Tft陣列基板、其制作方法、其測試方法及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種TFT陣列基板、其制作方法、其測試方法及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前液晶顯示面板(Liquid Crystal Display，LCD)具有高畫面質(zhì)量、體積小、重量輕等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)電話、筆記本電腦、電視機(jī)以及顯示器等產(chǎn)品中。
[0003]薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)陣列基板中的TFT器件對液晶顯示有著極其重要的作用，TFT器件性能的優(yōu)劣直接影響著液晶顯示品質(zhì)的高低。如圖1所示，TFT陣列基板具有顯示區(qū)域和包圍顯示區(qū)域的周邊區(qū)域(虛線標(biāo)注處)，包括:襯底基板，設(shè)置在襯底基板上的多條橫縱交叉的是柵線01和數(shù)據(jù)線02，以及由柵線01和數(shù)據(jù)線02限定的多個(gè)呈矩陣排列的像素單元，為了改善周邊區(qū)域因取向膜造成的不良以及面板邊緣漏光，在周邊區(qū)域也設(shè)置了 du_y像素單元，該du_y像素單元為閑置的狀態(tài)，不工作。常規(guī)的陣列基板的設(shè)計(jì)及生產(chǎn)過程中，對TFT特性的監(jiān)控是通過對陣列基板周邊空間區(qū)域設(shè)計(jì)的Test Element Group TFT進(jìn)行測試，Test Element Group TFT是分離面板單獨(dú)設(shè)計(jì)，測試數(shù)據(jù)不能反映TFT真實(shí)的特性；而且在制成單個(gè)面板時(shí)，Test Element Group TFT會被切割舍棄；當(dāng)后續(xù)想對產(chǎn)品TFT特性了解時(shí)必須先拆解面板后，經(jīng)過液晶清洗、去除取向膜、基板清洗及烘干等繁瑣過程，在此過程中很容易造成面板的破損，尤其是大尺寸面板，從而無法進(jìn)行測試；經(jīng)過重重對樣品的處理，也會對TFT特性的測試結(jié)果造成不同程度的影響，無法準(zhǔn)確支持產(chǎn)品分析工作。因?yàn)椴鸾夂蟮腡FT陣列基板是與液晶、對向基板分離的，不能真實(shí)反映其工作狀態(tài)，而且與空氣接觸，無法長時(shí)間保存樣品進(jìn)行二次測試。因此，現(xiàn)有的TFT陣列基板無法在生產(chǎn)過程中監(jiān)控TFT器件真實(shí)的特性以及在產(chǎn)品出來后無法直接對TFT特性進(jìn)行測試，使得生產(chǎn)過程中存在隱患，以及對后續(xù)產(chǎn)品分析帶來麻煩。
[0004]因此，如何在生產(chǎn)過程中和產(chǎn)品出來后可以對面板內(nèi)部TFT進(jìn)行監(jiān)控，反映其工作狀態(tài)，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種TFT陣列基板、其制作方法、其測試方法及顯示裝置，可以直接用來測試面板中的測試開關(guān)單元的特性，進(jìn)而用于表征面板內(nèi)部的薄膜晶體管的特性。
[0006]因此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種TFT陣列基板，包括:襯底基板，設(shè)置在所述襯底基板上的位于包圍顯示區(qū)域的周邊區(qū)域內(nèi)橫縱交叉的至少一條測試柵線和至少一條測試數(shù)據(jù)線，以及由所述測試柵線和所述測試數(shù)據(jù)線限定的測試像素單元，還包括:
[0007]所述測試像素單元內(nèi)設(shè)置有測試開關(guān)單元和與所述測試開關(guān)單元對應(yīng)的測試信號線，所述測試開關(guān)單元用于通過所述測試信號線表征顯示區(qū)域內(nèi)TFT特性。
[0008]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述TFT陣列基板中，所述測試開關(guān)單元的第一端與對應(yīng)的所述測試信號線電性相連；
[0009]所述測試開關(guān)單元的第二端與對應(yīng)的所述測試數(shù)據(jù)線電性相連；
[0010]所述測試開關(guān)單元的控制端與對應(yīng)的所述測試柵線電性相連。
[0011]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述TFT陣列基板中，還包括:依次設(shè)置在所述襯底基板上且位于所述測試像素單元內(nèi)的源漏極金屬層，絕緣層和像素電極層；其中，
[0012]所述源漏極金屬層與所述測試信號線電性相連；
[0013]所述像素電極層分別通過過孔與所述源漏極金屬層和所述測試開關(guān)單元的第一端電性相連。
[0014]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述TFT陣列基板中，所述源漏極金屬層與所述測試信號線同層設(shè)置。
[0015]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述TFT陣列基板中，所述測試開關(guān)單元的第一端與所述測試信號線的一端直接接觸。
[0016]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述TFT陣列基板中，所述測試信號線與所述測試數(shù)據(jù)線同層設(shè)置且相互平行。
[0017]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種本發(fā)明實(shí)施例提供的上述TFT陣列基板的制作方法，包括:
[0018]通過同一構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成包括測試柵線和測試開關(guān)單元的控制端的圖形；其中，所述測試開關(guān)單元的控制端與對應(yīng)的測試柵線電性相連；
[0019]通過同一構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成包括測試數(shù)據(jù)線，測試開關(guān)單元的第一端和第二端，以及測試信號線的圖形；其中，所述測試開關(guān)單元的第一端與對應(yīng)的測試信號線電性相連，所述測試開關(guān)單元的第二端與對應(yīng)的測試數(shù)據(jù)線電性相連。
[0020]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述TFT陣列基板的制作方法中，形成所述測試開關(guān)單元的第一端，以及與所述測試開關(guān)單元的第一端電性相連的信號測試線的圖形，具體包括:
[0021]通過同一構(gòu)圖工藝形成所述測試開關(guān)單元的第一端，源漏極金屬層，以及與源漏極金屬層直接接觸的測試信號線；
[0022]在所述源漏極金屬層上依次形成絕緣層和像素電極層，所述像素電極層通過過孔分別與所述源漏極金屬層和所述測試開關(guān)單元的第一端電性相連。
[0023]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述TFT陣列基板的制作方法中，形成所述測試開關(guān)單元的第一端，以及與所述測試開關(guān)單元的第一端電性相連的信號測試線的圖形，具體包括:
[0024]通過同一構(gòu)圖工藝形成所述測試開關(guān)單元的第一端，以及與所述測試開關(guān)單元的第一端直接接觸的測試信號線。
[0025]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種本發(fā)明實(shí)施例提供的上述TFT陣列基板的測試方法，包括:
[0026]通過測試柵線將控制信號傳送至位于周邊區(qū)域的測試像素單元內(nèi)設(shè)置的測試開關(guān)單元；
[0027]通過測試數(shù)據(jù)線將輸入信號傳送至所述測試開關(guān)單元；
[0028]由所述測試開關(guān)單元通過測試信號線輸出攜帶測試開關(guān)單元特性數(shù)據(jù)的輸出信號。
[0029]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述TFT陣列基板。
[0030]本發(fā)明實(shí)施例的有益效果包括:
[0031]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT陣列基板、其制作方法、其測試方法及顯示裝置，包括:襯底基板，設(shè)置在襯底基板上的位于包圍顯示區(qū)域的周邊區(qū)域內(nèi)橫縱交叉的至少一條測試柵線和至少一條測試數(shù)據(jù)線，以及由測試柵線和測試數(shù)據(jù)線限定的像素單元，像素單元內(nèi)設(shè)置有測試開關(guān)單元和與測試開關(guān)單元對應(yīng)的測試信號線，測試開關(guān)單元用于通過測試信號線表征顯示區(qū)域內(nèi)TFT特性。這樣，在不破壞面板的情況下，可以直接利用測試柵線、測試數(shù)據(jù)線和測試信號線來測試面板中的測試開關(guān)單元的特性，進(jìn)而用于表征面板內(nèi)部的薄膜晶體管的特性。
【附圖說明】
[0032]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之一；
[0034]圖3為圖2中局部放大圖；
[0035]圖4為圖3沿A-A’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之二 ；
[0037]圖6為圖5中局部放大圖；
[0038]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板的制作方法流程圖之一；
[0039]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板的制作方法流程圖之二 ；
[0040]圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板的制作方法流程圖之三。
【具體實(shí)施方式】
[0041]下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板、其制作方法、其測試方法及顯示裝置的