,每個夾具組40皆和一容器3相對應并形成一工作站50 ;每個工作站50皆如圖3B所示,具有夾持芯片載具2的一個夾具組40及一個容器3。在較佳的實施狀態(tài)下,夾具組40的夾具42是透過芯片載具2的孔洞20夾持芯片載具2 ;夾具組40可進行垂直于地面的上下移動,以將芯片載具2經(jīng)由開口 31置入容器3中或?qū)⑿酒d具2自容器3中取出;另外,夾具組40亦可沿著夾具架4的方向來回移動,以將芯片載具2由一個工作站50移動到另一個工作站50 ;另外,每一容器3之中分別裝有不同的溶液,各溶液可以是酸堿值、溫度不同的無機或有機液體,例如酸液、堿液、熱水、純水或醇類。在較佳的實施狀態(tài)下,本實施例的半導體清洗裝置5共具有六個工作站50,相對的,容器陣列3’共包含六個容器3,且由第一個容器3到第六個容器3內(nèi)裝的溶液依序為酸液(如:鹽酸溶液)、熱水(如:高于攝氏60度的水)、堿液(如:氨水)、熱水、純水、酒精,但本發(fā)明對此并不加以限制。
[0026]請繼續(xù)參閱圖3A,每一容器3之中,相對的兩壁面各別設(shè)置超聲波裝置30,當一芯片載具2、2’被夾具組40及其夾具42置于一容器3之中時,芯片載具2、2’上的穿孔220、220’會面對超聲波裝置30,因此,當超聲波裝置30啟動時,會使得容器3中的溶液產(chǎn)生震蕩,進而透過穿孔220、220’對芯片載具2、2’內(nèi)的芯片I產(chǎn)生清洗的效果。明顯的,芯片I的兩個表面能同時被清洗,使被清洗的面積增加;另外,如上所述,每個容器3之中可以分別裝有不同酸堿值、不同溫度的溶液,且芯片載具2可經(jīng)由夾具組40及其夾具42被搬運到不同的容器3之中,因此,本發(fā)明的半導體清洗裝置5可讓芯片I在清洗時經(jīng)由不同的溶液清洗,并增加清洗的面積。
[0027]在上述的實施狀態(tài)下,芯片I被清洗時其表面是垂直于地面,因此在芯片I表面的異物被沖刷后會因重力而自然沉淀,不易殘留在芯片I的表面上;另外,在將芯片載具2、2’自最后一個工作站50的容器3中取出后,可進一步以半導體清洗裝置5的風刀產(chǎn)生器(未圖示)對芯片載具2、2’進行吹拭,以去除芯片I表面殘留的液體,避免芯片I的表面形成水垢。
[0028]接著,請參閱圖4,為本發(fā)明的半導體清洗方法流程圖。如圖4所示,本發(fā)明的半導體清洗方法包括: 步驟801:提供如圖1所示的芯片夾板25,芯片夾板25具有第一面27及與第一面27相對的第二面28,芯片夾板25的第一面27有復數(shù)個凹槽22,每一凹槽22中至少有一穿孔220。
[0029]步驟802:在芯片夾板25的每一凹槽22中放置一芯片I。
[0030]步驟803:以另一個具有復數(shù)個穿孔220的芯片夾板25 (如圖2A所示)或芯片夾板25’(如圖2C所示)與裝有芯片I的芯片夾板25接合,形成裝有復數(shù)個芯片I的芯片載具2(如圖2A所示)或2’(如圖2C所示),其中,兩個芯片夾板25的穿孔220彼此相對(如圖2A所示)或芯片夾板25的穿孔220與芯片夾板25’的穿孔220’ (如圖2C所示)彼此相對,因此,每一芯片I的兩表面皆透過穿孔220或220’而暴露。
[0031]步驟804:以如圖3A所示的夾具組40及其夾具42將芯片載具2或2’置入如圖3A所示的半導體清洗裝置5的一個工作站50中的容器3中,容器3中裝有溶液,并使芯片載具2或2’的穿孔220或220’分別面對容器3中的二個超聲波裝置30。
[0032]步驟805:啟動如圖3A所示的超聲波裝置30,以對芯片載具2內(nèi)的芯片I進行超聲波清洗。
[0033]在較佳的實施狀態(tài)下,芯片I的被清洗表面是垂直于地面,因此在芯片I表面的雜質(zhì)被沖刷后會因重力而自然沉淀,不易殘留在芯片I的表面上。
[0034]步驟806:判斷目前芯片載具2或2’所在的工作站50是否為最后一個工作站50,若是的話進入步驟808,若否則進入步驟807。
[0035]步驟807:以夾具組40及其夾具42將芯片載具2或2’移動到半導體清洗裝置5的下一個工作站50的容器3之中,并重復步驟805。
[0036]步驟808:以夾具組40及其夾具42將芯片載具2移出半導體清洗裝置5,結(jié)束清洗流程;在一較佳的實施狀態(tài)下,將芯片載具2移出半導體清洗裝置5之前,可進一步以風刀產(chǎn)生器(未圖示)對芯片載具2進行吹拭。
[0037]其中,半導體清洗裝置5的不同工作站50中的容器30,可分別裝有不同酸堿值、不同溫度的無機或有機溶液,例如酸液、堿液、熱水、純水或醇類;在較佳的實施狀態(tài)下,半導體清洗裝置5共包含六個工作站50及六個容器3,且由第一個容器3到第六個容器3內(nèi)裝的溶液依序為酸液、熱水、堿液、熱水、純水、酒精,但本發(fā)明對此并不加以限制。
[0038]根據(jù)本發(fā)明所提出的半導體清洗裝置5及清洗方法,可在不同的容器3中以不同的溶液同時清洗芯片I的兩個表面,增加了芯片I被清洗到的面積,另外芯片I的兩個表面在被沖洗時是垂直于地面,因此被沖洗下來的異物不易殘留于芯片表面,本發(fā)明的半導體清洗裝置5并且進一步以風刀吹拭清洗后芯片I能避免芯片I的表面產(chǎn)生水垢,提升清洗的效果,進而使最終電子產(chǎn)品的良率上升;在較佳的實施狀態(tài)下,本發(fā)明所提出的半導體清洗裝置5及清洗方法能使芯片I的良率上升1%飛%。
[0039]雖然本發(fā)明以前述的較佳實施例揭露如上,然其并非用以限定本發(fā)明,任何熟習相像技藝者,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當可作些許的更動與潤飾,因此本發(fā)明的專利保護范圍須視本說明書所附的申請專利范圍所界定者為準。
【主權(quán)項】
1.一種半導體清洗裝置,其特征在于,包括: 一夾具架,可進行垂直于地面方向的上下移動; 復數(shù)夾具組,配置于該夾具架上,每個所述夾具組皆可于該夾具架上沿著該夾具架水平移動,且每個所述夾具組彼此之間存在一間距,每個所述夾具組具有至少一夾具; 一容器陣列,位于該夾具架的下方,具有復數(shù)個容器,每個所述容器恰位于所述夾具組的其中之一的下方,每個所述容器具有一朝向該夾具架的開口,其中,每個所述容器內(nèi)的相對兩壁面上分別設(shè)置有一超聲波裝置;及 至少一個載具,其被所述夾具組的其中之一所夾持。2.如權(quán)利要求1所述的半導體清洗裝置,其特征在于,該載具是由一個第一芯片夾板及一個第二芯片夾板組成,該第一芯片夾板及該第二芯片夾板皆具有一個第一面及與該第一面相對的第二面,該第一芯片夾板的第一面上有復數(shù)個凹槽,每個所述凹槽中有至少一穿孔貫穿至該第一芯片夾板的第二面,該第二芯片夾板上有復數(shù)個穿孔自該第二芯片夾板的所述第一面貫穿至該第二芯片夾板的所述第二面,該第一芯片夾板的所述第一面與該第二芯片夾板的所述第一面彼此相對并相接,其中,所述第一芯片夾板的所述穿孔及所述第二芯片夾板的所述穿孔彼此相對,且所述第一芯片夾板的凹槽與所述第二芯片夾板的第一面之間形成復數(shù)個容置空間。3.如權(quán)利要求2所述的半導體清洗裝置,其特征在于,至少一個所述容置空間中具有-H-* LL'~■心片O4.如權(quán)利要求2所述的半導體清洗裝置,其特征在于,該載具為置于該些容器的其中之一,且所述第一芯片夾板的該第二面及所述第二芯片夾板的該第二面分別和一超聲波裝置相對。5.如權(quán)利要求1所述的半導體清洗裝置,其特征在于,所述容器陣列具有六個容器。6.如權(quán)利要求1所述的半導體清洗裝置,其特征在于,所述容器依序裝有酸液、熱水、堿液、熱水、純水及酒精。7.一種半導體清洗方法,其特征在于,包含: 提供一個第一芯片夾板,該第一芯片夾板具有一個第一面及與該第一面相對的第二面,該第一面具有復數(shù)個凹槽,每個所述凹槽中至少有一穿孔貫通至該第二面; 在該第一芯片夾板的至少一個凹槽中放置有一芯片; 將一具有復數(shù)個穿孔的第二芯片夾板與所述第一芯片夾板接合形成一芯片載具,其中,所述第二芯片夾板的穿孔與所述第一芯片夾板的穿孔相對,所述芯片透過所述第一芯片夾板的穿孔及所述第二芯片夾板的穿孔暴露于外; 將所述芯片載具置入裝有一溶液的一個容器中,并使所述第一芯片夾板的穿孔、所述第二芯片夾板的穿孔分別面對所述容器中的二個超聲波裝置;并 啟動該二個超聲波裝置以對該芯片載具中的芯片進行超聲波清洗。8.如權(quán)利要求7所述的半導體清洗方法,其特征在于,進一步包含以下步驟: 判斷所述芯片載具所在的該容器是否為最后一個清洗容器。9.如權(quán)利要求8所述的半導體清洗方法,其特征在于,判斷所述芯片載具所在的該容器為最后一個清洗容器時,進一步包含以下步驟: 將所述芯片載具移出該半導體清洗裝置。10.如權(quán)利要求8所述的半導體清洗方法,其特征在于,判斷所述芯片載具所在的容器不為最后一個清洗容器時,進一步包含以下步驟: 將該芯片載具移出容器并置入裝有另一種溶液的另一個容器。
【專利摘要】一種半導體清洗裝置,包括一具有復數(shù)個夾具組的夾具架,一具有復數(shù)個容器的容器陣列,每一個容器可和一個夾具組相對并形成一個工作站,每一容器中進一步有二個超聲波裝置并且可各自裝有不同的溶液,每一個夾具組用于夾持一裝有復數(shù)芯片的芯片載具,并可將芯片載具由一個容器之中移動到下一個容器之中,芯片的兩個表面皆有一部份透過芯片載具上的穿孔暴露于外,當芯片載具被置于容器之中時,芯片暴露于外的兩表面分別面對一超聲波裝置。
【IPC分類】B08B3/12, H01L21/02, H01L21/67
【公開號】CN104934344
【申請?zhí)枴緾N201410102201
【發(fā)明人】許志明
【申請人】百利通亞陶科技股份有限公司
【公開日】2015年9月23日
【申請日】2014年3月19日