)壁面配設(shè)保護(hù)部件(襯墊:liner)。例如在專利文獻(xiàn)I中，沿著形成在等離子體處理容器的運(yùn)送口的內(nèi)壁面配設(shè)能夠拆裝的襯墊。在襯墊的表面形成利用了陽極氧化處理的氧化皮膜或具有耐等離子體腐蝕性的噴鍍膜，提高對(duì)等離子體或腐蝕性氣體的耐久性。但是，等離子體或腐蝕性氣體會(huì)從安裝在等離子體處理容器的內(nèi)面的襯墊的端部繞進(jìn)其背側(cè)(其與等離子體處理容器的間隙)中，所以即使配置有襯墊的情況下，對(duì)于等離子體處理容器來說，也不能省略陽極氧化處理。
[0006]專利文獻(xiàn)1:國際公開W02002/29877號(hào)
[0007]近年來，對(duì)FPD用的基板的大型化要求加大，與此對(duì)應(yīng)地，等離子體處理容器也有大型化的傾向?，F(xiàn)在也制造以一邊超過2m的巨大基板為處理對(duì)象的等離子體處理容器，在這樣的大型的等離子體處理容器上難以進(jìn)行陽極氧化處理。另外，用于在大型的等離子體處理容器上實(shí)施陽極氧化處理的作業(yè)時(shí)間和成本也成為較大負(fù)擔(dān)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明是鑒于上述問題而研發(fā)的，其目的在于極力減輕等離子體處理容器的陽極氧化處理所要的操作時(shí)間和成本。
[0009]本發(fā)明的等離子體處理容器，其形成收納被處理體而進(jìn)行等離子體處理的處理室，其特征在于，具有:
[0010]接合多個(gè)容器構(gòu)成部件而成的容器主體；
[0011]配設(shè)在所述容器構(gòu)成部件間的接合部分的第一密封部件；
[0012]安裝在所述容器主體的內(nèi)面并保護(hù)所述容器主體的保護(hù)部件，
[0013]在所述容器構(gòu)成部件間的接合部分設(shè)有通過將所述保護(hù)部件從所述處理室內(nèi)部插入直至到達(dá)所述第一密封部件的位置而使所述第一密封部件和所述保護(hù)部件抵接的第一密封部。
[0014]本發(fā)明的等離子體處理容器，其優(yōu)選以包圍所述第一密封部件的方式在該第一密封部件的外側(cè)設(shè)有在所述容器構(gòu)成部件間直接介入所述第二密封部件的第二密封部。這種情況下，優(yōu)選通過所述第一密封部遮斷等離子體以及/或者腐蝕性氣體，通過所述第二密封部維持所述容器主體的氣密性。另外，優(yōu)選所述第一密封部件和所述第二密封部件的材質(zhì)不同，所述第一密封部件由對(duì)等離子體以及/或者腐蝕性氣體具有耐性的材質(zhì)構(gòu)成。
[0015]另外，在本發(fā)明的等離子體處理容器中，優(yōu)選所述保護(hù)部件嵌入在形成于所接合的兩個(gè)部件中的任一部件上的凹部中，使所述部件間的接合面和所述保護(hù)部件的表面形成同一面。
[0016]另外，在本發(fā)明的等離子體處理容器，優(yōu)選所述保護(hù)部件的表面由利用陽極氧化處理形成的氧化覆膜或具有耐等離子體腐蝕性的陶瓷噴鍍膜覆蓋。
[0017]本發(fā)明的等離子體處理裝置特征在于，具有上述等離子體處理容器。
[0018]〔發(fā)明效果〕
[0019]根據(jù)本發(fā)明的等離子體處理容器，形成具有這樣的第一密封部的結(jié)構(gòu)，其為在兩個(gè)容器構(gòu)成部件間的接合部分，配設(shè)第一密封部件，將保護(hù)部件插入到達(dá)該第一密封部件的位置，使第一密封部件抵接保護(hù)部件。根據(jù)該密封結(jié)構(gòu)，等離子體或腐蝕性氣體由第一密封部遮斷。因此，等離子體和腐蝕性氣體不會(huì)到達(dá)兩個(gè)容器構(gòu)成部件直接抵接的接合面。因此，關(guān)于所接合的容器構(gòu)成部件中至少一方，不需要陽極氧化處理，能夠抑制陽極氧化處理所需的時(shí)間和成本。因此，能夠起到降低以往成為大的負(fù)擔(dān)的、等離子體處理容器的陽極氧化處理所需的操作時(shí)間和成本的效果。
【附圖說明】
[0020]圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的等離子體蝕刻裝置的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖。
[0021]圖2是放大表示圖1的A部分的要部剖面圖。
[0022]圖3是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的等離子體蝕刻裝置的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖。
[0023]圖4是本發(fā)明的第三實(shí)施方式的等離子體蝕刻裝置的要部剖面圖。
[0024]附圖標(biāo)記說明
[0025]I處理容器
[0026]Ia 底壁
[0027]Ib 側(cè)壁
[0028]Ic 頂板
[0029]2下部容器
[0030]3絕緣部件
[0031]5承載體
[0032]7 基材
[0033]51 排氣口
[0034]61基板運(yùn)送用開口
[0035]100等離子體蝕刻裝置
[0036]101 襯墊
[0037]102 襯墊
[0038]111內(nèi)側(cè)O型環(huán)
[0039]112外側(cè)O型環(huán)
[0040]113 O型環(huán)配設(shè)用槽
[0041]114 凹部
【具體實(shí)施方式】
[0042]以下，參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式。參照?qǐng)D1和圖2，關(guān)于本實(shí)施方式的等離子體處理容器、以及具有該等離子體處理容器的等離子體蝕刻裝置100進(jìn)行說明。圖1是表示等離子體蝕刻裝置100的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖。等離子體蝕刻裝置100構(gòu)成為例如對(duì)Fro用的玻璃基板(以下簡稱作“基板”)S進(jìn)行等離子體蝕刻處理的裝置。另外，作為FPD例示液晶顯示器(IXD)、場致發(fā)光(Electro Luminescence:EL)顯示器、等離子體顯示面板(PDP)等。
[0043]如圖1所示，等離子體蝕刻裝置100構(gòu)成為對(duì)形成為矩形的基板S進(jìn)行蝕刻的電容耦合型的平行平板等離子體蝕刻裝置。該等離子體蝕刻裝置100具有由例如表面被陽極氧化處理的鋁構(gòu)成的成形為方筒形的處理容器(容器主體)I。為真空容器的處理容器I作為容器構(gòu)成部件由具有底壁Ia以及四方的側(cè)壁Ib的下部容器2、和頂板Ic構(gòu)成。具有底壁Ia和側(cè)壁Ib的下部容器2例如通過切削加工等一體成型為箱型，對(duì)表面實(shí)施陽極氧化處理。在側(cè)壁Ib的內(nèi)面，為了保護(hù)側(cè)壁Ib不受等離子體和腐蝕性氣體的影響，配設(shè)有作為構(gòu)成板狀的保護(hù)部件的襯墊101。
[0044]頂板Ic相對(duì)于下部容器2能夠通過未圖示的開閉機(jī)構(gòu)開閉。在頂板Ic的內(nèi)面(下面)，為了保護(hù)頂板Ic不受等離子體或腐蝕性氣體的影響，而配設(shè)有作為構(gòu)成板狀的保護(hù)部件的襯墊102。在關(guān)閉頂板Ic的狀態(tài)下，在頂板Ic和側(cè)壁Ib的接合部分，在靠近處理容器I的內(nèi)部的位置上配設(shè)作為第一密封部件的內(nèi)側(cè)O型環(huán)111，以包圍該內(nèi)側(cè)O型環(huán)111的方式配設(shè)作為第二密封部件的外側(cè)O型環(huán)112。S卩，通過使內(nèi)側(cè)O型環(huán)111和外側(cè)O型環(huán)112雙重配設(shè)，從而形成頂板Ic和側(cè)壁Ib的接合部分的密封結(jié)構(gòu)。關(guān)于該部分的密封結(jié)構(gòu)后述。另外，在本實(shí)施方式中，由于下部容器2(底壁Ia和側(cè)壁Ib) —體形成，所以，通過密封頂板Ic和側(cè)壁Ib的接合部分的內(nèi)側(cè)O型環(huán)111以及外側(cè)O型環(huán)112，在關(guān)閉頂板Ic的狀態(tài)下保持作為真空容器的處理容器I的氣密性。
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