對于刻蝕阻擋層：采用氧化硅材料時，材 料介電常數(shù)e2 = 4,厚度d= 0. 2微米；采用BM材料時，材料介電常數(shù)e3 = 4,厚度d= 1. 5微米；根據(jù)電容計算公式C=eS/d，則假設(shè)源漏極與柵極的交疊面積為A;則有總的耦 合電容：C=lAl/CGI+lACgs+Cgd));其中CGI為柵極的絕緣層造成的耦合電容，Cgs為刻 蝕阻擋層在源極造成的耦合電容，Cgd為刻蝕阻擋層在源極造成的耦合電容；將上述數(shù)據(jù) 代入公式得傳統(tǒng)TFT的耦合電容：C1 = 1八1/17. 5A+1/20A)~9. 3A;本申請刻蝕阻擋層采 用BM材料時的耦合電容：C2 = 1八1/17. 5A+3/8A)~1. 8A。明顯，刻蝕阻擋層采用BM材料 后TFT的耦合電容約為原來的1/22,從而有效降低功耗，提高面板響應(yīng)速度。
[0054] 可選的，有源層為非晶氧化物材料，非晶氧化物材料制作的半導(dǎo)體薄膜晶體管，載 流子迀移率是非晶硅的20~30倍，可以大大提高TFT對像素電極的充放電速率，提高像素 的響應(yīng)速度，實現(xiàn)更快的刷新率，同時更快的響應(yīng)也大大提高了像素的行掃描速率，使得超 高分辨率顯示面板成為可能。
[0055] 本發(fā)明的實施例提供一種顯示面板，包括對盒的陣列基板和彩膜基板，陣列基板 為上述實施例提供的任一陣列基板，彩膜基板的彩膜層僅包括彩膜材料。
[0056] 本發(fā)明的實施例提供一種顯示裝置，包括上述實施例提供的顯示面板。該顯示裝 置可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或 者部件。
[0057] 本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板的制作方法，參照圖4所示，用于制作上述實 施例提供的陣列基板，包括如下步驟：
[0058]101、在襯底基板上形成柵線和柵極；
[0059] 具體的步驟101中襯底基板可以米用玻璃基板或樹脂基板，步驟101具體為在襯 底基板上沉積金屬層，通過構(gòu)圖工藝處理得到柵線和柵極。具體可以使用磁控濺射方法，在 襯底基板上制備一層厚度在1000人至7000人的金屬薄膜層。金屬材料通?？梢圆捎勉f、 鋁、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻、或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)。然后， 在金屬層上涂覆光刻膠，用掩模版通過曝光、顯影、刻蝕、剝離等第一次構(gòu)圖工藝處理，在襯 底基板的一定區(qū)域上形成多條橫向的柵線和與柵線相連的柵極；以上使用磁控濺射方法通 過金屬材料制作柵線和柵極只是一種示例，柵線和柵極也可以采用工藝通過其他導(dǎo)電材料 制作。
[0060] 102、形成覆蓋柵線和柵極的絕緣層；
[0061] 可以利用化學(xué)汽相沉積法（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition， PECVD)在柵線、柵極上沉積厚度為1000人至6000人的柵極絕緣層，柵絕緣層的材料通常 是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。
[0062]103、在絕緣層上對應(yīng)柵極的位置形成有源層；
[0063] 可以在絕緣層上利用化學(xué)汽相沉積法沉積厚度為1 〇〇〇人至6〇〇〇人的非晶硅薄 膜和n+非晶硅薄膜，也可以是在絕緣層薄膜之上沉積非晶氧化物薄膜，如金屬氧化物半導(dǎo) 體薄膜；用有源層的掩模版對非晶硅薄膜進(jìn)行曝光，之后對該非晶硅薄膜進(jìn)行干法刻蝕，在 柵極的上方形成有源層。此外，如果是在絕緣層薄膜之上沉積金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜作為 有源層，則對金屬氧化物薄膜進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝即可形成有源層，即在光刻膠涂覆后，用普 通的掩模版對基板進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕形成半導(dǎo)體有源層即可。
[0064] 104、通過一次構(gòu)圖工藝形成覆蓋有源層的刻蝕阻擋層，刻蝕阻擋層為遮光材料， 其中刻蝕阻擋層對應(yīng)像素電極的位置鏤空，刻蝕阻擋層包括位于有源層上方的第一過孔和 第二過孔；
[0065] 其中，刻蝕阻擋層可以采用類似絕緣層的制作工藝形成，具體的步驟104中還包 括通過一次構(gòu)圖工藝將刻蝕阻擋層對應(yīng)像素電極的位置鏤空，并在有源層上方形成用于連 接源極的第一過孔和用于連接漏極的第二過孔?？蛇x的，刻蝕阻擋層覆蓋柵線、有源層和數(shù) 據(jù)線的投影位置?？蛇x的，刻蝕阻擋層為黑矩陣BM材料。在采用黑矩陣材料時，制作刻蝕 阻擋層的BM材料可以通過旋涂工藝涂覆在步驟103之后形成的陣列基板上。
[0066] 105、在刻蝕阻擋層上形成導(dǎo)電材料層，并通過構(gòu)圖工藝在刻蝕阻擋層上形成數(shù)據(jù) 線、源極和漏極。
[0067] 其中源極通過第一過孔與有源層連接，漏極通過第二過孔與有源層連接，源極還 連接數(shù)據(jù)線，漏極連接像素電極。步驟105中可以采用和步驟101中制作柵極和柵線類似 的方式形成數(shù)據(jù)線、源極和漏極。其中，為完成陣列基板的制作，在步驟105之后還包制作 像素電極、取向?qū)拥戎瞥坦に?，本申請中并未對這些特征的結(jié)構(gòu)及工藝進(jìn)行改進(jìn)，這里不再 贅述。
[0068] 上述提供的陣列基板的制作方法，在制作的刻蝕阻擋層采用遮光材料，并且在對 應(yīng)像素電極的位置鏤空，因此彩膜基板無需制作黑矩陣，能夠節(jié)省顯示面板的制作工序，此 外由于傳統(tǒng)的刻蝕阻擋層為一層覆蓋整個像素電極區(qū)域的材料層，而本發(fā)明中的鏤空設(shè)計 因此可以同時提尚顯不面板的透過率。
[0069] 以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何 熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵 蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1. 一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括： 在襯底基板上形成柵線和柵極； 形成覆蓋所述柵線和柵極的絕緣層； 在絕緣層上對應(yīng)所述柵極的位置形成有源層； 通過一次構(gòu)圖工藝形成覆蓋所述有源層的刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層為遮光材料， 其中所述刻蝕阻擋層對應(yīng)像素電極的位置鏤空，所述刻蝕阻擋層包括位于所述有源層上方 的第一過孔和第二過孔； 在所述刻蝕阻擋層上形成導(dǎo)電材料層，并通過一次構(gòu)圖工藝在所述刻蝕阻擋層上形成 數(shù)據(jù)線、源極和漏極，其中所述源極通過第一過孔與所述有源層連接，所述漏極通過所述第 二過孔與所述有源層連接，所述源極還連接所述數(shù)據(jù)線，所述漏極連接像素電極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層覆蓋所述柵線、所述有源 層和所述數(shù)據(jù)線的投影位置。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層為黑矩陣BM材料。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述有源層為非晶氧化物材料。
5. -種陣列基板，其特征在于，包括： 襯底基板，位于所述襯底基板上的柵線和柵極； 覆蓋所述柵線和柵極的絕緣層； 在絕緣層上對應(yīng)所述柵極的位置的有源層； 所述有源層上方的刻蝕阻擋層，其中所述刻蝕阻擋層為遮光材料，所述刻蝕阻擋層對 應(yīng)像素電極的位置鏤空，所述刻蝕阻擋層包括位于所述有源層上方的第一過孔和第二過 孔； 所述刻蝕阻擋層上的數(shù)據(jù)線、源極和漏極，其中所述源極通過第一過孔與所述有源層 連接，所述漏極通過所述第二過孔與所述有源層連接，所述源極還連接所述數(shù)據(jù)線，所述漏 極連接像素電極。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，包括：所述刻蝕阻擋層覆蓋所述柵 線、所述有源層和所述數(shù)據(jù)線的投影位置。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的陣列基板，其特征在于，包括：所述刻蝕阻擋層為黑矩陣 BM材料。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層為非晶氧化物材料。
9. 一種顯示面板，包括對盒的陣列基板和彩膜基板，其特征在于，所述陣列基板為權(quán)利 要求5-8任一項所述的陣列基板，所述彩膜基板的彩膜層僅包括彩膜材料。
10. -種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求9所述的顯示面板。
【專利摘要】本發(fā)明的實施例公開一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，能夠減少顯示面板的制作工序。該陣列基板包括:襯底基板，位于所述襯底基板上的柵線和柵極；覆蓋所述柵線和柵極的絕緣層；在絕緣層上對應(yīng)所述柵極的位置的有源層；所述有源層上方的蝕阻擋層，其中所述刻蝕阻擋層為遮光材料，所述刻蝕阻擋層對應(yīng)像素電極的位置鏤空，所述刻蝕阻擋層包括位于所述有源層上方的第一過孔和第二過孔；所述刻蝕阻擋層上的數(shù)據(jù)線、源極和漏極，其中所述源極通過第一過孔與所述有源層連接，所述漏極通過所述第二過孔與所述有源層連接，所述源極還連接所述數(shù)據(jù)線，所述漏極連接像素電極層。
【IPC分類】H01L27-12, H01L21-34, H01L21-84, H01L29-786
【公開號】CN104867877
【申請?zhí)枴緾N201510166166
【發(fā)明人】肖麗, 王強(qiáng)濤
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司
【公開日】2015年8月26日
【申請日】2015年4月9日