電容器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種電容器的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導體芯片中通常使用金屬-絕緣層-金屬(Metal-1nsulator_Metal,MIM)電容器或金屬-氧化物-金屬(Metal-Oxide-Metal, Μ0Μ)電容器。由于金屬-絕緣層-金屬(Metal-1nsulator-Metal，MIM)電容器能夠得到穩(wěn)定以及確定的電容值，因此半導體芯片中廣泛采用MIM電容器。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，MIM電容器的制造流程包括:
[0004]S1:提供半導體襯底10，在所述半導體襯底10的表面形成一下電極21，所述下電極21暴露出半導體襯底10的邊緣，如圖1所示；
[0005]S2:在所述下電極21的表面形成一介質(zhì)層30，所述介質(zhì)層30全部覆蓋所述下電極21，如圖2所示；
[0006]S3:在所述介質(zhì)層30的表面形成一上電極22，所述上電極22和下電極21被所述介質(zhì)層30隔離開來，從而形成MIM電容結(jié)構(gòu)，如圖3所示；
[0007]S4:對MIM電容結(jié)構(gòu)進行刻蝕，分別在不同芯片單元內(nèi)形成MM電容器。
[0008]然而，現(xiàn)有技術(shù)中形成的MM電容器經(jīng)常遭遇電弧放電缺陷(Arcing defect)，所述電弧放電缺陷會導致M頂電容器失效，影響半導體芯片的良率。
[0009]那么如何解決電弧放電缺陷，提高半導體芯片的良率便成為本領(lǐng)域技術(shù)人員急需解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明的目的在于提供一種電容器的制造方法，用于形成合格的電容器，避免產(chǎn)生電弧放電缺陷。
[0011]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出了一種電容器的制造方法，包括步驟:
[0012]提供半導體晶圓；
[0013]在所述半導體晶圓的表面形成一下電極；
[0014]在所述下電極的表面形成一介質(zhì)層，使所述介質(zhì)層暴露出一部分下電極；
[0015]在所述介質(zhì)層的表面形成一上電極，所述上電極覆蓋所述介質(zhì)層以及暴露出的下電極；
[0016]依次刻蝕上電極、介質(zhì)層以及下電極，并刻蝕去除所述上電極覆蓋所述下電極的部分，從而形成多個電容器。
[0017]進一步的，在所述下電極的表面形成所述介質(zhì)層之后，采用洗邊的方法使所述介質(zhì)層暴露出所述下電極的邊緣部分。
[0018]進一步的，在所述下電極的表面形成所述介質(zhì)層之前，使用一遮擋環(huán)遮擋一部分下電極，接著在暴露的下電極表面形成所述介質(zhì)層，接著移去所述遮擋環(huán)，使形成后的介質(zhì)層暴露出一部分下電極。
[0019]進一步的，在形成所述上電極之后，在所述上電極的表面涂覆一層光阻，對所述光阻進行曝光處理，接著以所述光阻為掩膜依次對所述上電極、介質(zhì)層和下電極進行刻蝕，刻蝕去除所述上電極覆蓋下電極的部分。
[0020]進一步的，所述下電極為鋁或銅。
[0021]進一步的，所述介質(zhì)層為氮化硅、氧化硅或者氮化硅-氧化硅-氮化硅的組合。
[0022]進一步的，所述上電極為鋁或銅。
[0023]進一步的，所述晶圓設(shè)有前段器件結(jié)構(gòu)和后段金屬連接線結(jié)構(gòu)。
[0024]進一步的，所述電容器為MM電容器。
[0025]進一步的，所述電容器為MOM電容器。
[0026]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果主要體現(xiàn)在:使形成在下電極表面的介質(zhì)層暴露出一部分下電極，接著在介質(zhì)層以及暴露出的下電極表面形成上電極，使所述上電極有一部分與下電極相連接，從而保證在形成上電極的時所產(chǎn)生的電荷也能夠傳導至所述下電極上，使上電極和下電極之間不具有電勢差，從而避免了電弧放電缺陷的形成，接著去除上電極和下電極相連的部分即可形成電容器，從而使形成的電容器良率較高，符合要求。
【附圖說明】
[0027]圖1至圖3為現(xiàn)有技術(shù)中MIM電容器的制造流程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖4為本發(fā)明實施例一中電容器的制造方法的流程圖；
[0029]圖5至圖10為本發(fā)明實施例一中電容器的制造方法流程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖11為本發(fā)明實施例二中電容器的制造方法的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0031]下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的電容器的制造方法進行更詳細的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。
[0032]為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因為它們會使本發(fā)明由于不必要的細節(jié)而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須做出大量實施細節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應當認為這種開發(fā)工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0033]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
[0034]正如【背景技術(shù)】所提及的，現(xiàn)有技術(shù)中的MM電容器經(jīng)常遭遇到電弧放電缺陷，發(fā)明人經(jīng)過大量的研究發(fā)現(xiàn)，產(chǎn)生電弧放電缺陷的原因是由于在上電極形成的過程中，上電極不斷聚集有電荷，由于上電極和下電極之間有著介質(zhì)層的隔離，兩者并不導通，隨著電荷的不斷增加，上電極和下電極之間的電勢差越來越大，由于半導體襯底上形成有標識，標識處的上電極和下電極均具有一尖端，由于尖端處的電場很強，電荷增加到一定程度便會擊穿介質(zhì)層，產(chǎn)生尖端放電，進而形成電弧放電缺陷。
[0035]因此，本發(fā)明的核心思想是:在形成上電極時，先使上電極和下電極短接，在上電極產(chǎn)生電荷時，能夠轉(zhuǎn)移電荷至下電極，使上電極和下電極具有相同的電勢差，從而避免電場形成，防止擊穿介質(zhì)層，保證形成的電容器的性能。
[0036]實施例一
[0037]為了實現(xiàn)上述目的，請參考圖4，在本實施例中提出了一種電容器的制造方法，包括步驟:
[0038]SlOO:提供半導體晶圓100，所述半導體晶圓100設(shè)有前段器件結(jié)構(gòu)和后段金屬連接線結(jié)構(gòu)；
[0039]S200:在所述半導體晶圓100的表面形成一下電極210，如圖