損試驗后的頂端面50的位置。 測定初始狀態(tài)下的倒角部13c的開口尺寸L與加速磨損試驗后的倒角部13c的開口尺 寸L'，通過使用下式求出耐磨性從而進(jìn)行耐磨性的評價。
[算式引
另外，在開口尺寸L與開口尺寸L'的測定中，使用了數(shù)字顯微鏡（例如，日本KEYENCE，VW-6000)0
[0086] 表1~表3中表示耐磨性的評價結(jié)果。
[表1]
如表1所示，對實施例1~4及對比例1、2實施了孔隙及耐磨性的評價。在實施例1~ 4及對比例1、2中，氧化侶的比例為97.46wt%W上。在實施例1~4及對比例1、2中，作 為金屬氧化物選擇了氧化儀、二氧化錯、及氧化錠中的至少任意一種。金屬氧化物的比例為 lOOppmW上400ppmW下。在實施例1~4及對比例1、2中添加了氧化銘。氧化銘的比例 為 0. 5wt%W上 2. 5wt%W下。
[0087] 從表1可W看出，在孔隙的占有率為90ppm W下時，能夠使焊接劈刀的耐磨性提 高。為了使耐磨性更加提高，更優(yōu)選孔隙的占有率為52ppm W下，進(jìn)一步優(yōu)選孔隙的占有率 為22ppm W下。
[00蝴從表1可W看出，在每單位面積的3ymW上的孔隙數(shù)為13個/mm2W下時，能夠 使焊接劈刀的耐磨性提高。為了使耐磨性更加提高，更優(yōu)選每單位面積的3ymW上的孔隙 數(shù)為7個/mm2W下，進(jìn)一步優(yōu)選每單位面積的3ymW上的孔隙數(shù)為3個/mm2W下。
[0089] 另外，在本申請說明書中，氧化侶、金屬氧化物、及氧化銘的"比例"是指，在焊接劈 刀被制造之后的狀態(tài)下，使用巧光X射線分析裝置、電感禪合等離子體發(fā)光分光分析裝置 測定的氧化侶、金屬氧化物、及氧化銘的各自的比例（wt%或ppm)。
[0090][表引
如表2所示，對實施例5~8及對比例3,實施了氧化侶的結(jié)晶粒子的平均粒徑、氧化 侶的結(jié)晶粒子的平均粒徑分布的標(biāo)準(zhǔn)偏差、氧化侶的結(jié)晶粒子的粒徑分布的變動系數(shù)、及 耐磨性的評價。在實施例5~8及對比例3中，氧化侶的比例為97.46wt%W上。在實施 例5~8及對比例3中，作為金屬氧化物選擇了氧化儀、二氧化錯、及氧化錠中的至少任意 一種。金屬氧化物的比例為10化pmw上40化pmw下。在實施例5~8及對比例3中添加 了氧化銘。氧化銘的比例為0. 5wt% W上2. 5wt% W下。
[0091] 從表2可W看出，在氧化侶的結(jié)晶粒子的平均粒徑為0. 68 ym W下時，能夠使焊 接劈刀的耐磨性提高。為了使耐磨性更加提高，更優(yōu)選氧化侶的結(jié)晶粒子的平均粒徑為 0. 42Wm下，進(jìn)一步優(yōu)選氧化侶的結(jié)晶粒子的平均粒徑為0. 35Wm下。
[0092] 從表2可W看出，在氧化侶的結(jié)晶粒子的粒徑分布的變動系數(shù)為0. 49W下時，能 夠使焊接劈刀的耐磨性提高。為了使耐磨性更加提高，更優(yōu)選氧化侶的結(jié)晶粒子的粒徑分 布的變動系數(shù)為0. 45W下，進(jìn)一步優(yōu)選氧化侶的結(jié)晶粒子的粒徑分布的變動系數(shù)為0. 40 W下。
[009引另外，在實施例5~8中，孔隙的占有率為67ppmW下，每單位面積的3ymW上的 孔隙數(shù)為10個/mm2W下。在對比例3中，孔隙的占有率為213ppm，每單位面積的3ymW 上的孔隙數(shù)為30個/mm2。
[0094][表引
如表3所示，對實施例9~13及對比例4、5,實施了維氏硬度及耐磨性的評價。
[0095] 從表3可W看出，在維氏硬度為2093HV時，能夠使焊接劈刀的耐磨性提高。為了 使耐磨性更加提高，更優(yōu)選維氏硬度為2121HVW上，進(jìn)一步優(yōu)選維氏硬度為2163HVW上。
[0096] 從表3可W看出，在氧化侶的比例為96. 94wt%W上時，能夠使焊接劈刀的耐磨性 提高。為了使耐磨性更加提高，更優(yōu)選氧化侶的比例為98. 98wt%W上。
[0097] 從表3可W看出，在氧化儀的比例為50ppm W上60化pm W下時，能夠使焊接劈刀 的耐磨性提高。為了使耐磨性更加提高，更優(yōu)選氧化儀的比例為50ppm W上2(K)ppm W下。 金屬氧化物不局限于氧化儀，既可W是元素周期表第3A族的錠的氧化物（氧化錠），也 可W是元素周期表第4A族的錯的氧化物（二氧化錯）。即使在該種情況下，也能夠使焊接 劈刀的耐磨性提高。此外，金屬氧化物不局限于氧化儀、氧化錠、及二氧化錯，也可W是可期 待與該些氧化物具有同等效果的屬于元素周期表第2A族、第3A族、及第4A族的其他金屬 元素的氧化物。
[009引從表3可W看出，在氧化銘的比例為0.1 wt%W上3. Owt%W下時，能夠使焊接劈 刀的耐磨性提高。為了使耐磨性更加提高，更優(yōu)選氧化銘的比例為0.lwt%W上2.0wt%W 下，進(jìn)一步優(yōu)選氧化銘的比例為0.lwt%W上l.0wt%W下。
[0099]另外，在實施例9~13中，孔隙的占有率為67ppmW下，每單位面積的3ymW上 的孔隙數(shù)為10個/mm2W下。在對比例4、5中，孔隙的占有率為24化pm，每單位面積的3ym W上的孔隙數(shù)為34個/mm2。
[0100] W上，對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行了說明。但是，本發(fā)明并不局限于該些記述內(nèi)容。 只要具備本發(fā)明的特征，則本領(lǐng)域技術(shù)人員對前述的實施方式適當(dāng)加W設(shè)計變更后的技術(shù) 也包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。 例如，焊接劈刀的形態(tài)、制造工序等不局限于所例示的內(nèi)容，可W進(jìn)行適當(dāng)變更。
[0101] 此外，只要技術(shù)上可行，前述各實施方式所具備的各要素可W進(jìn)行組合，只要包含 本發(fā)明的特征，則組合了該些內(nèi)容的技術(shù)也包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0102] 根據(jù)本發(fā)明的形態(tài)，可提供能夠?qū)崿F(xiàn)耐磨性提高的焊接劈刀。 符號說明
[0103] 10、10a-王體部；11-圓同部；1Ih-孔；12-圓錐臺部；13-瓶頸部；13c-倒角部； 50-頂端面；llOUlOa-焊接劈刀；200、210-結(jié)晶粒子；250-引線。
【主權(quán)項】
1. 一種焊接劈刀，其特征在于，包含以氧化鋁的結(jié)晶為主相的多結(jié)晶陶瓷，所述多結(jié)晶 陶瓷中的孔隙的占有率為90ppm以下，并且直徑在3ym以上的孔隙為13個/mm2以下。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接劈刀，其特征在于，所述氧化鋁的結(jié)晶粒子的平均粒徑 為0. 68ym以下。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接劈刀，其特征在于，所述氧化鋁的結(jié)晶粒子的平均粒徑 為0. 35ym以下。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接劈刀，其特征在于，所述氧化鋁的結(jié)晶粒子的粒徑分布 的變動系數(shù)為0.49以下。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接劈刀，其特征在于，所述氧化鋁的結(jié)晶粒子的粒徑分布 的變動系數(shù)為0.40以下。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接劈刀，其特征在于，所述多結(jié)晶陶瓷的維氏硬度為 2093HV以上。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接劈刀，其特征在于，所述多結(jié)晶陶瓷的維氏硬度為 2163HV以上。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接劈刀，其特征在于，所述多結(jié)晶陶瓷中的所述氧化鋁的 比例為96. 94wt%以上。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接劈刀，其特征在于，所述多結(jié)晶陶瓷中的所述氧化鋁的 比例為98. 98wt%以上。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接劈刀，其特征在于， 所述多結(jié)晶陶瓷包含選自第2A族、第3A族、及第4A族中的至少任意一種金屬元素的 氧化物， 所述多結(jié)晶陶瓷中的所述氧化物的比例為50ppm以上600ppm以下。11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接劈刀，其特征在于， 所述多結(jié)晶陶瓷包含選自第2A族、第3A族、及第4A族中的至少任意一種金屬元素的 氧化物， 所述多結(jié)晶陶瓷中的所述氧化物的比例為50ppm以上200ppm以下。12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接劈刀，其特征在于， 所述多結(jié)晶陶瓷還包含氧化鉻， 所述多結(jié)晶陶瓷中的所述氧化絡(luò)的比例為〇.Iwt%以上3.Owt%以下。13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接劈刀，其特征在于， 所述多結(jié)晶陶瓷還包含氧化鉻， 所述多結(jié)晶陶瓷中的所述氧化絡(luò)的比例為〇.Iwt%以上I.Owt%以下。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種焊接劈刀，其特征在于，包含以氧化鋁的結(jié)晶為主相的多結(jié)晶陶瓷，所述多結(jié)晶陶瓷中的孔隙的占有率為90ppm以下，并且直徑在3μm以上的孔隙為13個/mm2以下。能夠?qū)崿F(xiàn)耐磨性的提高。
【IPC分類】C04B35/10, H01L21/60
【公開號】CN104903999
【申請?zhí)枴緾N201480004200
【發(fā)明人】本村研一, 大西惇平, 櫻井衛(wèi), 冰室正一郎, 內(nèi)村健志, 后藤達(dá)也, 田端研二
【申請人】Toto株式會社
【公開日】2015年9月9日
【申請日】2014年1月24日
【公告號】WO2014115855A1