一半導(dǎo)體層54上方，第二半導(dǎo)體層56可為P型半導(dǎo)體化合物層，例如為氮化鎵或氮化銦鎵。通過第一半導(dǎo)體層54與第二半導(dǎo)體層56相結(jié)合，使η型半導(dǎo)體化合物層與P型半導(dǎo)體化合物層之間的電子電洞對的結(jié)合而發(fā)光，使第一半導(dǎo)體層54與第二半導(dǎo)體層56形成一發(fā)光層而發(fā)光。
[0045]導(dǎo)電層58為一透明導(dǎo)電層，導(dǎo)電層的材料是選自于鎳/金、氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、透明導(dǎo)電黏劑、氧化鋅及上述組任意組合的其中之一。導(dǎo)電層58以氧化銦錫為例，氧化銦錫具有透明及導(dǎo)電的特性，因此適合作為第二金屬電極64與第二半導(dǎo)體層56之間連接。導(dǎo)電層58用以將外部供應(yīng)的電流均勻分布，以避免電流集中產(chǎn)生的能耗。第一金屬電極62是與η型第一半導(dǎo)體層54形成歐姆接觸，作為η型的接觸層以連接至外部電源的一負極，第二金屬電極64連接與P型第二半導(dǎo)體層56并與接上外部電源的一正極。
[0046]本發(fā)明的透光導(dǎo)電延伸件72的材料為導(dǎo)電材料，導(dǎo)電材料是選自鎳、金、鋁、銀、鉑、鉻、鈀、錫、鋅、鈦、鉛、鍺、銅及上述組任意組合的其中之一。故通過透光導(dǎo)電延伸件72可讓導(dǎo)通于第二金屬電極64的電流分流至透光導(dǎo)電延伸件72，在通過透光導(dǎo)電延伸件72以將電流傳導(dǎo)于第二半導(dǎo)體層56，可提高電流均勻分布，進而提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率均勻性。透光導(dǎo)電延伸件的透光度大于10%，更佳者為透光度大于30%，且透光導(dǎo)電延伸件72的厚度小于500 (埃公尺)，更佳者為厚度小于300 (埃公尺)。另外，透光導(dǎo)電延伸件72設(shè)于導(dǎo)電層58上方并與第二金屬電極64相接設(shè)，透光導(dǎo)電延伸件72設(shè)于第二金屬電極64的側(cè)邊，透光導(dǎo)電延伸件72本身透光，故當(dāng)發(fā)光二極管發(fā)光時，光線不會被透光導(dǎo)電延伸件72所阻擋，因此通過透光導(dǎo)電延伸件72可減少發(fā)光二極管所發(fā)的光線被第二金屬電極64所遮蔽的情形，如此還可提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
[0047]圖3為本發(fā)明另一較佳實施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，請參閱圖3，此實施例不同于圖2的實施例在于第二金屬電極64與透光導(dǎo)電延伸件72的設(shè)置方式不同。圖2的透光導(dǎo)電延伸件72是設(shè)于導(dǎo)電層58，且圖2的透光導(dǎo)電延伸件72與第二金屬電極64相連接；而此實施例先將透光導(dǎo)電延伸件72設(shè)置于導(dǎo)電層58的上方，并且將第二金屬電極64設(shè)置于透光導(dǎo)電延伸件72的上方，可提高該第二金屬電極64與該透光導(dǎo)電延伸件72的接觸面積，可讓電流均勻分布，還可讓第二金屬電極64與透光導(dǎo)電延伸件72便于設(shè)置于導(dǎo)電層58。
[0048]圖4為本發(fā)明另一較佳實施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，請參閱圖4，此實施例與圖2的實施例相較之下，此實施例還包含一反射件80，反射件80設(shè)于第二金屬電極64下方。由于第二金屬電極64會吸收部份光線，故此實施例是于第二金屬電極64下方設(shè)置反射件，以避免第二金屬電極64吸收部份光線，如此還提升發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
[0049]圖5為本發(fā)明另一較佳實施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，請參閱圖5，此實施例與圖2的實施例相較之下，此實施例還包含一絕緣件82，絕緣件82設(shè)于第二半導(dǎo)體層56上方并與第二金屬電極64相對。絕緣件82的面積可大于第二金屬電極64的面積，絕緣件82的至少一邊長長度大于第二金屬電極64的相對邊長長度I微米以上，或是絕緣件82的總邊長長度大于第二金屬電極64的總邊長長度2微米以上。如此當(dāng)?shù)诙饘匐姌O64導(dǎo)通電流時，電流將由第二金屬電極64往第二半導(dǎo)體層56傳導(dǎo)，而此實施例的絕緣件82位于導(dǎo)電層58與第二半導(dǎo)體層56之間，用以遮蔽第二半導(dǎo)體層56位于第二金屬電極64的正下方所通過的電流，讓第二半導(dǎo)體層56其他位置所通電流增加。
[0050]由于第二金屬電極64并非透光的材料，因此第二金屬電極64會吸收發(fā)光二極管所發(fā)的光線而影響發(fā)光效率。因此若能使第二金屬電極64的正下方的發(fā)光效率降低，以減少電流導(dǎo)通至第二金屬電極64的正下方，以讓第二金屬電極64的正下方之外的發(fā)光效率提升。此實施例在配合透光導(dǎo)電延伸件72可讓電流均勻分布，以避免電流集中產(chǎn)生的能耗，如此還可提升發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的發(fā)光效率均勻性。
[0051]圖6為本發(fā)明另一較佳實施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，請參閱圖6，此實施例與圖5的實施例相較之下，此實施例還包含一絕緣延伸件84，絕緣延伸件84設(shè)于第二半導(dǎo)體層56上方并接設(shè)于絕緣件82，絕緣延伸件84與透光導(dǎo)電延伸件72相對。絕緣延伸件84的面積大于透光導(dǎo)電延伸件72的面積。如此當(dāng)?shù)诙饘匐姌O64導(dǎo)通電流時，電流將由第二金屬電極64往第二半導(dǎo)體層56傳導(dǎo)，并且電流由第二金屬電極64往會透光導(dǎo)電延伸件72分流。
[0052]此實施例除了通過絕緣件82與透光導(dǎo)電延伸件72以提高發(fā)光效率之外，此實施例還在透光導(dǎo)電延伸件72的下方設(shè)置絕緣延伸件84，通過絕緣延伸件84以減少發(fā)光二極管所發(fā)的光線被遮蔽，以讓電流均勻分布。
[0053]圖7為本發(fā)明另一較佳實施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，請參閱圖7，此實施例與圖5的實施例相較之下，此實施例設(shè)置反射件80，反射件80設(shè)于絕緣件82的下方。如此可將絕緣件82下方的光線反射，進而減少絕緣件82吸收光線的情形發(fā)生，如此還可提升發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
[0054]綜上所述，本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)包含一基板、一第一半導(dǎo)體層、一第一金屬電極、一第二半導(dǎo)體層、一導(dǎo)電層與一第二金屬電極與至少一透光導(dǎo)電延伸件，第一半導(dǎo)體層設(shè)于基板上方，第一金屬電極設(shè)于第一半導(dǎo)體層上方，第二半導(dǎo)體層設(shè)于第一半導(dǎo)體層上方，導(dǎo)電層設(shè)于第二半導(dǎo)體層上方，第二金屬電極設(shè)于導(dǎo)電層上方，透光導(dǎo)電延伸件設(shè)于導(dǎo)電層上方并與第二金屬電極相接設(shè)，透光導(dǎo)電延伸件的材料為一導(dǎo)電材料。通過透光導(dǎo)電延伸件可減少發(fā)光二極管所發(fā)的光線被遮蔽的情形，也可讓電流均勻分布，進而提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
[0055]最后應(yīng)說明的是:以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的范圍。
【主權(quán)項】
1.一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)包括: 基板； 第一半導(dǎo)體層，位于所述基板上； 第一金屬電極； 第二半導(dǎo)體層，位于部分所述第一半導(dǎo)體層上，且所述第一金屬電極位于所述第二半導(dǎo)體層所暴露的所述第一半導(dǎo)體層上； 導(dǎo)電層，位于所述第二半導(dǎo)體層上方； 第二金屬電極，位于部分所述導(dǎo)電層上方，且所述導(dǎo)電層位于所述第二金屬電極及所述第二半導(dǎo)體層之間；以及 至少一透光導(dǎo)電延伸件，至少位于所述導(dǎo)電層上，且所述至少一透光導(dǎo)電延伸件連接所述第二金屬電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括絕緣件，所述絕緣件位于所述第二半導(dǎo)體層上，所述第二金屬電極位于所述絕緣件上方，且所述導(dǎo)電層位于所述第二金屬電極及所述絕緣件之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述絕緣件的面積大于所述第二金屬電極的面積。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一絕緣延伸件，所述絕緣延伸件位于所述第二半導(dǎo)體層上并與所述絕緣件連接，所述透光導(dǎo)電延伸件位于所述絕緣延伸件上方。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述絕緣延伸件的面積大于所述透光導(dǎo)電延伸件的面積。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一反射件，所述反射件位于所述第二半導(dǎo)體層及所述絕緣件之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述透光導(dǎo)電延伸件的材料是選自鎳、金、鋁、銀、鉑、鉻、鈀、錫、鋅、鈦、鉛、鍺、銅及上述組任意組合的其中之一。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述透光導(dǎo)電延伸件設(shè)于所述第二金屬電極側(cè)邊。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述第二金屬電極位于所述透光導(dǎo)電延伸件上，且部分所述透光導(dǎo)電延伸件位于所述第二金屬電極及所述導(dǎo)電層之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述導(dǎo)電層為一透明導(dǎo)電層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一反射件，所述反射件位于所述第二金屬電極及所述導(dǎo)電層之間。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包含一基板、一第一半導(dǎo)體層、一第一金屬電極、一第二半導(dǎo)體層、一導(dǎo)電層與一第二金屬電極與至少一透光導(dǎo)電延伸件，其揭示該透光導(dǎo)電延伸件設(shè)于導(dǎo)電層上方，并與第二金屬電極相接設(shè)，透光導(dǎo)電延伸件的材料為一導(dǎo)電材料。通過透光導(dǎo)電延伸件可減少發(fā)光二極管所發(fā)的光線被遮蔽或吸收的情形，也可讓電流均勻分布，進而提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
【IPC分類】H01L33-42
【公開號】CN104868032
【申請?zhí)枴緾N201510270591
【發(fā)明人】黃靖恩, 羅信汯, 林子晹
【申請人】新世紀光電股份有限公司
【公開日】2015年8月26日
【申請日】2011年12月19日
【公告號】CN102569580A, CN102569580B