面10a之上延伸，并且如果存在，則在部分或整體金屬層210之上延伸。有機(jī)層220可以在半導(dǎo)體芯片10的部分或整體第一主表面1a之上和/或在密封材料20的部分或整體第一主表面20a之上延伸。
[0052]密封主體100沿著劃片道30要被分離。如可以在圖2A中看出，有機(jī)層220的有機(jī)材料和/或金屬層210的金屬材料和例如半導(dǎo)體芯片10的半導(dǎo)體材料必須被去除。依據(jù)各種實(shí)施例，金屬層210和有機(jī)層220中的至少一個(gè)的至少一個(gè)跡線通過(guò)激光燒蝕被去除，并且然后密封主體100沿著至少一個(gè)跡線被分離。參考圖解密封主體100的一部分(其中劃片道30橫截半導(dǎo)體芯片10)的圖2A，分離密封主體100包括例如分離半導(dǎo)體芯片10。
[0053]換句話說(shuō)，通常，密封主體100可以含有包括密封材料20的第一區(qū)帶和包括半導(dǎo)體芯片10的半導(dǎo)體材料的第二區(qū)帶，其中金屬層210和有機(jī)層220 (如果施加)中的至少一個(gè)可以在第一區(qū)帶和第二區(qū)帶之上延伸，并且其中至少一個(gè)跡線可以在第一區(qū)帶和第二區(qū)帶之上延伸。密封材料20的第一區(qū)帶和半導(dǎo)體材料的第二區(qū)帶可以在密封主體100中以橫向方向并排地布置(例如見(jiàn)圖1。)密封材料20的第一區(qū)帶和半導(dǎo)體材料的第二區(qū)帶也可以以垂直方向?qū)⒁粋€(gè)布置在另一個(gè)之上(如果密封材料20覆蓋半導(dǎo)體芯片10的第一主表面1a或第二主表面1b中的至少一個(gè))。
[0054]作為示例，密封主體100也可以使用劃片道40被分離成多個(gè)半導(dǎo)體器件封裝。在使用劃片道40時(shí)，類似于如對(duì)劃片道30描述的工藝，金屬層210和有機(jī)層220中的至少一個(gè)層的至少一個(gè)跡線通過(guò)激光燒蝕被去除。然后密封主體100沿著至少一個(gè)跡線被分離，其中對(duì)劃片道40，要被分離的是密封材料20。
[0055]金屬層210可以具有等于或大于或小于0.5 μ m、2 μ m、5 μ m、8 μ m、10 μ m、15 μ m、或20μ m的厚度。特別地，可以使用在2μ m和8 μ m之間范圍內(nèi)的厚度。
[0056]有機(jī)層220可以可選地被施加并且例如可以是電絕緣的。有機(jī)層220 (也被稱為背側(cè)保護(hù)層)例如可以是過(guò)成型層或?qū)訅翰?。有機(jī)層220例如可以包括或可以具有以上針對(duì)密封材料20已經(jīng)公開(kāi)的材料中的一個(gè)或多個(gè)材料。然而，有機(jī)層220可以具有與密封材料20不同的材料。例如可以使用與包含在密封材料20中的填充物材料不同的無(wú)機(jī)填充物材料。有機(jī)層220可以具有等于或大于或小于10μπι、20μπι、30μπι、40μπι、50μπι的厚度。特別地，可以使用在20μηι和40 μ m之間范圍內(nèi)的厚度。
[0057]要被指出的是層堆疊200可以包含在密封主體100的第一主表面10a之上延伸的一個(gè)或多個(gè)進(jìn)一步的層。作為示例，層堆疊200例如可以包含在有機(jī)層220和金屬層210之間延伸的第一電介質(zhì)層1310 (見(jiàn)圖13)。進(jìn)一步地，層堆疊200例如可以包含在金屬層210和密封主體100的第一主表面10a之間延伸的第二電介質(zhì)層1320 (見(jiàn)圖13)。(可選的)第一電介質(zhì)層1310和第二電介質(zhì)層1320各自可以具有等于或大于或小于2 μ m、7 μ m、10μπι、12μπι或15μπι的厚度。(一個(gè)或多個(gè))電介質(zhì)層1310、1320可以包括聚酰亞胺、環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸酯等或可以具有聚酰亞胺、環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸酯等。
[0058]半導(dǎo)體芯片10可以具有等于或大于或小于700μπι、600μπι、500μπι、400μπι、300 μ m、200 μ m、100 μ m或50 μ m的厚度(在第一主表面1a和第二主表面1b之間測(cè)量)。特別地，半導(dǎo)體芯片10的厚度可以在200μπι和500 μ m之間的范圍內(nèi)。
[0059]層堆疊200可以可選地包含電再分布結(jié)構(gòu)250。電再分布結(jié)構(gòu)可以在密封主體100的第二主表面10b之上施加。電再分布結(jié)構(gòu)250例如可以包含多層結(jié)構(gòu)。電再分布結(jié)構(gòu)250例如可以包含一個(gè)或多個(gè)金屬化層251和/或一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)(或絕緣)層252。
[0060]金屬化層251可以包含諸如例如銅或鋁的金屬材料或可以具有諸如例如銅或鋁的金屬材料。金屬化層251可以被配置用于接地、電流和/或信號(hào)再分布。就是說(shuō)半導(dǎo)體芯片10的芯片電極(在圖2A中未被示出)可以被連接到金屬化層251的傳導(dǎo)跡線。金屬化層251的傳導(dǎo)跡線例如可以被配置為路由到要被從層堆疊200加工的半導(dǎo)體器件封裝的外部端子(例如焊料淀積物)。進(jìn)一步地，傳導(dǎo)跡線可以被用作內(nèi)部互連。作為示例，如果半導(dǎo)體芯片10被配置為電直通連接，則半導(dǎo)體芯片10 (或例如通過(guò)劃片形成的半導(dǎo)體芯片10的部分)可以將金屬層210電連接到金屬化層251，并且特別地電連接到在其中結(jié)構(gòu)化的傳導(dǎo)跡線。
[0061]電再分布結(jié)構(gòu)250的電介質(zhì)(或絕緣)層252可以包含聚合物材料(例如聚酰亞胺、環(huán)氧樹(shù)脂、硅)或可以具有聚合物材料(例如聚酰亞胺、環(huán)氧樹(shù)脂、硅)。電介質(zhì)層252例如可以是具有用來(lái)連接到金屬化層251的用于焊料淀積物(未被示出)的開(kāi)口(未被示出)的焊料停止層。如果多個(gè)金屬化層251被包含在電再分布結(jié)構(gòu)250中，貝U金屬化層251可以通過(guò)電介質(zhì)(或絕緣)層252從彼此分離。金屬化層251可以具有等于或大于或小于15 μ m、10 μ m、5 μ m、2 μ m的厚度。電介質(zhì)(或絕緣)層252可以具有等于或大于或小于15 μ m、10 μ m、5 μ m、2 μ m的厚度。
[0062]如在圖2A中圖解，電再分布結(jié)構(gòu)250例如可以被結(jié)構(gòu)化以不在截口區(qū)中的密封主體100的第二主表面10b之上延伸，就是不與劃片道30、40橫截。換句話說(shuō)，密封主體100的第二主表面10b (包含半導(dǎo)體芯片10的第二主表面1b和/或密封材料的第二主表面20b)可以在包含劃片道30、40的區(qū)中被暴露。
[0063]圖2B圖解了在要被激光燒蝕加工的層堆疊200的上表面上的平面視圖。半導(dǎo)體芯片10的輪廓被虛線指示。
[0064]依據(jù)圖3A，至少一個(gè)有機(jī)層220和/或至少一個(gè)金屬層210中的多個(gè)跡線(例如兩個(gè)跡線310、320)通過(guò)激光燒蝕被去除。為此，例如兩個(gè)(或更多)激光束330、340可以同時(shí)或隨后被引導(dǎo)到層堆疊200的上表面上，即在密封主體100的第一主表面10a的方向上。激光束330、340均可以去除在第一主表面10a之上的材料的跡線。該去除金屬層210和/或有機(jī)層220中的至少一個(gè)跡線的工藝本文被稱為激光刻槽或激光預(yù)切割。
[0065]線30a、30b指示如被劃片操作以例如通過(guò)機(jī)械鋸來(lái)分離密封主體100所限定的劃片道30的邊界線。激光燒蝕可以去除在劃片道30的整個(gè)寬度之上的材料(見(jiàn)圖6A-B)，或者可以去除只在劃片道30的兩個(gè)邊界線30a、30b的區(qū)處的材料(見(jiàn)圖3A-B)。在后者情形下，在第一主表面10a之上的材料的至少兩個(gè)跡線310、320被去除，并且在第一跡線310和第二跡線320之間延伸的材料的至少一個(gè)條可以保留在層堆疊200的密封主體100上。至少兩個(gè)跡線310、320可以是平行的。至少兩個(gè)跡線310、320例如可以是線性的，即直線。
[0066]激光束330、340不分離密封主體100。更具體地，入射在半導(dǎo)體芯片10的上表面1a上的激光束330、340可以不劃分半導(dǎo)體芯片10并且入射在密封材料20的上表面20a上的激光束330、340可以不劃分密封材料。相反地，取決于激光束330、340的強(qiáng)度和其它參數(shù)，激光束330、340可以變更在附近表面區(qū)中的跡線310、320之內(nèi)的對(duì)應(yīng)基體材料的微結(jié)構(gòu)和屬性。作為示例，當(dāng)入射在半導(dǎo)體芯片10的第一主表面1a上時(shí)，激光束330、340可以創(chuàng)建無(wú)定形區(qū)311、321。類似地，當(dāng)入射在密封材料20的第一主表面20a上時(shí)，激光束330,340可以沿著跡線310、320創(chuàng)建熔化的、再固化的、例如氧化的和/或焊接的區(qū)。暴露于激光束的基體材料的微結(jié)構(gòu)的這樣的改變被稱為熱影響的區(qū)帶(HAZ )。
[0067]由激光刻槽創(chuàng)建的HAZ可以對(duì)隨后的密封主體100分離工藝(例如機(jī)械鋸)是有益的。作為示例,如例如在半導(dǎo)體芯片10的第一主表面1a處創(chuàng)建的無(wú)定形區(qū)311、321的HAZ可以減少由于鋸壓力而導(dǎo)致的在半導(dǎo)體拐角處的碎裂和/或裂紋擴(kuò)展。進(jìn)一步地，在激光預(yù)切割(激光刻槽)期間HAZ的創(chuàng)建能夠被半導(dǎo)體器件封裝的檢查識(shí)別并且可以因而提供執(zhí)行的激光刻槽方法的結(jié)構(gòu)證據(jù)。
[0068]參考圖4A-B，在激光刻槽后，密封主體100被劃分(例如機(jī)械地鋸)。分界線30a、30b指示劃片道30的側(cè)壁。密封主