半導(dǎo)體制造裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法
【專利說明】半導(dǎo)體制造裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法[000。[相關(guān)申請案]
[0002] 本申請案享有W日本專利申請案2014-52714號（申請日；2014年3月14日）為 基礎(chǔ)申請案的優(yōu)先權(quán)。本申請案通過參照該基礎(chǔ)申請案而包含基礎(chǔ)申請案的全部內(nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003] 實(shí)施方式的發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0004] 半導(dǎo)體封裝的制造工序中，將被處理體貼附在周緣通過晶片環(huán)而固定的延伸片上 進(jìn)行切割，且維持將已被分離為半導(dǎo)體零件的被處理體貼附在延伸片上的狀態(tài)而進(jìn)行該半 導(dǎo)體零件的拾取。所述切割或拾取是拉伸延伸片而進(jìn)行，因此對延伸片施加負(fù)載。尤其，拾 取是針對通過半導(dǎo)體零件的動作測試等品質(zhì)評估而設(shè)定的每一等級來進(jìn)行復(fù)數(shù)次，因此通 過拉伸而對延伸片施加的負(fù)載較大。因此，在每次的拾取中，即便在W同等的拉伸力拉伸延 伸片的情形時，亦存在每次進(jìn)行拾取時延伸片自身伸長而產(chǎn)生挽曲的情形。
[000引又，在進(jìn)行拾取時，進(jìn)行半導(dǎo)體零件的圖像辨識。此時，若延伸片挽曲，則半導(dǎo)體零 件的圖像辨識易于產(chǎn)生不良。另一方面，若對延伸片的拉伸力過強(qiáng)，則延伸片斷裂而易于產(chǎn) 生半導(dǎo)體零件的剝離等。由此，需要將延伸片的拉伸力控制為適當(dāng)值。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 實(shí)施方式的發(fā)明所欲解決的課題在于抑制延伸片的挽曲或斷裂。
[0007] 實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置包括；延伸環(huán)；W及調(diào)整部，其求出延伸片的張力，并 根據(jù)所求出的張力而設(shè)定晶片環(huán)與延伸環(huán)的高低差，由此調(diào)整延伸片的拉伸力。晶片環(huán)包 含中空部，且在中空部使已貼附在延伸片上的被處理體露出并且固定延伸片。延伸環(huán)是W 與所述晶片環(huán)之間可相對地上下的方式設(shè)置在比所述晶片環(huán)的內(nèi)緣更內(nèi)側(cè)處。
【附圖說明】
[0008] 圖1是用W說明半導(dǎo)體制造裝置的構(gòu)成例的圖。
[0009] 圖2是用m兌明半導(dǎo)體制造裝置的構(gòu)成例的圖。
[0010] 圖3是用W說明半導(dǎo)體裝置的制造方法例的流程圖。
[0011] 圖4是用W說明調(diào)整部的一例的圖。
[0012] 圖5是用W說明半導(dǎo)體裝置的制造方法例的圖。
[0013] 圖6是用W說明調(diào)整部的另一例的圖。
[0014] 圖7是用W說明半導(dǎo)體裝置的制造方法例的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]W下，參照圖式對實(shí)施方式進(jìn)行說明。再者，圖式是示意性的圖，例如存在厚度與 平面尺寸的關(guān)系、各層的厚度的比率等與實(shí)際情況不同的情形。又，實(shí)施方式中，對實(shí)質(zhì)上 相同的構(gòu)成要素附上相同符號并省略說明。
[0016] 圖1及圖2是用W說明半導(dǎo)體制造裝置的構(gòu)成例的圖。圖1所示的半導(dǎo)體制造裝 置1包括；晶片環(huán)11 ;延伸環(huán)12,其用W拉伸貼附有被處理體15的延伸片14 ;及調(diào)整部13。 進(jìn)而，圖2表示晶片環(huán)11及延伸環(huán)12的俯視布局例。
[0017] 晶片環(huán)11具有固定延伸片14的周緣的功能。晶片環(huán)11具有中空部。W在晶片 環(huán)11的中空部露出的方式在延伸片14的上表面貼附被處理體15。此時，延伸片14上的被 處理體15的貼附面較佳為具有粘著性。
[0018] 延伸環(huán)12 W重疊在晶片環(huán)11的中空部的方式設(shè)置。延伸環(huán)12例如如圖2所示 般為環(huán)狀。延伸環(huán)12的形狀并不限定于此，例如亦可為圓形或四邊形狀。在圖1所示的半 導(dǎo)體制造裝置1中，例如晶片環(huán)11或延伸環(huán)12上下移動，通過設(shè)置晶片環(huán)11與延伸環(huán)12 的高低差而W放射狀拉緊延伸片14,從而拉伸延伸片14。延伸片14的張力是通過晶片環(huán) 11與延伸環(huán)12的高低差而設(shè)定。
[0019] 調(diào)整部13具有求出延伸片14的張力，并根據(jù)所求出的張力而調(diào)整延伸片14的拉 伸力的功能。例如，通過調(diào)整部13而設(shè)定晶片環(huán)11與延伸環(huán)12的高低差，由此調(diào)整延伸 片14的拉伸力。調(diào)整部13包括例如；測定器，其測定用W求出延伸片14的張力的參數(shù)；及 控制電路，其根據(jù)延伸片14的張力而控制晶片環(huán)11與延伸環(huán)12的高低差。
[0020] 其次，對使用所述半導(dǎo)體制造裝置1的半導(dǎo)體裝置的制造方法例進(jìn)行說明。圖3是 用W說明半導(dǎo)體裝置的制造方法例的流程圖。圖3所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法例包括： 工序S1 (片固定），將延伸片14固定在晶片環(huán)11 ;工序S2 (被處理體貼附），將被處理體15 貼附在延伸片14上；工序S3 (被處理體分離），通過分離被處理體15而形成半導(dǎo)體零件； 工序S4(片拉伸），拉伸延伸片14;工序S5(拉伸力調(diào)整），調(diào)整延伸片14的拉伸力；工序 S6 (圖像辨識），進(jìn)行半導(dǎo)體零件的圖像辨識；及工序S7 (拾?。?，進(jìn)行半導(dǎo)體零件的拾取。 該等工序的動作可通過例如設(shè)置在半導(dǎo)體制造裝置的控制電路而控制。再者，本實(shí)施方式 的半導(dǎo)體裝置的制造方法例的工序內(nèi)容及工序順序未必限定于所述工序。
[0021] 工序S1 (片固定）中，將延伸片14的周緣固定在晶片環(huán)11。例如，亦可使用夾具 等將延伸片14的周緣固定在晶片環(huán)11。
[0022] 工序S2(被處理體貼附）中，W在晶片環(huán)11的中空部露出的方式將被處理體15貼 附在延伸片14上。例如，可使用搬送臂等將被處理體15貼附在延伸片14上。此時，較佳 為W不使延伸片14挽曲的方式，例如通過調(diào)整晶片環(huán)11的高度而調(diào)整延伸片14的張力。
[0023] 作為被處理體15,列舉例如形成有半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體基板、或具有配線基板與 積層在配線基板上的復(fù)數(shù)個半導(dǎo)體芯片的封裝基板等。
[0024] 工序S3 (被處理體分離）中，例如通過使用金剛石刀片等的切割而根據(jù)半導(dǎo)體元 件分離被處理體15,由此形成半導(dǎo)體零件。例如，可通過分離作為被處理體15的半導(dǎo)體基 板而形成作為半導(dǎo)體零件的半導(dǎo)體芯片。又，可通過分離作為被處理體15的封裝基板，而 形成作為半導(dǎo)體零件的封裝零件（半導(dǎo)體封裝）。此時，不將延伸片14切斷。又，在切割之 前，例如亦可通過調(diào)整晶片環(huán)11的高度而拉伸延伸片14。
[0025] 作為封裝零件，可列舉例如積層有復(fù)數(shù)個半導(dǎo)體芯片的具有TSVCT虹OU曲 Silicon Via,娃通孔）方式的積層構(gòu)造的半導(dǎo)體封裝。TSV方式的積層構(gòu)造的半導(dǎo)體封裝 包括例如導(dǎo)線架等基板、及積層在基板上的復(fù)數(shù)個半導(dǎo)體芯片。復(fù)數(shù)個半導(dǎo)體芯片通過凸 塊電極及貫通電極而相互電性連接。如此，通過使用TSV方式的積層構(gòu)造的半導(dǎo)體封裝而 可縮小芯片面積，增大連接端子數(shù)，因此可抑制連接不良等。
[0026] 工序S4(片拉伸）中，通過調(diào)整延伸環(huán)12的高度而拉伸延伸片14。此時，W在半 導(dǎo)體零件間形成間隙的方式拉伸延伸片14,由此易于拾取半導(dǎo)體零件。
[0027] 工序S5(拉伸力調(diào)整）中，求出在工序S4(片拉伸）中拉伸的延伸片14的張力， 并根據(jù)所求出的張力而調(diào)整延伸片14的拉伸力。例如根據(jù)通過調(diào)整部13求出的張力而調(diào) 整延伸環(huán)12的高度，由此可調(diào)整延伸片14的拉伸力。延伸片14的張力可通過測定例如按 壓延伸片14時的彈力（負(fù)荷）、或使延伸片14振動時的振動數(shù)而算出。再者，亦可在工序 S4(片拉伸）之前預(yù)先調(diào)整延伸片14的拉伸力。
[0028] 圖4是用W說明調(diào)整部13的一例的圖。調(diào)整部13包括；按壓器21，其按壓延伸 片14;負(fù)荷傳感器22,其測定按壓器21對延伸片14施加的負(fù)荷；及控制電路23,其根據(jù)通 過負(fù)荷傳感器22測定出的負(fù)荷數(shù)據(jù)而算出延伸片14的張力，并根據(jù)所算出的張力而控制 延伸環(huán)12的相對于晶片環(huán)11的高度。
[0029] 作為按壓器21，只要使用能按壓延伸片14者即可，例如可使用稱作所謂的推出器 者。再者，可通過使按壓器21的前端為曲面而抑制對延伸片14造成的傷害。
[0030]負(fù)荷傳感器22具有例如應(yīng)變儀或測力儀。再者，亦可將負(fù)荷傳感器22設(shè)置在按 壓器21的表面。
[0031] 控制電路23具有根據(jù)自負(fù)荷傳感器22輸入的負(fù)荷的數(shù)據(jù)而控制延伸環(huán)12的相 對于晶片環(huán)11的高度的功能?？刂齐娐?3使用例如CPU (Central Processing化it,中央 處理單元）、存儲器、邏輯電路等。進(jìn)而，亦可將使延伸環(huán)12上下驅(qū)動的驅(qū)動電路設(shè)置在控 制電路23。又，亦可通過控制電路23而控制晶片環(huán)11的高度。
[0032] 圖4所示的調(diào)整部13中，首先通過按壓器21而按壓延伸片14。此時，對延伸片 14施加的負(fù)荷F(N)在將延伸片14的張力設(shè)為T(N)時，W F = Tsin 0表示。sin 0為按 壓后的延伸片14相對于按壓前的延伸片14的角度。由此，可通過測定負(fù)荷F而算出延伸 片14的張力。再者，圖4中，圖示自下方按壓延伸片14的示例，但亦可自上方按壓延伸片 14。又，通過按壓器21按壓的位置并無特別限定。
[0033] 通過負(fù)荷傳感器22測定所述負(fù)荷，并將所獲得的負(fù)荷的數(shù)據(jù)傳輸至控制電路23。 在控制電路23中，根據(jù)負(fù)荷數(shù)據(jù)而算出延伸片14的張力，W延伸片14的彈力成為特定值 的方式調(diào)整延伸環(huán)12的高度而調(diào)整延伸片14的拉伸力。
[0034] 例如，在控制電路23中，通過邏輯電路等對算出的張力值與基準(zhǔn)值進(jìn)行比較。在 延伸片14的張力較基準(zhǔn)值低的情形時，W調(diào)整延伸環(huán)12的高度直至通過增大延伸片14的 拉伸力而使延伸片14的張力成為基準(zhǔn)值為止的方式使用CPU等進(jìn)行控制。亦可將相對于 負(fù)荷的拉伸力預(yù)先作為數(shù)據(jù)表而存儲在存儲器。再者，當(dāng)拉伸力超過固定值時，存在延伸片 14斷裂的情形，因此必須預(yù)先設(shè)定拉伸力的上限值。此時，較佳為在成為超過拉伸力的上限 值的延伸環(huán)12的高度的時間點(diǎn)，提醒操作員更換延伸片14。
[00巧]如上所述，可對延伸片14施加負(fù)荷，并通過測定該負(fù)荷而算出延伸片14的張力， 且根據(jù)所算出的張力數(shù)據(jù)而調(diào)整延伸片14的拉伸力。
[0036] 再者，在于調(diào)整部13設(shè)置按壓器的情形時，亦可將用于半導(dǎo)體零件