一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯 示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 以薄膜晶體管液晶顯示器（英文全稱(chēng)：ThinFilmTransistor-LiquidCrystal Display-LiquidCrystalDisplay，英文縮寫(xiě)：TFT-IXD)為主導(dǎo)的平板顯示，為了滿足高畫(huà) 質(zhì)的要求，對(duì)高精細(xì)化和高頻驅(qū)動(dòng)等要求也不斷提高。由此對(duì)TFT的電子迀移率提出了更 高的要求，因此使用非晶氧化物制作半導(dǎo)體薄膜晶體管TFT-LCD的重要發(fā)展方向。
[0003] 目前刻蝕阻擋型（英文全稱(chēng)：EtchStopType，英文縮寫(xiě)：ESL)作為氧化物TFT的 常用結(jié)構(gòu)，ESL結(jié)構(gòu)的TFT所用的刻蝕阻擋層一般為SiOx之類(lèi)的有氧絕緣層。S/D(英文： Source/Drain，源/漏）層通過(guò)刻蝕阻擋層上的過(guò)孔與有源層接觸，在顯示面板制作工藝 中，通常在有源層上方制作一層覆蓋陣列基板上所有結(jié)構(gòu)的刻蝕阻擋層，這樣，在制作工序 中需要增加一張Mask(掩膜板）進(jìn)行刻蝕阻擋層的過(guò)孔制作，同時(shí)彩膜基板按照傳統(tǒng)工藝 需要同時(shí)制作黑矩陣（英文全稱(chēng)：BlackMatrix，英文縮寫(xiě)：BM)與像素彩膜，最后對(duì)盒完成 面板制作，現(xiàn)有技術(shù)制作工藝復(fù)雜，并且增加刻蝕阻擋層對(duì)透過(guò)率也會(huì)產(chǎn)生影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置，如何減 少顯示面板的制作工序。
[0005] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：
[0006] -方面，提供一種陣列基板的制作方法，包括：
[0007] 在襯底基板上形成柵線和柵極；
[0008] 形成覆蓋所述柵線和柵極的絕緣層；
[0009] 在絕緣層上對(duì)應(yīng)所述柵極的位置形成有源層；
[0010] 通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成覆蓋所述有源層的刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層為遮光材 料，其中所述刻蝕阻擋層對(duì)應(yīng)像素電極的位置鏤空，所刻蝕阻擋層包括位于所述有源層上 方的第一過(guò)孔和第二過(guò)孔；
[0011] 在所述刻蝕阻擋層上形成導(dǎo)電材料層，并通過(guò)構(gòu)圖工藝在所述刻蝕阻擋層上形成 數(shù)據(jù)線、源極和漏極，其中所述源極通過(guò)第一過(guò)孔與所述有源層連接，所述漏極通過(guò)所述第 二過(guò)孔與所述有源層連接，所述源極還連接所述數(shù)據(jù)線，所述漏極連接像素電極層。
[0012] 可選的，所述刻蝕阻擋層覆蓋所述柵線、所述有源層和所述數(shù)據(jù)線的投影位置。
[0013] 可選的，所述刻蝕阻擋層為黑矩陣BM材料。
[0014] 可選的，所述有源層為非晶氧化物材料。
[0015] 一方面，提供一種陣列基板，包括：
[0016] 襯底基板，位于所述襯底基板上的柵線和柵極；
[0017] 覆蓋所述柵線和柵極的絕緣層；
[0018] 在絕緣層上對(duì)應(yīng)所述柵極的位置的有源層；
[0019] 所述有源層上方的蝕阻擋層，其中所述刻蝕阻擋層為遮光材料，所述刻蝕阻擋層 對(duì)應(yīng)像素電極的位置鏤空，所述刻蝕阻擋層包括位于所述有源層上方的第一過(guò)孔和第二過(guò) 孔；
[0020] 所述刻蝕阻擋層上的數(shù)據(jù)線、源極和漏極，其中所述源極通過(guò)第一過(guò)孔與所述有 源層連接，所述漏極通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述有源層連接，所述源極還連接所述數(shù)據(jù)線，所 述漏極連接像素電極層。
[0021] 可選的，所述刻蝕阻擋層覆蓋所述柵線、所述有源層和所述數(shù)據(jù)線的投影位置。
[0022] 可選的，所述刻蝕阻擋層為黑矩陣BM材料。
[0023] 可選的，所述有源層為非晶氧化物材料。
[0024] 一方面，提供一種顯示面板，包括對(duì)盒的陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板為上 述任一陣列基板，所述彩膜基板的彩膜層僅包括彩膜材料。
[0025] -方面，提供一種顯示裝置，包括上述的顯示面板。
[0026] 上述提供的陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置，在制作的刻蝕阻擋層 采用遮光材料，并且在對(duì)應(yīng)像素電極的位置鏤空，因此彩膜基板無(wú)需制作黑矩陣，能夠節(jié) 省顯示面板的制作工序，此外由于傳統(tǒng)的刻蝕阻擋層為一層覆蓋整個(gè)像素電極區(qū)域的材料 層，而本發(fā)明中的鏤空設(shè)計(jì)因此可以同時(shí)提高顯示面板的透過(guò)率。
【附圖說(shuō)明】
[0027] 為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0028]圖1為本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖2為本發(fā)明的實(shí)施例提供的圖1所述的陣列基板的AB截面的結(jié)構(gòu)示意圖； [0030]圖3為本發(fā)明的實(shí)施例提供圖1所示的陣列基板的CD截面的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031] 圖4為本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法流程示意圖。
[0032] 附圖標(biāo)記：
[0033] 襯底基板-11;
[0034]柵線-12 ;
[0035]柵極-13 ;
[0036]絕緣層-14 ;
[0037]有源層-15 ;
[0038] 刻蝕阻擋層-16 ;
[0039] 像素電極-17;
[0040]第一過(guò)孔-18 ;
[0041]第二過(guò)孔-19;
[0042]數(shù)據(jù)線-20 ;
[0043]源極-21;
[0044]漏極-22。
【具體實(shí)施方式】
[0045] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0046] 本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板，參照?qǐng)D1、2和3所示，包括：襯底基板11，位 于襯底基板11上的柵線12和柵極13 ;
[0047] 覆蓋柵線12和柵極13的絕緣層14;
[0048] 在絕緣層14上對(duì)應(yīng)柵極13的位置的有源層15 ;
[0049] 有源層15上方的刻蝕阻擋層16,其中刻蝕阻擋層16為遮光材料，刻蝕阻擋層16 對(duì)應(yīng)像素電極17的位置鏤空，刻蝕阻擋層16包括位于有源層15上方的第一過(guò)孔18和第 二過(guò)孔19 ;
[0050] 刻蝕阻擋層16上的數(shù)據(jù)線20、源極21和漏極22,其中源極21通過(guò)第一過(guò)孔18 與有源層15連接，漏極22通過(guò)第二過(guò)孔19與有源層15連接，源極21還連接數(shù)據(jù)線20,漏 極22連接像素電極17。
[0051] 上述提供的陣列基板，在制作的刻蝕阻擋層采用遮光材料，并且在對(duì)應(yīng)像素電極 的位置鏤空，因此彩膜基板無(wú)需制作黑矩陣，能夠節(jié)省顯示面板的制作工序，此外由于傳統(tǒng) 的刻蝕阻擋層為一層覆蓋整個(gè)像素電極區(qū)域的材料層，而本發(fā)明中的鏤空設(shè)計(jì)因此可以同 時(shí)提尚顯不面板的透過(guò)率。
[0052] 可選的，刻蝕阻擋層16覆蓋柵線12、有源層15和數(shù)據(jù)線20的投影位置，在現(xiàn)有技 術(shù)中由于液晶顯示面板通常是分別制作陣列基板和彩膜基板，在制作成型后通過(guò)對(duì)盒工藝 形成顯示面板，而對(duì)盒工藝通常存在對(duì)位精度誤差，因此為了避免對(duì)位精度造成彩膜基板 上的BM區(qū)域與陣列基板上像素電極以外的非透光區(qū)域的錯(cuò)位，在彩膜基板的制作工藝中 通常會(huì)考慮BM錯(cuò)位而采用BM的邊緣大于陣列基板上像素電極以外的非透光區(qū)域的設(shè)計(jì)， BM的總成邊緣（英文：Assymargin)通常在8~10微米，這樣使得顯示面板的開(kāi)口率大大 降低，在本申請(qǐng)中由于是直接在陣列基板上制作具有彩膜基板上BM的遮光作用的刻蝕阻 擋層，因此工藝精度可以控制到更小，理想狀態(tài)為刻蝕阻擋層16剛好覆蓋柵線12、有源層 15和數(shù)據(jù)線20的投影位置，陣列基板的制程工藝可以將刻蝕阻擋層的總成邊緣控制在1~ 2微米，進(jìn)而大大提高面板的開(kāi)口率。
[0053] 此外，上述方案中刻蝕阻擋層可以為任意滿足陣列基板制程工藝要求的遮光材 料，這里提供一種優(yōu)選示例，刻蝕阻擋層為黑矩陣BM材料，其中在現(xiàn)有技術(shù)中刻蝕阻擋層 通常采用硅氧化物材料，為了降低基板厚度，通常盡量控制刻蝕阻擋層的厚度，這樣將會(huì)導(dǎo) 致TFT的耦合電容較大，而本申請(qǐng)中采用黑矩陣BM材料制作刻蝕阻擋層，而省去彩膜基板 中的BM層，因此在將刻蝕阻擋層制作為到達(dá)彩膜基板中要求的BM層厚度時(shí)，不僅不會(huì)增加 基板厚度，而且能夠降低寄生電容，示例性的如下給出一組實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)：對(duì)于GI(柵極的絕緣 層）材料：介電常數(shù)e1 = 7,厚度d= 0. 4微米；