用于制造半導(dǎo)體器件的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]各種實施例涉及一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體器件可以包括金屬層。例如金屬層可以用作光器件、諸如例如有機發(fā)光器件、例如有機發(fā)光二極管(OLED )中的電極、例如陽極。在這該情形中，可能想要生產(chǎn)高質(zhì)量、例如具有低表面粗糙度的大的平坦金屬層。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]根據(jù)各種實施例的用于制造半導(dǎo)體器件的方法可以包括:在工件之上形成金屬層結(jié)構(gòu)；在金屬層結(jié)構(gòu)之上形成第一層，第一層包括第一材料；在第一層和金屬層結(jié)構(gòu)中形成至少一個開口 ；沉積第二層以填充至少一個開口并且至少部分地覆蓋第一層的與金屬層結(jié)構(gòu)相背的表面，第二層包括與第一材料不同的第二材料；至少從第一層的與金屬層結(jié)構(gòu)相背的表面去除第二層；以及去除第一層。
【附圖說明】
[0004]在附圖中，相同的參考標(biāo)記一般貫穿不同視圖指代相同部分。附圖未必按比例，相反重點一般被放在圖解本發(fā)明的原理上。在下面的描述中，參照下面的附圖描述本發(fā)明的各種實施例，在附圖中:
圖1圖解根據(jù)各種實施例的用于制造半導(dǎo)體器件的方法；
圖2圖解根據(jù)各種實施例的用于制造半導(dǎo)體器件的方法；
圖3圖解根據(jù)各種實施例的用于制造半導(dǎo)體器件的方法；
圖4A至4G圖解根據(jù)各種實施例的用于制造半導(dǎo)體器件的方法。
【具體實施方式】
[0005]下面的詳細描述參照隨附的附圖，隨附的附圖以圖解的方式示出其中可以實踐本發(fā)明的具體細節(jié)和實施例。這些實施例被充分詳細地描述以使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵺`本發(fā)明。可以利用其它實施例并且可以在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下作出結(jié)構(gòu)、邏輯和電改變。各種實施例未必相互排斥，因為一些實施例可以與一個或更多個其它實施例組合以形成新實施例。與各方法有關(guān)地描述各種實施例并且與各器件有關(guān)地描述各種實施例。然而可以理解與各方法有關(guān)地描述的實施例可以相似地應(yīng)用于器件并且反之亦然。
[0006]在此描述的任何實施例或者設(shè)計未必被解釋為比其它實施例或者設(shè)計優(yōu)選或者有利。
[0007]術(shù)語“至少一個”和“一個或更多個”可以被理解為包括大于或者等于一的任何整數(shù)、即一、二、三、四等。
[0008]術(shù)語“多個”可以被理解為包括大于或者等于二的任何整數(shù)、即二、三、四、五等。
[0009]在此用來描述“在”側(cè)、表面或者另一特征(例如另一層)“之上”形成特征、例如層的詞語“在……之上”可以用來意味著特征、例如層可以被形成為“直接地在”意指的側(cè)、表面或者其它特征(例如其它層)“上”、例如與意指的側(cè)、表面或者其它特征(例如其它層)直接接觸。在此用來描述“在”側(cè)、表面或者另一特征(例如另一層)“之上”形成特征、例如層的詞語“在……之上”可以用來意味著在一個或更多個附加層被布置在意指的側(cè)、表面或者其它特征(例如其它層)與所形成的層之間的情況下，特征、例如層可以被形成為“間接地在”意指的側(cè)、表面或者其它特征(例如其它層)“上”。
[0010]可以參照被描述的(多個)圖的定向來使用方向術(shù)語、諸如例如“上”、“下”、“頂部”、“底部”、“左手”、“右手”等。由于(各)圖的部件可以以多種不同定向來定位，所以方向術(shù)語被用于圖解的目的而絕非進行限制，要理解可以在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下作出結(jié)構(gòu)或者邏輯的改變。
[0011]在一個或更多個實施例中，可以借助沉積處理，例如在半導(dǎo)體處理技術(shù)中應(yīng)用的任何適合的沉積處理，例如包括化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、無電鍍制、電鍍、旋轉(zhuǎn)涂覆和噴射涂覆等形成在此描述的各層。像這樣的沉積處理在本領(lǐng)域中是眾所周知的并且在此將不進行詳細描述。
[0012]根據(jù)在此描述的各種實施例，犧牲或者蝕刻停止層(例如碳層)可以被用來保護金屬層結(jié)構(gòu)(例如金屬層或者金屬層堆疊，例如金屬層堆疊的頂部襯墊)免受侵蝕處理(諸如例如CMP (化學(xué)機械拋光))或等離子體蝕刻處理(被用于去除在用例如電介質(zhì)材料填充開口或者間隙期間創(chuàng)建的任何拓撲)的影響。因此，金屬層結(jié)構(gòu)的表面可以保持未被損傷，以使得例如可以保留金屬層結(jié)構(gòu)的初始光學(xué)條件(例如低的表面粗糙度和/或高反射率)。
[0013]圖1圖解根據(jù)各種實施例的用于制造半導(dǎo)體器件的方法100。
[0014]方法100包括:在工件之上形成金屬層結(jié)構(gòu)(在102中)；在金屬層結(jié)構(gòu)之上形成第一層，第一層包括第一材料(在104中)；在第一層和金屬層結(jié)構(gòu)中形成至少一個開口(在106中);沉積第二層以填充至少一個開口并且至少部分地覆蓋第一層的與金屬層結(jié)構(gòu)相背的表面，第二層包括與第一材料不同的第二材料(在108中);至少從第一層的與金屬層結(jié)構(gòu)相背的表面去除第二層(在110中)；以及去除第一層(在112中)。
[0015]在一個或更多個實施例中，第一層的與金屬層結(jié)構(gòu)相背的表面可以是第一層的上表面。
[0016]在一個或更多個實施例中，第一層可以由第一材料構(gòu)成。
[0017]在一個或更多個實施例中，第一材料可以包括或者可以是碳。
[0018]在一個或更多個實施例中，第一層可以是碳層。
[0019]在一個或更多個實施例中，形成碳層可以包括化學(xué)氣相沉積(CVD)處理，例如等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)處理或者可以通過該處理來實現(xiàn)。也可以使用其它沉積技術(shù)或者處理，諸如例如物理氣相沉積(PVD)或者旋轉(zhuǎn)涂覆處理。在一個或更多個實施例中，沉積溫度可以小于或者等于約450°C。
[0020]在一個或更多個實施例中，碳層可以是包含碳層(a_C:H層)的非晶氫(amorphoushydrogen)ο換言之，在碳層中的碳可以在a_C:H配置中存在。a_C:H層可以具有各向同性膜性質(zhì)，各向同性膜性質(zhì)對于用作蝕刻硬掩模和/或用作CMP停止層而言可能是有益的。根據(jù)其它實施例，在碳層中的碳可以以其它配置中存在。[0021 ] 在一個或更多個實施例中，第一材料可以包括或者可以是電介質(zhì)材料。
[0022]在一個或更多個實施例中，第一材料可以包括或者可以是氮化物材料，例如氮化硅材料，例如SixNy，例如Si3N4。
[0023]在一個或更多個實施例中，第二層可以由第二材料構(gòu)成。
[0024]在一個或更多個實施例中，第二材料可以包括或者可以是可以相對于第一材料被有選擇地蝕刻的材料。
[0025]在一個或更多個實施例中，在第二材料與第一材料之間的蝕刻速率比(換言之在第二材料的蝕刻速率r2與第一材料的蝕刻速率rl之間的比r2:rl)可以大于或者等于5，例如大于或者等于10。
[0026]在一個或更多個實施例中，第二材料可以包括或者可以是電介質(zhì)材料。
[0027]在一個或更多個實施例中，第二材料可以包括或者可以是氧化物材料，例如氧化硅材料，例如SixOy、例如Si02。
[0028]在一個或更多個實施例中，沉積第二層可以包括沉積原硅酸四乙酯(TEOS)層或者可以借助沉積TEOS層來實現(xiàn)。在其它實施例中，沉積第二層可以包括其它適合的沉積處理或者可以借助其它適合的沉積處理來實現(xiàn)。
[0029]在一個或更多個實施例中，第一層可以被配置為或者可以用作犧牲層。
[0030]在一個或更多個實施例中，第一層可以被配置為或者可以用作蝕刻停止層。
[0031 ] 在一個或更多個實施例中，第二層可以被配置為或者可以用作填充層。
[0032]在一個或更多個實施例中，至少從第一層的與金屬層結(jié)構(gòu)相背的表面去除第二層可以包括應(yīng)用化學(xué)機械拋光(CMP)處理或者可以通過應(yīng)用CMP處理來實現(xiàn)。
[0033]在一個或更多個實施例中，第一層可以被配置為或者可以用作用于CMP處理的停止層。
[0034]在一個或更多個實施例中，至少從第一層的與金屬層結(jié)構(gòu)相背的表面去除第二層可以包括應(yīng)用蝕刻處理，例如在沒有機械拋光成分的情況下的蝕刻處理，或者可以通過應(yīng)用蝕刻處理，例如在沒有機械拋光成分的情況下的蝕刻處理來實現(xiàn)。
[0035]在一個或更多個實施例中，蝕刻處理可以是等離子體蝕刻處理。
[0036]在一個或更多個實施例中，第一層可以被配置為或者可以用作用于蝕刻處理的蝕刻停止層。
[0037]在一個或更多個實施例中，去除第一層可以包括應(yīng)用灰化處理或者可以通過應(yīng)用灰化處理來實現(xiàn)。
[0038]在一個或更多個實施例中，去除第一層可以包括應(yīng)用蝕刻處理或者可以通過應(yīng)用蝕刻處理來實現(xiàn)。
[0039]在一個或更多個實施例中，蝕刻處理可以是濕法蝕刻處理。
[0040]在一個或更多個實施例中，第一材料可以包括或者可以是碳，并且去除第一層可以包括應(yīng)用灰化處理或者可以通過應(yīng)用灰化處理來實現(xiàn)。
[0041 ] 在一個或更多個實施例中，第一材料可以包括或者可以是電介質(zhì)材料(例如氮化物材料)，并且去除第一層可以包括應(yīng)用蝕刻處理或者可以通過應(yīng)用蝕刻處理來實現(xiàn)。
[0042]在一個或更多個實施例中，形成至少一個開口可以包括應(yīng)用照相平版印刷圖案化處理。
[0043]在一個或更多個實施例中，照相平版印刷圖案化處理可以包括在第一層之上形成至少一個掩模層并且圖案化至少一個掩模層以形成被圖案化的掩模。
[0044]在一個或更多個實施例中，至少一個掩模層可以包括光致抗蝕劑層。
[0045]在一個或更多個實施例中，至少一個掩模層可以包括硬掩模層。
[0046]在一個或更多個實施例中，硬掩模層