使用納米結(jié)構(gòu)化轉(zhuǎn)印帶的方法及其制成的制品的制作方法
【專利說(shuō)明】使用納米結(jié)構(gòu)化轉(zhuǎn)印帶的方法及其制成的制品
【背景技術(shù)】
[0001] 玻璃基底上的納米結(jié)構(gòu)和微觀結(jié)構(gòu)用于顯示、照明、構(gòu)造和光伏器件中的多種應(yīng) 用。在顯示裝置中，所述結(jié)構(gòu)可用于光提取或光分布。在照明裝置中，所述結(jié)構(gòu)可用于光提 取、光分布和裝飾效果。在光伏器件中，所述結(jié)構(gòu)可用于太陽(yáng)能聚集和減反射。在大的玻璃 基底上圖案化或以其他方式形成納米結(jié)構(gòu)和微觀結(jié)構(gòu)可能困難且成本效益不高。
[0002] 已經(jīng)公開了在納米結(jié)構(gòu)化犧牲模板層的內(nèi)側(cè)使用結(jié)構(gòu)化回填層作為光刻蝕刻掩 模的層合轉(zhuǎn)印法。回填層可為玻璃樣的材料。然而，這些方法需要從回填層去除犧牲模板 層，同時(shí)基本上完整地保留回填層的結(jié)構(gòu)化表面。犧牲模板層通常是通過(guò)使用氧等離子體 的干蝕刻工藝，熱分解工藝，或者溶解工藝去除的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 因此，需要以成本效益高的方式在連續(xù)載體膜上制造納米結(jié)構(gòu)和微觀結(jié)構(gòu)，然后 使用該膜將所述結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印或以其他方式賦予到玻璃基底或其他永久受體基底上。另外，需 要以高成品率在較大的面積上制造納米結(jié)構(gòu)和微觀結(jié)構(gòu)，以滿足例如大型數(shù)字顯示器的需 要。
[0004] 在一個(gè)方面，公開了一種制備圖案化的結(jié)構(gòu)化固體表面的方法，所述方法包括：用 回填材料填充結(jié)構(gòu)化模板以產(chǎn)生結(jié)構(gòu)化轉(zhuǎn)印膜，以及將結(jié)構(gòu)化轉(zhuǎn)印膜層合至受體基底。所 述受體基底包括圖案化粘附促進(jìn)層。所述模板層能夠被從回填層去除，同時(shí)基本上完整地 保留回填層的結(jié)構(gòu)化表面的至少一部分。回填層可包含至少兩種不同的材料，所述材料中 的一者可為粘附促進(jìn)層。在一些實(shí)施例中，回填層包含硅倍半氧烷，諸如聚乙烯硅倍半氧 烷。結(jié)構(gòu)化轉(zhuǎn)印膜是穩(wěn)定的中間體，所述中間體可用隔離襯件暫時(shí)覆蓋以用于儲(chǔ)存和處理。
[0005] 在另一方面，公開了一種制備結(jié)構(gòu)化固體表面的方法，所述方法包括：用回填材料 填充結(jié)構(gòu)化模板以產(chǎn)生結(jié)構(gòu)化轉(zhuǎn)印膜，將結(jié)構(gòu)化轉(zhuǎn)印膜層合至受體基底，固化樣本，并且去 除結(jié)構(gòu)化模板層，從而將結(jié)構(gòu)化回填材料保留在受體基底上。在一些實(shí)施例中，回填材料包 括硅倍半氧烷。通常樣本是光化學(xué)固化的。
[0006] 在另一方面，公開了一種制備結(jié)構(gòu)化固體表面的方法，所述方法包括：用回填材料 填充結(jié)構(gòu)化模板以產(chǎn)生結(jié)構(gòu)化轉(zhuǎn)印膜，將結(jié)構(gòu)化轉(zhuǎn)印膜層合至受體基底，以圖案形式固化 回填材料以在結(jié)構(gòu)化轉(zhuǎn)印膜中產(chǎn)生固化區(qū)域和未固化區(qū)域，去除結(jié)構(gòu)化模板以使未固化區(qū) 域回流，以及毯覆式固化（blanketcuring)結(jié)構(gòu)化模板。以圖案形式固化可通過(guò)透過(guò)掩模 暴露或者通過(guò)光柵激光器曝光來(lái)進(jìn)行。在一些實(shí)施例中，回填材料包含硅倍半氧烷。結(jié)構(gòu) 化轉(zhuǎn)印膜可被暫時(shí)地層合至隔離襯件，以用于儲(chǔ)存和進(jìn)一步處理。
[0007] 在另一方面，提供了一種制備結(jié)構(gòu)化固體表面的方法，所述方法包括：用回填材料 填充結(jié)構(gòu)化模板以產(chǎn)生結(jié)構(gòu)化轉(zhuǎn)印膜，以圖案形式固化回填材料，將結(jié)構(gòu)化轉(zhuǎn)印膜層合至 受體基底，去除結(jié)構(gòu)化模板層，以及毯覆式固化結(jié)構(gòu)化模板層?；靥畈牧系囊詧D案形式固化 可在可抑制表面固化的環(huán)境諸如氧氣中完成，從而增大回填材料對(duì)受體基底的粘附。
[0008] 在另一方面，公開了一種制備結(jié)構(gòu)化固體表面的方法，所述方法包括：用回填材料 填充結(jié)構(gòu)化模板以產(chǎn)生結(jié)構(gòu)化轉(zhuǎn)印膜，以圖案形式固化回填材料，將結(jié)構(gòu)化轉(zhuǎn)印膜層合至 受體基底，毯覆式固化結(jié)構(gòu)化轉(zhuǎn)印膜，以及去除結(jié)構(gòu)化模板層。在一些實(shí)施例中，可以從受 體基底上去除低粘附區(qū)域以及結(jié)構(gòu)化模板層，從而生成通孔。
[0009] 在本發(fā)明中：
[0010] "光化輻射"是指可交聯(lián)或固化聚合物并且可包括紫外波長(zhǎng)、可見光波長(zhǎng)以及紅外 波長(zhǎng)，以及可包括源自光柵激光器、數(shù)字熱成象以及電子束掃描的數(shù)字曝光的輻射波長(zhǎng)；
[0011] "鄰近"是指層在彼此的附近，通常與彼此接觸，但是可在彼此之間具有居間層；
[0012] "AM0LED"是指有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管；
[0013] "分層"是指具有兩個(gè)或更多個(gè)結(jié)構(gòu)元件的構(gòu)造，其中至少一個(gè)元件具有納米結(jié) 構(gòu)，并且至少一個(gè)元件具有微觀結(jié)構(gòu)。所述結(jié)構(gòu)元件可由一個(gè)、兩個(gè)、三個(gè)或更多個(gè)深度水 平組成。在本發(fā)明所公開的分層構(gòu)造中，納米結(jié)構(gòu)往往比微觀結(jié)構(gòu)?。?br>[0014] "基面"是指在兩個(gè)相鄰間隔的微觀結(jié)構(gòu)元件之間的區(qū)域的非結(jié)構(gòu)化寬度；
[0015] "LED"是指發(fā)光二極管；
[0016] "微觀結(jié)構(gòu)"是指其最長(zhǎng)尺寸在從約0. 1ym至約1000ym的范圍內(nèi)的結(jié)構(gòu)。在本 發(fā)明中，納米結(jié)構(gòu)和微觀結(jié)構(gòu)的范圍不可避免地疊層；
[0017] "納米結(jié)構(gòu)"是指其最大尺寸在從約lnm至約lOOOnm范圍內(nèi)的特征；
[0018] "平面化材料或?qū)?是指填充在不規(guī)則表面中以產(chǎn)生基本上平坦的表面的材料層， 所述基本上平坦的表面可用作基部來(lái)構(gòu)建另外的分層元件；
[0019] "結(jié)構(gòu)"是指包括微觀結(jié)構(gòu)、納米結(jié)構(gòu)和/或分層結(jié)構(gòu)的特征；并且
[0020] "通孔"是指在圖案化回填層中具有零個(gè)基面的空隙、孔或者通道，可穿過(guò)該通孔 設(shè)置導(dǎo)電元件諸如電極。
[0021] 上述
【發(fā)明內(nèi)容】
并非意圖描述本發(fā)明的每個(gè)所公開實(shí)施例或每種實(shí)施方案。以下附 圖和【具體實(shí)施方式】更具體地舉例說(shuō)明了示例性實(shí)施例。
【附圖說(shuō)明】
[0022] 整個(gè)說(shuō)明書參考附圖，在附圖中，類似的附圖標(biāo)號(hào)表示類似的元件，并且其中：
[0023] 圖1示出了制備和使用本發(fā)明所公開的結(jié)構(gòu)化帶的工藝的示意性流程圖，所述帶 具有回填材料、粘附促進(jìn)層，并且未經(jīng)圖案化。
[0024] 圖2示出了制備和使用本發(fā)明所公開的結(jié)構(gòu)化帶的工藝的示意性流程圖，所述帶 具有回填材料和圖案化粘附促進(jìn)層。
[0025] 圖3示出了制備和使用本發(fā)明所公開的結(jié)構(gòu)化帶的工藝的示意性流程圖，所述帶 具有回填材料并且經(jīng)過(guò)層合后毯覆式光固化過(guò)程。
[0026] 圖4示出了制備和使用本發(fā)明所公開的結(jié)構(gòu)化帶的工藝的示意性流程圖，所述帶 具有回填材料并且經(jīng)過(guò)透過(guò)光刻掩模進(jìn)行的層合后曝光過(guò)程。
[0027] 圖5和圖5A示出了制備和使用本發(fā)明所公開的結(jié)構(gòu)化帶的工藝的示意性流程圖， 所述帶具有回填材料并且經(jīng)過(guò)使用直寫式數(shù)字曝光的層合后曝光過(guò)程。
[0028] 圖6示出了制備和使用本發(fā)明所公開的結(jié)構(gòu)化帶的工藝的示意性流程圖，所述帶 具有回填材料和乙烯基硅倍半氧烷外覆層，并且經(jīng)過(guò)圖案化預(yù)層合曝光過(guò)程。
[0029] 圖7和圖7A示出了制備和使用本發(fā)明所公開的結(jié)構(gòu)化帶的工藝的示意性流程圖， 所述帶具有回填材料并且經(jīng)過(guò)具有表面氧阻聚的圖案化預(yù)層合曝光過(guò)程。
[0030]圖8示出了制備和使用本發(fā)明所公開的結(jié)構(gòu)化帶的工藝的示意性流程圖，所述帶 具有回填材料，并且經(jīng)過(guò)圖案化預(yù)層合曝光過(guò)程和層合后曝光過(guò)程。
[0031] 圖9和圖10示出了制備和使用本發(fā)明所公開的結(jié)構(gòu)化帶的工藝的流程圖，所述帶 具有嵌入的回填材料，所述回填材料具有高折射率（圖9)和低折射率（圖10)。
[0032] 圖11a至圖lib是顯示出曝光和層合的順序是重要的并且可改變產(chǎn)品構(gòu)造的圖 不〇
[0033] 圖12是源自實(shí)例1的玻璃上的納米結(jié)構(gòu)的顯微照片。
[0034] 圖13是源自實(shí)例7的玻璃上的圖案化納米結(jié)構(gòu)的顯微照片。
[0035] 圖14是源自實(shí)例8的玻璃上的圖案化納米結(jié)構(gòu)的顯微照片。
[0036] 圖15是源自實(shí)例9的玻璃上的圖案化納米結(jié)構(gòu)的顯微照片，該圖案化納米結(jié)構(gòu)具 有通孔。
[0037] 圖16是源自實(shí)例11的玻璃上的圖案化納米結(jié)構(gòu)的顯微照片。
[0038] 附圖未必按比例繪制。附圖中使用的類似標(biāo)號(hào)是指類似組件。然而，應(yīng)當(dāng)理解，使 用標(biāo)號(hào)來(lái)指代給定附圖中的組件并非意圖限制在另一附圖中以相同標(biāo)號(hào)標(biāo)記的組件。
【具體實(shí)施方式】
[0039] 在以下說(shuō)明中，參考形成本說(shuō)明的一部分的附圖，并且其中以圖示方式示出了若 干具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離本發(fā)明的范圍或?qū)嵸|(zhì)的前提下，可以設(shè)想出其他實(shí)施例 并進(jìn)行實(shí)施。因此，以下的【具體實(shí)施方式】不具有限制性意義。
[0040] 除另指出外，在所有情況下，說(shuō)明書和權(quán)利要求書中用來(lái)表述特征尺寸、數(shù)量和物 理特性的所有數(shù)字均應(yīng)理解為由術(shù)語(yǔ)"約"來(lái)修飾。因此，除非有相反的指示，否則在前述 的說(shuō)明書和所附權(quán)利要求中給出的數(shù)值參數(shù)均為近似值，這些近似值可以根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù) 人員利用本文所公開的教導(dǎo)內(nèi)容所需獲得的特性而有所不同。由端點(diǎn)表述的數(shù)值范圍包括 該范圍內(nèi)所包含的所有數(shù)值（例如，1至5包括1、1. 5、2、2. 75、3、3. 80、4和5)以及在此范 圍內(nèi)的任何范圍。
[0041] 本發(fā)明公開了允許使用層合制造結(jié)構(gòu)化固體表面的結(jié)構(gòu)化層合轉(zhuǎn)印膜和方法。所 述方法涉及復(fù)制膜、層或者涂層以便形成結(jié)構(gòu)化模板層。可使用微復(fù)制領(lǐng)域的普通技術(shù)人 員已知的任何微復(fù)制技術(shù)來(lái)針對(duì)母模執(zhí)行所述復(fù)制。這些技術(shù)可包括例如預(yù)聚物樹脂的壓 印、澆鑄和固化（使用熱或光化學(xué)引發(fā)），或者熱熔融擠出。通常微復(fù)制涉及抵靠模板澆鑄 可光固化的預(yù)聚物溶液，之后進(jìn)行預(yù)聚物溶液的光聚合。在本發(fā)明中，"納米結(jié)構(gòu)化"是指 具有小于1ym、小于750nm、小于500nm、小于250nm、100nm、小于50nm、小于10nm，或者甚 至小于5nm的特征的結(jié)構(gòu)。"微結(jié)構(gòu)化"是指具有小于1000ym、小于100ym、小于50ym， 或者甚至小于5ym的特征的結(jié)構(gòu)。"分層"是指具有不止一個(gè)尺寸級(jí)別的結(jié)構(gòu)，并且所述 結(jié)構(gòu)包括具有納米結(jié)構(gòu)的微觀結(jié)構(gòu)（例如，具有納米級(jí)蛾眼抗反射特征的微透鏡）。已 經(jīng)在例如于2012年7月20日提交的名稱為"STRUCTUREDLAMINATIONTRANSFERFILMS ANDMETHODS(結(jié)構(gòu)化層合轉(zhuǎn)印膜和方法）"的申請(qǐng)人的待審未公布申請(qǐng)，即美國(guó)專利申請(qǐng) 13/553,987中公開了層合轉(zhuǎn)印膜。
[0042] 在一些實(shí)施例中，可光固化的預(yù)聚物溶液通常是在暴露于光化輻射（通常為紫外 線輻射）時(shí)可光固化的，可抵靠微復(fù)制型的母模澆鑄該預(yù)聚物溶液，并且隨后將該預(yù)聚物 溶液暴露于光化輻射，同時(shí)使該溶液與微復(fù)制型的母模接觸以形成模板層?？稍诠饩酆现?前，光聚合期間，以及甚至有時(shí)在光聚合之后，將可光固化的預(yù)聚物溶液澆鑄至載體膜，同 時(shí)使該溶液與微復(fù)制型的母模接觸。固化的微復(fù)制型模板層設(shè)置在其上的載體膜可用于制 備本發(fā)明所公開的圖案化的結(jié)構(gòu)化轉(zhuǎn)印帶。
[0043] 本發(fā)明所公開的圖案化的結(jié)構(gòu)化轉(zhuǎn)印帶及其制備方法，以及通過(guò)使用這些轉(zhuǎn)印帶 的工藝產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)是參照【附圖說(shuō)明】的。圖1示出了制備和使用本發(fā)明所公開的結(jié)構(gòu)化帶的 工藝的流程圖，所述帶使用回填材料、粘附促進(jìn)層，并且未經(jīng)圖案化。結(jié)構(gòu)化模板層103設(shè) 置在載體101上。結(jié)構(gòu)化模板層103具有隔離涂層的薄層（未示出），所述薄層在一些情況 下通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積而沉積。在一些實(shí)施例中，隔離特性可為結(jié)構(gòu)化模板層 所固有的。隨后用未固化的回填層105涂覆所得的結(jié)構(gòu)，以使得未固化的回填層105完全 接觸結(jié)構(gòu)化模板層103(步驟11)。隨后干燥、熱交聯(lián)或者光交聯(lián)所述回填材料，以產(chǎn)生穩(wěn) 定的中間膜，所述中間膜可任選地覆蓋有隔離襯件104以用于保護(hù)。隨后將所述結(jié)構(gòu)反轉(zhuǎn) 并且層合至涂覆有粘附促進(jìn)層112的受體基底110 (步驟12)。粘附促進(jìn)層112被均勻地 涂覆在受體基底110上，粘附促進(jìn)層112未經(jīng)圖案化。在去除載體101上的經(jīng)隔離涂覆的 結(jié)構(gòu)化模板層103 (步驟13)之后，所述制品包括通過(guò)粘附促進(jìn)層112附著到受體基底110 的結(jié)構(gòu)化回填層105。任選地，結(jié)構(gòu)化回填層105隨后可經(jīng)受進(jìn)一步的熱處理，諸如高溫分 解，以燒結(jié)、固化或熔合回填層105并且汽化任何殘余的有機(jī)材料。
[0044] 圖2示出了設(shè)置在載體201上的結(jié)構(gòu)化模板層203。結(jié)構(gòu)化模板層203可具有隔 離涂層的薄層（未示出），所述薄層通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積或其他手段而沉積。隨 后用未固化的回填層205涂覆所得的結(jié)構(gòu)，以使得未固化的回填層205完全接觸結(jié)構(gòu)化模 板層203(步驟21)。這個(gè)穩(wěn)定的中間膜可任選地覆蓋有隔離襯件204以用于保護(hù)。隨后將 所得的結(jié)構(gòu)反轉(zhuǎn)并且層合至涂覆有圖案化粘附促進(jìn)層212的受體基底210 (步驟22)。將圖 案化粘附促進(jìn)層212施加到受體基底210,并且通過(guò)光刻法圖案化。在去除載體201上的 經(jīng)隔離涂覆的結(jié)構(gòu)化模板層203 (步驟23)之后，所述制品包括通過(guò)圖案化粘附促進(jìn)層212 附著到受體基底210的結(jié)構(gòu)化未固化回填層205。在（圖案之間）不存在圖案化粘附促進(jìn) 層212的情況下，回填層205附著到結(jié)構(gòu)化模板層203,并且去除回填層205后保留有通孔 或者開口區(qū)域。另外，所提出的方法使在通孔和可位于受體基底上的基底表面上的基準(zhǔn)點(diǎn) 或其他特征之間的精確準(zhǔn)直度。
[0045] 在一些實(shí)施例中，在光固化之前，回填材料在室溫下是發(fā)粘的。例如，聚乙烯硅倍 半氧烷作為回填材料可用于本發(fā)明所公開的圖案化的結(jié)構(gòu)化轉(zhuǎn)印帶，所述轉(zhuǎn)印帶不具有粘 附促進(jìn)層。圖3示出了設(shè)置在載體301上的結(jié)構(gòu)化模板層303。隨后用未固化的回填層305 涂覆所得的結(jié)構(gòu)（步驟31)。未固化的回填層305接觸結(jié)構(gòu)化模板層303。穩(wěn)定的中間膜 是通過(guò)將暫時(shí)性襯件304層合至未固化的回填層而產(chǎn)生的。在使用層合轉(zhuǎn)印膜之前去除襯 件。當(dāng)未固化的回填層305是乙烯基硅倍半氧烷時(shí)，一旦去除襯件，就將組件反轉(zhuǎn)并層合 至受體基底310,而無(wú)需粘附促進(jìn)層212 (步驟32)。隨后將所述結(jié)構(gòu)暴露于毯覆式紫外線 輻射320,以固化結(jié)構(gòu)化回填層305 (步驟33)并且促進(jìn)對(duì)受體基底310的更好的粘附。作 為另外一種選擇，加熱可用于固化回填層。在去除載體301上的經(jīng)隔離涂覆的結(jié)構(gòu)化模板 層303之后，所述制品包括設(shè)置在受體基底310上的結(jié)構(gòu)化固化回填層306。任選地，結(jié)構(gòu) 化固化回填層306隨后可經(jīng)受進(jìn)一步的熱處理，諸如高溫分解，以燒結(jié)、固化或熔合回填層 305并且汽化任何殘余的有機(jī)材料。
[0046] 未固化的回填層可在模板釋放時(shí)回流?？稍谀０遽尫艜r(shí)回流的示例性回填材料是 乙烯基硅倍半氧烷。在一些實(shí)施例中，可采用加熱來(lái)使一些未固化的回填材料回流。圖案 化區(qū)域和未圖案化區(qū)域（由于回流）可通過(guò)透過(guò)圖案化掩模進(jìn)行光固化來(lái)限定。在從模板 去除后，逆流的未固化區(qū)域可回流以形成平面化的表面，并且隨后可使用最終毯覆式固化 來(lái)聚合未固化區(qū)域的其余部分。圖4示出了設(shè)置在載體401上的結(jié)構(gòu)化模板層403。結(jié)構(gòu) 化模板層403具有隔離涂層的薄層（未示出），所述薄層通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積而 沉積。隨后用未固化的回填層405涂覆所得的結(jié)構(gòu)，以使得未固化的回填層405完全接觸 結(jié)構(gòu)化模板層403(步驟41)。穩(wěn)定的中間膜是通過(guò)將暫時(shí)性襯件404層合至未固化的回 填層而產(chǎn)生的。在使用層合轉(zhuǎn)印膜之前去除襯件。一旦襯件被去除，就隨后將組件反轉(zhuǎn)并 且層合至受體基底410 (步驟42)。將所述結(jié)構(gòu)透過(guò)設(shè)置在光掩模載體424上的光掩模425 而暴露于第一光化福射420。第一光化福射420光聚合回填材料406中未被光掩模425遮 擋的地方。第一光化輻射420無(wú)法穿透光掩模425,以使得回填層405保持為未聚合的。在 去除載體401上的經(jīng)隔離涂覆的結(jié)構(gòu)化模板層403之后，所述制品包括附著到受體基底410 的結(jié)構(gòu)化固化回填層406 (步驟43)。在從與模板層接觸移除后，未固化的回填層405回流 并且變成基本上平面化的（非結(jié)構(gòu)化）407。在回流之后，去除光掩模425,并且使所述結(jié)構(gòu) 暴露于毯覆式光化輻射422,以完全固化回填材料（步驟44)。任選地，這種結(jié)構(gòu)隨后可經(jīng) 受進(jìn)一步的熱處理，諸如高溫分解，以燒結(jié)、固化或熔合回填層405并且汽化任何殘余的有 機(jī)材料。
[0047] 在一些實(shí)施例中，數(shù)字激光曝光可用于聚合回填層的選擇性部分。圖5示出了用 于制備和使用本發(fā)明所公開的結(jié)構(gòu)化帶的工藝的流程圖，所述帶使用可固化的回填材料以 及用直寫式數(shù)字激光曝光進(jìn)行的層合后第一曝光。圖5示出了設(shè)置在載體501上的結(jié)構(gòu)化 模板層503。結(jié)構(gòu)化模板層503具有隔離涂層的薄層（未示出），所述薄層通過(guò)等離子體增 強(qiáng)化學(xué)氣相沉積或者使用已知涂覆方法的一些其他手段而沉積。隨后用未固化的回填層 505涂覆所得的結(jié)構(gòu)，以使得未固化的回填層505接觸結(jié)構(gòu)化模板層503(步驟51)。穩(wěn)定 的中間膜被制備為可任選地層合有暫時(shí)性襯件504以用于儲(chǔ)存和進(jìn)一步處理。在使用層合 轉(zhuǎn)印膜之前去除襯件。隨后將所述結(jié)構(gòu)反轉(zhuǎn)并且層合至受體基底510 (步驟52)。將所得的 結(jié)構(gòu)暴露于來(lái)自第一直寫式數(shù)字激光520的光柵化或矢量掃描的輻射束。第一直寫式數(shù)字 激光520在暴露于激光束的區(qū)域中光聚合回填材料506。回填層505的未暴露于激光束的 區(qū)域保持為未聚合的。在去除載體501上的經(jīng)隔離涂覆的結(jié)構(gòu)化模板層503 (步驟53)之 后，所述制品包括附著到受體基底510的結(jié)構(gòu)化固化回填層506。在從與模板層接觸移除 后，未固化的回填層505回流并且變成基本上平面化的（非結(jié)構(gòu)化）507。在回流之后，使 所述結(jié)構(gòu)暴露于第二光化輻射522,以完全固化回填材料508 (步驟54)。圖5A示出了一小 體積元件，顯示出暴露于激光的區(qū)域523被來(lái)自第一直寫式數(shù)字激光520的射束聚合。任 選地，這種結(jié)構(gòu)隨后可經(jīng)受進(jìn)一步的熱處理，諸如高溫分解，以燒結(jié)、固化或熔合回填層505 并且汽化任何殘余的有機(jī)材料。
[0048] 圖6示出了制造預(yù)曝光的圖案化層合轉(zhuǎn)印膜的方法。這種方法對(duì)于建筑應(yīng)用諸如 鳥撞預(yù)防膜和分級(jí)的日光重定向膜可為重要的。預(yù)曝光的圖案化層合轉(zhuǎn)印膜可用于其中不 需要精確定位（例如，與受體基底上的基準(zhǔn)點(diǎn)對(duì)齊）的應(yīng)用。圖6示出了制備和使用本發(fā) 明所公開的結(jié)構(gòu)化帶的工藝的流程圖，所述帶使用回填材料、預(yù)層合圖案化曝光，以及粘附 促進(jìn)層。圖6示出了設(shè)置在載體601上的結(jié)構(gòu)化模板層603。結(jié)構(gòu)化模板層603具有隔離 涂層的薄層（未示出），所述薄層通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積而沉積。作為另外一種 選擇，用于表面改性特征或涂層的其他方法可用于增強(qiáng)結(jié)構(gòu)化模板層的隔離特性。隨后用 未固化的回填層605 (乙烯基硅倍半氧烷）涂覆所得的結(jié)構(gòu)，以使得未固化的回填層605完 全接觸結(jié)構(gòu)化模板層603 (步驟61)并且形成穩(wěn)定的中間膜，所述中間膜可任選地覆蓋有隔 離襯件604以用于在處理期間的保護(hù)。將所述結(jié)構(gòu)透過(guò)設(shè)置在光掩模載體624上的光掩模 625而暴露于第一光化福射620 (步驟62)。第一光化福射620光聚合回填材料606中未被 光掩模625遮擋的地方。第一光化輻射620無(wú)法穿透光掩模625,以使得回填層605保持為 未聚合的。在第一光化輻射暴露之后，用粘附促進(jìn)層608外覆所得的結(jié)構(gòu)，粘附促進(jìn)層608 在一些實(shí)施例中可為與回填層605相同的材料（步驟63)。穩(wěn)定的中間膜被形成為可任選 地覆蓋有暫時(shí)性襯件604以用