0質(zhì)量％ ^下，因此，能夠有效地抑制電極5、27內(nèi)部的 MnS的形成W及NiS的形成。因此，能夠提高電極5、27的耐硫化性，如上所述地與能夠提高 電極的耐氧化性相互協(xié)同地作用，能夠顯著提高電極5、27的耐腐蝕性。
[0068] 另外，在將Si及A1的總含量設(shè)為1.0質(zhì)量％W上的情況下，在化2〇3被膜的正下 方，能更進(jìn)一步可靠地形成Al2〇3被膜和SiO2被膜。由此，能夠更有效地抑制化2化被膜的 剝離，能夠進(jìn)一步提高電極頭31、32的接合性。
[0069] 此外，在將C的含量設(shè)為0. 05質(zhì)量％W下的情況下，能夠更有效地抑制高溫下的 C的析出。因此，能夠更可靠地防止電極5、27的析出固化，更夠?qū)崿F(xiàn)加工性的進(jìn)一步提高。
[0070] 進(jìn)而，在將Mn的含量設(shè)為0. 5質(zhì)量％W下的情況下，能夠進(jìn)一步提高電極5、27的 耐硫化性。其結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)耐腐蝕性的進(jìn)一步提高。
[0071] 加之，在將化的含量設(shè)為18質(zhì)量％W上的情況下，能夠進(jìn)一步提高電極5、27的 耐氧化性。其結(jié)果，能夠更進(jìn)一步抑制上述邊界部分的氧化皮的形成，能夠進(jìn)一步提高接合 性。
[0072] 另外，在將化的含量設(shè)為28質(zhì)量％W下的情況下，能夠更可靠地防止電極5、27 的固溶固化，能夠進(jìn)一步提高加工性。
[0073] 此外，在將A1的含量設(shè)為1. 0質(zhì)量％W下的情況下，能夠更可靠地抑制A1N的析 出。因此，能夠進(jìn)一步提高電極5、27的耐氧化性，能夠進(jìn)一步提高氧化皮的形成抑制效果。 另外，在將A1含量設(shè)為1. 0質(zhì)量％W下的情況下，能夠更進(jìn)一步可靠地防止電極5、27的固 溶固化，能夠?qū)崿F(xiàn)加工性的進(jìn)一步提高。
[0074] 進(jìn)而，在將Y的含量設(shè)為0. 05質(zhì)量％W上的情況下，能夠進(jìn)一步提高電極5、27的 耐氧化性，進(jìn)而能夠更進(jìn)一步提高電極頭31、32的接合性。
[00巧]加之，在將Y的含量設(shè)為0. 15質(zhì)量％W下的情況下，能夠更可靠地抑制Y的析出， 實(shí)現(xiàn)更優(yōu)異的加工性。
[0076] 另外，在將化的含量設(shè)為7質(zhì)量％W上的情況下，能夠進(jìn)一步提高電極5、27的熱 加工性，進(jìn)一步減少電極頭31、32及電極5、27間的熱應(yīng)力。其結(jié)果，能夠更有效地提高接 合性。
[0077] 進(jìn)而，在將化的含量設(shè)為7質(zhì)量％W上且15質(zhì)量％W下的情況下，能夠?qū)崿F(xiàn)電極 頭31、32及電極5、27之間的熱應(yīng)力的減少，并且能夠有效地防止電極5、27的固溶固化。其 結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)加工性的進(jìn)一步提高。
[007引此外，在將化的含量設(shè)為10質(zhì)量％W下的情況下，能夠進(jìn)一步提高電極5、28的 耐氧化性，能夠?qū)崿F(xiàn)更進(jìn)一步優(yōu)異的接合性。
[0079] 接著，為了確認(rèn)通過(guò)上述實(shí)施方式發(fā)揮的作用效果，進(jìn)行了接合性評(píng)價(jià)試驗(yàn)、加工 性評(píng)價(jià)試驗(yàn)、及耐硫化性評(píng)價(jià)試驗(yàn)。
[0080] 接合性評(píng)價(jià)試驗(yàn)的概要如下。目P，利用WNi作為主要成分、Si、Al、化等的含量分 別不同的電極材料制作接地電極，并且，制作多個(gè)將接地電極側(cè)電極頭與所制作的接地電 極進(jìn)行電阻焊接而成的火花塞的樣品。接著，在大氣氣氛下用燃燒器加熱2分鐘，使得接地 電極的溫度達(dá)到1050°C，然后進(jìn)行1分鐘緩慢冷卻，將其作為1個(gè)循環(huán)，實(shí)施1000個(gè)循環(huán)。 然后，在1000個(gè)循環(huán)結(jié)束后觀察接地電極的截面，如圖3的（a)所示，測(cè)量相對(duì)于接地電極 及接地電極側(cè)電極頭的邊界部分的長(zhǎng)度X的、在該邊界部分形成的氧化皮〔圖3的（a)中， 用粗線表示的部位)的長(zhǎng)度Y，并算出長(zhǎng)度Y相對(duì)于長(zhǎng)度X的比率（氧化皮比率）。此處，將 氧化皮比率小于10%的樣品視為具有極為優(yōu)異的接合性，給予"眾眾☆"的評(píng)價(jià)，將氧化皮 比率為10%W上且小于20%的樣品視為具有優(yōu)異的接合性，給予的評(píng)價(jià)。另外，將 氧化皮比率為20%W上且小于30%的樣品視為具有良好的接合性，給予"☆"的評(píng)價(jià)，將氧 化皮比率為30%W上且小于40 %的樣品視為具有充分的接合性，給予"0"的評(píng)價(jià)。另一 方面，將氧化皮比率為40%W上的樣品視為接合性差，給予"X"的評(píng)價(jià)。需要說(shuō)明的是，形 成多個(gè)氧化皮的情況下，將各氧化皮的長(zhǎng)度的總和作為Y。例如，如圖3的化）所示，形成有 多個(gè)氧化皮〔圖3的化）中，用粗線表示的部位）的情況下，將氧化皮的長(zhǎng)度Y作為各氧化 皮的長(zhǎng)度的總和（Y1巧2)。
[0081] 另外，加工性評(píng)價(jià)試驗(yàn)的概要如下。即，得到由WNi作為主要成分、Si、A1、&等 的含量分別不同的電極材料形成的圓柱狀（45mm)的電極，并且對(duì)得到的電極進(jìn)行熱處理 (完全退火（化11anneal))。接著，對(duì)熱處理后的電極進(jìn)行拉伸試驗(yàn)，試驗(yàn)結(jié)束后，算出預(yù) 先設(shè)定的2點(diǎn)間的電極的伸長(zhǎng)率。此處，在伸長(zhǎng)率變?yōu)?0%W上的情況下，視為能夠?qū)崿F(xiàn)極 為優(yōu)異的加工性，給予☆"的評(píng)價(jià)，在伸長(zhǎng)率為45%W上且小于50%的情況下，視為能 夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)異的加工性，給予"☆"的評(píng)價(jià)，在伸長(zhǎng)率為40%W上且小于45%的情況下，視為 具有良好的加工性，給予"〇"的評(píng)價(jià)。另一方面，在伸長(zhǎng)率小于40%的情況下，視為加工性 不充分，給予"X"的評(píng)價(jià)。
[008引進(jìn)而，耐硫化性評(píng)價(jià)試驗(yàn)的概要如下。即，制作多個(gè)由WNi作為主要成分、Si、Al、 化等的含量分別不同的電極材料形成的電極的樣品，將各樣品埋入^SO嫩末中，并且在 900°C下持續(xù)加熱8小時(shí)。加熱結(jié)束后，觀察樣品的截面，測(cè)定在樣品的表面形成的MnS的 最大厚度。此處，MnS的最大厚度小于5ym的情況下，視為耐硫化性極為優(yōu)異，給予 的評(píng)價(jià)，MnS的最大厚度為5ymW上且小于10ym的情況下，視為耐硫化性優(yōu)異，給予"眾" 的評(píng)價(jià)。另一方面，MnS的最大厚度變?yōu)?0ymW上的情況下，視為耐硫化性差，給予"X" 的評(píng)價(jià)。
[0083] 表1及表2分別給出了各試驗(yàn)的試驗(yàn)結(jié)果。需要說(shuō)明的是，對(duì)于樣品28而言，從 由Y及稀±元素組成的組中選擇Nd，使電極材料中含有0. 03質(zhì)量％的Nd。另外，對(duì)于樣品 29而言，從上述組中選擇La,使電極材料中含有0. 03質(zhì)量％的La,對(duì)于樣品30而言，從上 述組中選擇Ce，使電極材料中含有0. 03質(zhì)量％的Ce。另一方面，對(duì)于上述W外的樣品，從 上述組中選擇Y，使電極材料中含有Y。
[0084] [表 1]
[0085]
[0086][表2]
[0087]
[0088] 如表1及表2所示，可知使Si的含量小于0. 50質(zhì)量％或?yàn)?. 0質(zhì)量％W上的樣 品（樣品1~5)的焊接性差?？蒞認(rèn)為其原因是；通過(guò)使Si的含量小于0.5質(zhì)量％，Si〇2 被膜的形成變得不充分，另外，通過(guò)使Si的含量為1. 0質(zhì)量％ ^上，在電極及電極頭的邊界 部分容易形成共晶組織。
[0089] 此外，表明了使A1的含量小于0.2質(zhì)量％的樣品（樣品6)的焊接性差，使A1的 含量大于2.0質(zhì)量％的樣品（樣品7)的焊接性及加工性該兩者差。可W認(rèn)為其原因是：通 過(guò)使A1的含量小于0. 2質(zhì)量％，未充分形成Al2〇3被膜，另外，通過(guò)使A1的含量大于2. 0質(zhì) 量％，在高溫下A1N容易析出到電極表面，在電極中容易產(chǎn)生固溶固化。
[0090] 進(jìn)而，確認(rèn)了使&的含量小于12質(zhì)量％的樣品（樣品8)的焊接性差，使&的含 量大于34質(zhì)量％的樣品（樣品9)的加工性差?？蒞認(rèn)為其原因是；通過(guò)使化的含量小于 12質(zhì)量％，在電極的表面未充分形成化2〇3被膜，另夕K通過(guò)使化的含量大于34質(zhì)量％，在 電極中容易發(fā)生固溶固化。
[0091] 此外，可知使選自由Y及稀±元素組成的組中的至少一種（W下稱作"稀上元素 等"）的含量小于0.03質(zhì)量％的樣品（樣品10)的焊接性差，使稀±元素等的含量大于0.2 質(zhì)量％的樣品（樣品11)的加工性差?？蒞認(rèn)為其原因是；通過(guò)使稀±元素等的含量小于 0. 03質(zhì)量％，電極的高溫耐氧化性下降，通過(guò)使稀±元素等的含量大于0. 2質(zhì)量％，在電極 中容易發(fā)生析出固化。
[0092] 另外，可知使化的含量為0質(zhì)量％的樣品（樣品12)、使化的含量大于20質(zhì)量％ 的樣品（樣品蝴的焊接性差。可W認(rèn)為其原因是述過(guò)使化的含量為0質(zhì)量％，電極難W因熱鍛而變形，在高溫下，電極及電極頭間產(chǎn)生的熱應(yīng)力變大，另外，通過(guò)使化的含量大 于20質(zhì)量％，容易發(fā)生電極的氧化。
[0093] 進(jìn)而，表明了使A1及Si的總含量（Al+Si)小于0.8質(zhì)量％的樣品（樣品14)的 焊接性差。可W認(rèn)為其原因是：未充分形成Al、Si的氧化膜，容易發(fā)生電極的氧化。
[0094] 另外，確認(rèn)了使A1及Si的總含量（Al+Si)超過(guò)化的含量的1/10的樣品（樣品 15)的焊接性差?？蒞認(rèn)為其原因是；在電極的表面，難W形成Si〇2被膜、Al2〇3被膜位于 化2〇3被膜的正下方的狀態(tài)，其結(jié)果，化2〇3被膜變得容易剝離。
[0095] 此外，可知使C的含量大于0. 10質(zhì)量％的樣品（樣品16)的加工性差?？蒞認(rèn)為 其原因是在電極中容易發(fā)生析出固化。
[0096] 進(jìn)而，表明了使Mn的含量大于1. 0質(zhì)量％的樣品（樣品17)在電極內(nèi)部容易形成 MnS、耐硫化性差。
[0097] 與此相對(duì)，可