AT)、3_辛基噻吩(30T)或3-十二烷基噻吩(3DDT)。這些化合物，易制備，市面上可以獲得，同時(shí)，傳輸空穴的能力較強(qiáng)，鏈段規(guī)整有序，是常見的聚合物單體材料。
[0040]空穴摻雜客體材料為2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-對苯二醌二甲烷(F4-TCNQ)、4，4，4-三(萘基-1-苯基-銨)三苯胺(IT-NATA)或二萘基-N，V -二苯基-4，4'-聯(lián)苯二胺(2T-NATA)。這些材料的HOMO能級(jí)較高，在-6.7eV?-7.8eV之間，慘雜后可有效提聞空穴的注入效率，容易形成P慘雜。
[0041]陰極80的材料為Ag、Al、Pt或Au,陰極80的厚度為80nm?250nm。在一個(gè)較優(yōu)的實(shí)施例中，陰極80的材料為Ag，陰極80的厚度為200nm。
[0042]這種有機(jī)電致發(fā)光器件的電子注入層70的材料為質(zhì)量比為15?30:0.3?1.5:0.1的電子傳輸材料、噻吩類化合物和空穴摻雜客體材料的混合物，電子傳輸材料選擇玻璃化轉(zhuǎn)變溫度在50°C?100°C之間的易結(jié)晶的電子傳輸材料，可提高電子的傳輸速率并且容易結(jié)晶，結(jié)晶后晶體排列有序，可加強(qiáng)光的散射，使向兩側(cè)發(fā)射的光散射回到中間出射，提高出光效率；噻吩化合物鏈段規(guī)整、有序，有利于載流子的傳輸，同時(shí)，加入后可提高結(jié)晶分子的鏈段規(guī)整性，有利于光的散射；空穴摻雜客體材料的HOMO能級(jí)很低，可阻擋空穴穿越到陰極一端與電子發(fā)生復(fù)合而發(fā)生淬滅，有利于提高發(fā)光效率。
[0043]相對于傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件，這種有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光效率較高。
[0044]如圖2所示的上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0045]S10、對基底10進(jìn)行表面預(yù)處理。
[0046]基底10為玻璃。一般而言，普通玻璃即可。在特殊的應(yīng)用領(lǐng)域，也可以選用特殊工藝加工制作的特種玻璃。
[0047]表面預(yù)處理的過程具體為:將基底10用蒸餾水和乙醇依次沖洗干凈后，置于異丙醇中浸泡過夜。
[0048]S20、在基底10上磁控濺射制備陽極20。
[0049]陽極20可以為銦錫氧化物薄膜(ΙΤ0)、摻鋁的氧化鋅薄膜(AZO)或摻銦的氧化鋅薄膜(ΙΖ0)，陽極20的厚度為50nm?300nm。在一個(gè)較優(yōu)的實(shí)施例中，陽極20為銦錫氧化物薄膜(ΙΤ0)，陽極20的厚度為120nm。
[0050]磁控濺射的加速電壓為300V?800V，磁場為50G?200G，功率密度為lW/cm2?40W/cm2。
[0051]S30、在陽極20上依次蒸鍍形成空穴注入層30、空穴傳輸層40、發(fā)光層50、電子傳輸層60和電子注入層70。
[0052]蒸鍍過程中，工作壓強(qiáng)為2 X 10_3?5 X W5Pa,有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.1?Inm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為I?10nm/s。
[0053]空穴注入層30的材料可以為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5)0空穴注入層30的厚度可以為20nm?80nm。在一個(gè)較優(yōu)的實(shí)施例中，空穴注入層30的材料為三氧化鑰(MoO3),空穴注入層30的厚度為24nm。
[0054]空穴傳輸層40的材料可以為I, 1- 二 [4_[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4’’_ 三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 N，N’ - (1-萘基)-N，N’- 二苯基_4，4’-聯(lián)苯二胺(NPB)，空穴傳輸層40的材料可以為20nm?60nm。在一個(gè)較優(yōu)的實(shí)施例中，空穴傳輸層40的材料為NPB，空穴傳輸層40的材料為37nm。
[0055]發(fā)光層50的材料可以為4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3),發(fā)光層50的厚度可以為5nm?40nm。在一個(gè)較優(yōu)的實(shí)施例中，發(fā)光層50的材料為BCzVBi，發(fā)光層50的厚度為21nm。
[0056]電子傳輸層60的材料可以為電子傳輸材料。電子傳輸層60的厚度可以為40nm?250nm。電子傳輸層材料可以為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)。在一個(gè)較優(yōu)的實(shí)施例中，電子傳輸層60的材料為TPBI，電子傳輸層60的厚度為80nm。
[0057]電子注入層70的材料為質(zhì)量比為15?30:0.3?1.5:0.1的電子傳輸材料、噻吩類化合物和空穴摻雜客體材料的混合物。電子注入層70的厚度為15nm?70nm。
[0058]電子傳輸材料選擇玻璃化轉(zhuǎn)變溫度在50°C?100°C之間的易結(jié)晶的電子傳輸材料，具體為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、2-(4’ -叔丁苯基)-5_(4’ -聯(lián)苯基)-1，3，4-惡二唑(PBD)、2，9- 二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)或2，2’-(1,3-苯基)二 [5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4_ 惡二唑](0XD-7)。
[0059]噻吩類化合物為3-甲基噻吩(3HT)、3_甲基噻吩(3AT)、3_辛基噻吩(30T)或3-十二烷基噻吩(3DDT)。
[0060]空穴摻雜客體材料為2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-對苯二醌二甲烷(F4-TCNQ)、4，4，4-三(萘基-1-苯基-銨)三苯胺(IT-NATA)或二萘基-N，V -二苯基-4，4'-聯(lián)苯二胺(2T-NATA)。
[0061]S40、在電子注入層70上蒸鍍形成陰極80，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0062]陰極80的蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
[0063]陰極80的材料為Ag、Al、Pt或Au,陰極80的厚度為80nm?250nm。在一個(gè)較優(yōu)的實(shí)施例中，陰極80的材料為Ag，陰極80的厚度為200nm。
[0064]這種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法步驟簡單，簡便易行，制備得到的有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光效率較高。
[0065]以下為具體實(shí)施例，實(shí)施例中使用的測試與制備設(shè)備包括:沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司的高真空鍍膜系統(tǒng)(蒸鍍)，美國海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀(測試電致發(fā)光光譜)，美國吉時(shí)利公司的Keithley2400 (測試電學(xué)性能)，日本柯尼卡美能達(dá)公司的CS-100A色度計(jì)(測試亮度和色度)。
[0066]實(shí)施例1
[0067]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基底、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，具體結(jié)構(gòu)表示為:玻璃/IT0/Mo03/NPB/BCzVBi/TPBI/BCP:3HT:F4_TCNQ/Ag。制備步驟為:
[0068]提供市售的普通玻璃，將玻璃用蒸餾水和乙醇依次沖洗干凈后，置于異丙醇中浸泡過夜。
[0069]在表面處理過的玻璃表面磁控濺射制備陽極。陽極的材料為ΙΤ0，厚度為120nm。磁控濺射的加速電壓為700V，磁場為120G，功率密度為25W/cm2。
[0070]在工作壓強(qiáng)為8X10_4Pa的條件下，按照有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.2nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為2nm/s，在陽極上依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟镸oO3,厚度為24nm?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟镹PB，厚度為37nm。發(fā)光層的材料為BCzVBi，厚度為21nm。電子傳輸層的材料為TPBI，厚度為80nm。電子注入層的材料為質(zhì)量比為20:0.8:0.1的BCP、3HT和F4-TCNQ的混合物，厚度為50nm。
[0071]在工作壓強(qiáng)為8X10_4Pa的條件下，按照金屬陰極的蒸鍍速率為2nm/s，在電子注入層上蒸鍍形成陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。陰極的材料為Ag，厚度為200nm。
[0072]如圖3所示的實(shí)施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件和普通結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件(普通玻璃/1T0/Mo03/NPB/BCzVBi/TPBi/Cs2CO3Ag)的亮度與流明效率的關(guān)系圖。
[0073]曲線I為實(shí)施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關(guān)系曲線，曲線2為普通結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關(guān)系圖。
[0074]由圖3可以看出，在相同亮度下，實(shí)施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率顯著高于普通結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率。實(shí)施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的最大的流明效率為5.351m/W，而普通結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件的最大流明效率僅為4.761m/W，而且普通結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率隨著亮度的增大而快速下降。這說明，實(shí)施例I制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的電子注入層可提高電子的傳輸速率，加強(qiáng)光的散射，阻擋空穴穿越到陰極一端與電子發(fā)生復(fù)合而發(fā)生淬滅，提高了有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。
[0075]實(shí)施例2
[0076]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基底、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，具體結(jié)構(gòu)表示為:玻璃/IZ0/V205/TAPC/AND/TAZ/Bphen:3AT:1T_NATA/A1。制備步驟為:
[0077]提供市售的普通玻璃，將玻璃用蒸餾水和乙醇依次沖洗干凈后，置于異丙醇中浸泡過夜。