半導(dǎo)體裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)一種半導(dǎo)體裝置及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)制作影像感測器的晶片(例如CMOS)時(shí)，通常會(huì)將玻璃片覆蓋于晶圓(wafer)的表面，用以保護(hù)晶圓，使灰塵不易附著于晶圓的影像感測區(qū)。然而，當(dāng)晶圓切割后形成的晶片使用于電子產(chǎn)品時(shí)，因電子產(chǎn)品通常在對(duì)齊晶片的殼體上會(huì)設(shè)置透光片，而透光片與晶片表面上的玻璃片具有相似的保護(hù)功能。當(dāng)晶圓的表面不具玻璃片時(shí)，雖然可提升透光度，使晶圓切割后的晶片感測影像的能力提升，但因晶圓的厚度很薄，要移動(dòng)已形成球柵陣列的晶圓是相當(dāng)困難的。
[0003]一般而言，可先將玻璃片貼附于晶圓上。玻璃片可提供晶圓支撐力，使晶圓不易因翹曲而破裂。在研磨晶圓減薄后，可經(jīng)由球柵陣列(Ball Grid Array ；BGA)制程于晶圓的表面形成球柵陣列。之后便可將具玻璃片的晶圓放到鐵框的紫外光膠帶上，并將玻璃片從晶圓上移除，以進(jìn)行切割紫外光膠帶的制程。待紫外光膠帶切割后，需將具紫外光膠帶的晶圓放到另一鐵框的切割膠帶上，并照射紫外光以移除紫外光膠帶。最后，于切割膠帶上對(duì)晶圓施以切割制程，而形成多個(gè)晶片。
[0004]然而，在玻璃片從晶圓上移除后，仍是以晶圓尺寸(wafer level)繼續(xù)作后續(xù)制程，因此晶圓的影像感測區(qū)易于制程中被污染，使良率難以提升。為了避免產(chǎn)品受到污染，在玻璃片從晶圓上移除后的制程均需于無塵室中執(zhí)行，因此會(huì)增加無塵室設(shè)備與技術(shù)人員的成本。此外，紫外光膠帶的價(jià)格高，也會(huì)造成制造成本增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的一技術(shù)態(tài)樣為一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。
[0006]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體裝置的制造方法包含下列步驟:a)使用暫時(shí)粘著層將載板貼合于晶圓的第一表面上。b)于晶圓相對(duì)第一表面的第二表面上形成布線層、阻隔層與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，而形成半導(dǎo)體元件。c)從半導(dǎo)體元件的阻隔層切割至載板，使得半導(dǎo)體元件形成至少一子半導(dǎo)體元件。d)將紫外光照射于子半導(dǎo)體元件，使得暫時(shí)粘著層的粘性消失。e)移除子半導(dǎo)體元件的載板。
[0007]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述半導(dǎo)體裝置的制造方法還包含:將半導(dǎo)體元件的載板貼合于框體圍繞的切割膠帶上。
[0008]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述半導(dǎo)體裝置的制造方法還包含:將子半導(dǎo)體元件接合于電路板上，使得導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接電路板。
[0009]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述晶圓的第一表面具有多個(gè)影像感測元件。半導(dǎo)體裝置的制造方法還包含:于晶圓的第一表面形成保護(hù)層，使得影像感測元件由保護(hù)層覆蓋。
[0010]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述晶圓的第一表面具有多個(gè)影像感測元件。步驟a)還包含:控制暫時(shí)粘著層與影像感測元件的接觸位置，使得影像感測元件的頂端與暫時(shí)粘著層點(diǎn)接觸。
[0011]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述晶圓的第一表面具有多個(gè)影像感測元件與圍繞影像感測元件的間隔元件。步驟a)還包含:于間隔元件上貼合暫時(shí)粘著層，使得影像感測元件由暫時(shí)粘著層覆蓋。
[0012]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述步驟c)還包含:從半導(dǎo)體元件的間隔元件切割至載板。
[0013]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述間隔元件相對(duì)第一表面的表面具有凸部。步驟a)還包含:于凸部上貼合暫時(shí)粘著層，使得影像感測元件由暫時(shí)粘著層覆蓋。
[0014]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述半導(dǎo)體裝置的制造方法還包含:移除子半導(dǎo)體元件的暫時(shí)粘著層。
[0015]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，上述半導(dǎo)體裝置的制造方法還包含:將鏡頭模組設(shè)置于暫時(shí)粘著層移除后的子半導(dǎo)體元件上。
[0016]在本發(fā)明上述實(shí)施方式中，在載板通過暫時(shí)粘著層將貼合于晶圓的第一表面上后，晶圓的第二表面可形成布線層、阻隔層與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。接著便可切割晶圓、布線層、阻隔層與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)構(gòu)成的半導(dǎo)體元件，使半導(dǎo)體元件可形成至少一子半導(dǎo)體元件。因此在后續(xù)制程中，即是以晶片尺寸(chip level)來制作半導(dǎo)體裝置。
[0017]由于子半導(dǎo)體元件形成后的制程仍有載板保護(hù)晶圓切割后的晶片，因此晶片上的影像感測元件不易于制程中被污染，使良率得以提升。如此一來，可在將子半導(dǎo)體元件接合于電路板上后，才將子半導(dǎo)體元件照射紫外光，并移除子半導(dǎo)體元件的載板。在載板移除后的制程才需于無塵室中執(zhí)行，因此可降低無塵室設(shè)備與技術(shù)人員的成本。此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法可省略紫外光膠帶的使用，可降低制造成本。
[0018]本發(fā)明的一技術(shù)態(tài)樣為一種半導(dǎo)體裝置。
[0019]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體裝置包含晶片、絕緣層、布線層、阻隔層與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。晶片具有焊墊、凹孔、相對(duì)的第一表面與第二表面。焊墊位于第一表面上。凹孔位于第二表面中。晶片的第一表面具有影像感測元件。絕緣層位于第二表面上與凹孔的孔壁上，使焊墊由凹孔與絕緣層裸露。布線層位于絕緣層與焊墊上，使布線層電性連接焊墊。阻隔層位于布線層上，且部分布線層從阻隔層的開口裸露。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于開口中的布線層上。
[0020]本發(fā)明的一技術(shù)態(tài)樣為一種半導(dǎo)體裝置。
[0021]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體裝置包含晶片、絕緣層、布線層、阻隔層與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。晶片具有焊墊、缺口、相對(duì)的第一表面與第二表面。焊墊位于第一表面上。焊墊的側(cè)壁從缺口裸露，晶片的第一表面具有影像感測元件。絕緣層位于第二表面上與焊墊上，且焊墊的側(cè)壁從絕緣層裸露。布線層位于絕緣層上與焊墊的側(cè)壁上，使布線層與焊墊電性連接。阻隔層位于布線層上，且部分布線層從阻隔層的開口裸露。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于開口中的布線層上。
【附圖說明】
[0022]圖1繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的流程圖。
[0023]圖2繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的載板貼合于晶圓后的示意圖。
[0024]圖3繪示圖2的晶圓形成布線層、阻隔層與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)后的示意圖。
[0025]圖4繪示圖3的半導(dǎo)體元件切割時(shí)的示意圖。
[0026]圖5繪示圖4的子半導(dǎo)體元件從切割膠帶取下后的示意圖。
[0027]圖6繪示圖5的子半導(dǎo)體元件接合于電路板后的示意圖。
[0028]圖7繪示圖6的子半導(dǎo)體元件移除載板時(shí)的示意圖。
[0029]圖8繪示圖7的子半導(dǎo)體元件移除暫時(shí)粘著層時(shí)的示意圖。
[0030]圖9繪示圖8的子半導(dǎo)體元件移除暫時(shí)粘著層后的示意圖。
[0031]圖1OA繪示圖6的子半導(dǎo)體元件的放大剖面圖。
[0032]圖1OB繪示圖4的半導(dǎo)體元件的俯視圖。
[0033]圖11繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的子半導(dǎo)體元件的剖面圖。
[0034]圖12繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的子半導(dǎo)體元件的剖面圖。
[0035]圖13繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的子半導(dǎo)體元件的剖面圖。
[0036]圖14繪示圖9的半導(dǎo)體裝置的一實(shí)施方式。
[0037]圖15繪示圖9的半導(dǎo)體裝置的另一實(shí)施方式。
[0038]圖16繪示圖9的半導(dǎo)體裝置的又一實(shí)施方式。
[0039]其中，附圖中符號(hào)的簡單說明如下:
[0040]100:半導(dǎo)體元件10a:子半導(dǎo)體元件
[0041]100b:子半導(dǎo)體元件100c:子半導(dǎo)體元件
[0042]10d:子半導(dǎo)體元件110:暫時(shí)粘著層
[0043]120:載板130:晶圓
[004