晶圓缺陷檢測方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種晶圓缺陷檢測方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體器件工藝的發(fā)展，缺陷檢測已經(jīng)成為提升半導(dǎo)體良率一項不可或缺的手段。目前的缺陷檢測方法都只適合對單片晶圓(wafer)上的缺陷(defect)進行識別，但是如果晶圓與晶圓之間存在的缺陷就很難識別出來，例如，如果某一晶圓比同一批次(lot)的其它晶圓相比少長了一層膜(film)，現(xiàn)有的檢測方法檢測出來的缺陷分布圖(defectmap)都是正常的，因此無法檢測出某一晶圓的異常情況。
[0003]例如，在現(xiàn)有技術(shù)中，在進行鋁刻蝕工藝之后，檢測機臺使用現(xiàn)有的檢測方法進行檢測，如圖1所示，正常晶圓的缺陷分布圖沒有出現(xiàn)異常情況；如果問題晶圓少沉積了一層鋁膜，檢測機臺使用現(xiàn)有的檢測方法對問題晶圓進行檢測后，問題晶圓的缺陷分布圖也沒有出現(xiàn)異常情況，如圖2所示。所以，現(xiàn)有技術(shù)無法檢測出晶圓之間的異常情況，從而不能滿足檢測的需要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于，提供一種晶圓缺陷檢測方法，能檢測出晶圓之間的異常情況，提聞檢測的準(zhǔn)確性。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種晶圓缺陷檢測方法，包括:
[0006]提供一標(biāo)準(zhǔn)晶圓，根據(jù)所述標(biāo)準(zhǔn)晶圓上的多個標(biāo)準(zhǔn)芯片建立一虛擬層間標(biāo)準(zhǔn)芯片;
[0007]獲取一待測晶圓的待測芯片，所述待測芯片與標(biāo)準(zhǔn)芯片的大小相等；
[0008]將所述待測芯片與虛擬層間標(biāo)準(zhǔn)芯片進行比較，根據(jù)比較結(jié)果判斷所述待測晶圓是否正常。
[0009]進一步地，所述提供一標(biāo)準(zhǔn)晶圓，根據(jù)所述標(biāo)準(zhǔn)晶圓上的多個標(biāo)準(zhǔn)芯片建立一虛擬層間標(biāo)準(zhǔn)芯片的步驟包括:
[0010]從所述標(biāo)準(zhǔn)晶圓上抽樣產(chǎn)生多個標(biāo)準(zhǔn)芯片，每一所述標(biāo)準(zhǔn)芯片的相同位置均具有一標(biāo)準(zhǔn)像素點；
[0011]根據(jù)多個所述標(biāo)準(zhǔn)像素點的灰度值，得到一虛擬層間標(biāo)準(zhǔn)值；
[0012]所述虛擬層間標(biāo)準(zhǔn)芯片包括所述虛擬層間標(biāo)準(zhǔn)值。
[0013]進一步地，所述標(biāo)準(zhǔn)晶圓具有四個象限，每一所述象限內(nèi)具有至少一個所述標(biāo)準(zhǔn)
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[0014]進一步地，所述標(biāo)準(zhǔn)晶圓具有多個曝光區(qū)，在所述曝光區(qū)的不同位置上產(chǎn)生至少兩個所述標(biāo)準(zhǔn)芯片。
[0015]進一步地，所述標(biāo)準(zhǔn)晶圓具有多個環(huán)形區(qū)，每一所述環(huán)形區(qū)內(nèi)具有至少一個所述標(biāo)準(zhǔn)芯片。
[0016]進一步地，所述標(biāo)準(zhǔn)晶圓上抽樣產(chǎn)生至少三個所述標(biāo)準(zhǔn)芯片，去掉最大的所述標(biāo)準(zhǔn)像素點的灰度值和最少的所述標(biāo)準(zhǔn)像素點的灰度值，剩余的所述標(biāo)準(zhǔn)像素點的灰度值取平均值，得到所述虛擬層間標(biāo)準(zhǔn)值。
[0017]進一步地，將所述待測芯片與虛擬層間標(biāo)準(zhǔn)芯片進行比較，根據(jù)比較結(jié)果判斷所述待測晶圓是否正常的步驟包括:
[0018]所述待測芯片上具有與所述標(biāo)準(zhǔn)像素點相對應(yīng)的待測像素點；
[0019]檢測所述待測像素點的灰度值，將所述待測像素點的灰度值與所述虛擬層間標(biāo)準(zhǔn)芯片進行比較，得到一層間灰度差值；
[0020]將所述層間灰度差值與一層間灰度范圍進行比較，如果所述層間灰度差值在所述層間灰度范圍內(nèi)，則所述待測晶圓符合所述標(biāo)準(zhǔn)晶圓的標(biāo)準(zhǔn)；如果所述層間灰度差值超出所述層間灰度范圍，則所述待測晶圓不符合所述標(biāo)準(zhǔn)晶圓的標(biāo)準(zhǔn)。
[0021]進一步地，所述層間灰度范圍的取值范圍為O?X，其中，10彡X彡100。
[0022]進一步地，所述晶圓缺陷檢測方法還包括:
[0023]從所述待測晶圓上抽樣產(chǎn)生多個待測晶圓芯片，每一所述待測晶圓芯片的相同位置均具有一晶圓像素點，所述待測芯片與待測晶圓芯片的大小相等；
[0024]根據(jù)多個所述晶圓像素點的灰度值，得到一虛擬晶圓標(biāo)準(zhǔn)值；
[0025]將所述待測芯片與虛擬晶圓標(biāo)準(zhǔn)值進行比較，根據(jù)比較結(jié)果判斷所述待測晶圓是否正常。
[0026]進一步地，所述待測晶圓具有四個象限，每一所述象限內(nèi)具有至少一個所述待測晶圓芯片。
[0027]進一步地，所述待測晶圓具有多個曝光區(qū)，在所述曝光區(qū)的不同位置上產(chǎn)生至少兩個所述待測晶圓芯片。
[0028]進一步地，所述待測晶圓具有多個環(huán)形區(qū)，每一所述環(huán)形區(qū)內(nèi)具有至少一個所述待測晶圓芯片。
[0029]進一步地，所述待測晶圓上抽樣產(chǎn)生至少三個待測標(biāo)準(zhǔn)芯片，去掉最大的所述待測像素點的灰度值和最小的所述待測像素點的灰度值，剩余的所述待測像素點的灰度值取平均值，得到所述待測層間標(biāo)準(zhǔn)值。
[0030]進一步地，將所述待測芯片與虛擬晶圓標(biāo)準(zhǔn)值進行比較，根據(jù)比較結(jié)果判斷所述待測晶圓是否正常的步驟包括:
[0031]所述待測芯片上具有與所述晶圓像素點相對應(yīng)的待測像素點；
[0032]檢測所述待測像素點的灰度值，將所述待測像素點的灰度值與所述虛擬晶圓標(biāo)準(zhǔn)芯片進行比較，得到一晶圓灰度差值；
[0033]將所述晶圓灰度差值與一晶圓灰度范圍進行比較，如果所述晶圓灰度差值在所述晶圓灰度范圍內(nèi)，則所述待測晶圓符合所述待測晶圓缺陷的標(biāo)準(zhǔn)；如果所述晶圓灰度差值超出所述晶圓灰度范圍，則所述待測晶圓不符合所述待測晶圓缺陷的標(biāo)準(zhǔn)。
[0034]進一步地，所述晶圓灰度范圍的取值范圍為O?y，其中，1SyS 100。
[0035]進一步地，所述晶圓缺陷檢測方法還包括:
[0036]將所述晶圓灰度差值與層間灰度差值進行比較，得到一概率差值；
[0037]將所述概率差值與一概率標(biāo)準(zhǔn)范圍進行比較，如果所述概率差值在所述概率標(biāo)準(zhǔn)范圍內(nèi)，則所述待測晶圓正常；如果所述概率差值超出所述概率標(biāo)準(zhǔn)范圍，則所述待測晶圓異常。
[0038]進一步地，所述晶圓灰度范圍的取值范圍為O?z，其中，I彡z ( 50。
[0039]進一步地，所述虛擬層間標(biāo)準(zhǔn)芯片存儲在一檢測機臺的主程式中。
[0040]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的晶圓缺陷檢測方法具有以下優(yōu)點:
[0041]在本發(fā)明提供的晶圓缺陷檢測方法中，首先，提供一標(biāo)準(zhǔn)晶圓，根據(jù)所述標(biāo)準(zhǔn)晶圓上的多個標(biāo)準(zhǔn)芯片建立一虛擬層間標(biāo)準(zhǔn)芯片；然后，獲取一待測晶圓的待測芯片，所述待測芯片與標(biāo)準(zhǔn)芯片的大小相等；最后，將所述待測芯片與虛擬層間標(biāo)準(zhǔn)芯片進行比較，根據(jù)比較結(jié)果判斷所述待測晶圓是否正常。與現(xiàn)有技術(shù)相比，對所述待測芯片與虛擬層間標(biāo)準(zhǔn)芯片進行比較，當(dāng)所述待測芯片與標(biāo)準(zhǔn)晶圓存在明顯差異時，可以方便地檢測出來，從而準(zhǔn)確地檢測出晶圓之間的差異，確保檢測的準(zhǔn)確性。
【附圖說明】
[0042]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中正常晶圓的缺陷分布圖；
[0043]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中問題晶圓的缺陷分布圖；
[0044]圖3為本發(fā)明一實施例中晶圓缺陷檢測方法的流程圖；
[0045]圖4為本發(fā)明一實施例中標(biāo)準(zhǔn)晶圓上標(biāo)準(zhǔn)芯片的不意圖；
[0046]圖5為本發(fā)明另一實施例中標(biāo)準(zhǔn)晶圓上標(biāo)準(zhǔn)芯片的不意圖；
[0047]圖6為本發(fā)明又一實施例中標(biāo)準(zhǔn)晶圓上標(biāo)準(zhǔn)芯片的不意圖；
[0048]圖7為本發(fā)明又一實施例中標(biāo)準(zhǔn)芯片中標(biāo)準(zhǔn)像素點的示意圖；
[0049]圖8為本發(fā)明一實施例中待測芯片中待測像素點的示意圖。
【具體實施方式】
[0050]下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的晶圓缺陷檢測方法進行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。
[0051]為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因為它們會使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須做出大量實施細(xì)節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費時間的，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0052]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
[0053]本發(fā)明的核心思想在于，提供一種晶圓缺陷檢測方法，包括:
[0054]步驟Sll:提供一標(biāo)準(zhǔn)晶圓，根據(jù)所述標(biāo)準(zhǔn)晶圓上的多個標(biāo)準(zhǔn)芯片建立一虛擬層間標(biāo)準(zhǔn)芯片；
[0055]步驟S12:獲取一待測晶圓的待測芯片，所述待測芯片與標(biāo)準(zhǔn)芯片的大小相等；
[0056]步驟S13:將所述待測芯片與虛擬層間標(biāo)準(zhǔn)芯片進行比較，根據(jù)比較結(jié)果判斷所述待測晶圓是否正常。
[0057]與現(xiàn)有技術(shù)相比，對所述待測芯片與虛擬層間標(biāo)準(zhǔn)芯片進行比較，當(dāng)所述待測芯片與標(biāo)準(zhǔn)晶圓存在明顯差異時，可以方便地檢測出來，從而準(zhǔn)確地檢測出晶圓之間的差異，確保檢測的準(zhǔn)確性。
[0058]以下列舉所述晶