一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]近年來，顯示技術得到了快速的發(fā)展，在以液晶顯示器(Liquid CrystalDisplay，簡稱LCD)為代表的顯示技術領域中，由于分辨率的提高和顯示尺寸的增大、以及顯示裝置中驅動器電路的集成需要進行低電阻布線，因此，具有低電阻特性的金屬例如銅(Cu)所制得的柵線和數(shù)據(jù)線、以及薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡稱TFT)中的柵極、源極和漏極已經應用于顯示裝置。
[0003]然而由于具有低電阻特性的金屬例如Cu的活性比較強，如果采用Cu制得的柵線、其他配線等導電連接部件時，在刻蝕過程中Cu表面容易發(fā)生氧化，導致接觸不良，影響了導電部件的導電性能。

【發(fā)明內容】

[0004]針對現(xiàn)有技術中的缺陷，本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，避免了由于導電部件采用低電阻特性的材料時，因其表面氧化影響導電性能的問題。
[0005]第一方面，本發(fā)明提供一種陣列基板的制備方法，包括:在襯底上形成像素電極層、柵金屬層和源漏金屬層，所述像素電極層包括第一連接部圖案，所述柵金屬層包括第二連接部圖案，并且所述源漏金屬層包括第三連接部圖案；
[0006]其中，所述第一連接部圖案與所述第二連接部圖案疊置，所述第一連接部圖案超出所述第二連接部圖案的部分通過第一過孔與所述第三連接部圖案電連接。
[0007]可選的，所述方法還包括:
[0008]在所述像素電極層和所述柵金屬層之間形成導電緩沖層。
[0009]可選的，所述方法還包括:
[0010]在所述柵金屬層上形成光刻膠層；
[0011 ] 利用灰階掩膜板通過曝光顯影工藝后形成完全曝光區(qū)域、未曝光區(qū)域以及灰度曝光區(qū)域，去掉所述完全曝光區(qū)域的光刻膠，以及灰度曝光區(qū)域的部分光刻膠；
[0012]刻蝕所述完全曝光區(qū)域對應的像素電極層、導電緩沖層和柵金屬層；
[0013]利用所述灰階掩膜板去掉所述灰度曝光區(qū)域的光刻膠；
[0014]刻蝕所述灰度曝光區(qū)域對應的導電緩沖層和柵金屬層，形成像素電極圖案和第一連接部圖案；
[0015]去掉所述未曝光區(qū)域的光刻膠，形成柵極圖案和第二連接部圖案。
[0016]可選的，所述方法還包括:
[0017]形成柵絕緣層和刻蝕阻擋層；
[0018]在所述柵絕緣層和刻蝕阻擋層預定第一連接部圖案和第三連接部圖案電連接的部分，形成用于使所述第一連接部圖案與所述第三連接部圖案電連接的第一過孔。
[0019]第二方面，本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括:襯底、像素電極層、柵金屬層和源漏金屬層，所述像素電極層包括第一連接部圖案，所述柵金屬層包括第二連接部圖案，并且所述源漏金屬層包括第三連接部圖案；
[0020]其中，所述第一連接部圖案與所述第二連接部圖案疊置，所述第一連接部圖案超出所述第二連接部圖案的部分通過第一過孔與所述第三連接部圖案電連接。
[0021]可選的，所述陣列基板還包括:設置在所述像素電極層和所述源漏金屬層之間的刻蝕阻擋層和柵絕緣層，所述第一過孔貫穿所述刻蝕阻擋層和柵絕緣層。
[0022]可選的，所述陣列基板還包括:設置在所述像素電極層和所述柵金屬層之間的導電緩沖層。
[0023]可選的，所述導電緩沖層的材質為鉬鈮合金或鈦。
[0024]可選的，設置在所述源漏金屬層的源極圖案或漏極圖案通過貫穿所述刻蝕阻擋層和柵絕緣層的第二過孔與設置在所述像素電極層的像素電極圖案電連接。
[0025]可選的，所述柵金屬層和所述源漏金屬層的材質均為銅。
[0026]第三方面，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0027]由上述技術方案可知，本發(fā)明提供的一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，通過將源漏金屬層上的第三連接部圖案與像素電極層上的第一連接部圖案電連接，取代了將源漏金屬層上的第三連接部圖案與柵金屬層上的第二連接部圖案電連接，有效避免了由于第二連接部圖案采用低電阻特性的材料時，因其表面氧化影響導電性能的問題。
【附圖說明】
[0028]圖1至圖10為本發(fā)明一實施例提供的制備陣列基板的過程示意圖；
[0029]其中附圖標記說明:
[0030]1、襯底；2、像素電極層；3、導電緩沖層；4、柵金屬層；5、光刻膠完全保留區(qū)域；6、光刻膠完全去除區(qū)域；7、光刻膠半保留區(qū)域；8、柵絕緣層；9、刻蝕阻擋層；10、有源層圖案；
I1、源漏金屬層；12、第一過孔；13、第二過孔；14、第三過孔；15、第四過孔；16、像素電極圖案暴露區(qū)域；21、第一連接部圖案；22、像素電極圖案；41、第二連接部圖案；42、柵極圖案；
II1、第三連接部圖案；112、源極圖案；113、漏極圖案。
【具體實施方式】
[0031]下面結合附圖，對發(fā)明的【具體實施方式】作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術方案，而不能以此來限制本發(fā)明的保護范圍。
[0032]本發(fā)明提供了一種陣列基板的制備方法，如圖10所示，包括:在襯底I上形成像素電極層2、柵金屬層4和源漏金屬層11，像素電極層2包括第一連接部圖案21，柵金屬層4包括第二連接部圖案41，并且源漏金屬層11包括第三連接部圖案111 ;
[0033]其中，第一連接部圖案21與第二連接部圖案41疊置，第一連接部圖案21超出第二連接部圖案41的部分通過第一過孔12與第三連接部圖案111電連接。
[0034]注意，在本發(fā)明中，第二連接部圖案和第三連接部圖案可以為傳輸信號或電力的線路的一部分。
[0035]上述方法通過將源漏金屬層11上的第三連接部圖案111與像素電極層2上的第一連接部圖案21電連接，取代了將源漏金屬層11上的第三連接部圖案111與柵金屬層4上的第二連接部圖案41電連接，有效避免了由于第二連接部41圖案采用低電阻特性的材料(例如:Cu)且刻蝕連接過孔時，因Cu表面氧化影響導電性能的問題。
[0036]下面對上述陣列基板的制備方法的流程進行詳細說明，該陣列基板的制備方法的流程可以包括以下步驟:
[0037]步驟S1、在襯底I上依次形成像素電極層2、導電緩沖層3和柵金屬層4，如圖1所示;
[0038]舉例來說，上述的襯底I可以為玻璃基板、石英基板或有機樹脂基板；像素電極層2的材質為透明導電金屬(例如:ΙΤ0)，厚度控制在100-2000nm ;導電緩沖層3形成在所述像素電極層2和柵金屬層4之間，其材質為防止Cu氧化以及Cu擴散的材質，例如:鉬鈮合金(MoNb)或鈦(Ti)等，厚度控制在1-1OOnm ;柵金屬層4材質為低電阻特性且活性較強的材質，例如銅或銅合金，本實施例均以Cu進行舉例說明，厚度控制在100-600nm ;上述各膜層的厚度可以依照實際情況進行適應性調整。
[0039]步驟S2、在柵金屬層4上形成光刻膠層；
[0040]步驟S3、利用灰階掩膜板通過曝光顯影工藝后形成完全曝光區(qū)域、未曝光區(qū)域以及灰度曝光區(qū)域，去掉完全曝光區(qū)域的光刻膠(光刻膠完全去除區(qū)域6)，以及灰度曝光區(qū)域的部分光刻膠(光刻膠半保留區(qū)域7)，如圖2所示；
[0041]可理解的是，灰階掩膜板包括完全不透明部分、半透明部分和完全透明部分；例如一種灰階掩膜板是在透明襯底材料上在某些區(qū)域形成不透光的遮光金屬層，在另外一些區(qū)域形成半透光的遮光金屬層，其他區(qū)域不形成任何遮光金屬層；其中，半透光的遮光金屬層的厚度小于完全不透光的遮光金屬層的厚度，此外，還可以通過調節(jié)半透光的遮光金屬層的厚度來改變半透光的遮光金屬層對紫外光的透過率。
[0042]基于此，灰階掩膜板的工作原理例如為:通過控制灰階掩膜板上下不同區(qū)域處遮光金屬層的厚度，使曝光在不同區(qū)域的透過光的強度有所不同，從而使光刻膠進行有選擇性的曝光顯影后，形成與灰階掩膜板的完全不透明部分、半透明部分以及完全透明部分分別對應的未曝光區(qū)域、灰度曝光區(qū)域和完全曝光區(qū)域。
[0043]本實施例中所指的光刻膠均為正性光刻膠，可以為由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。感光樹脂經過光照后，在曝光區(qū)域能很快地發(fā)生光固化反應，后續(xù)通過特定的溶液可以將固化的感光樹脂清洗掉。
[0044]步驟S4、刻蝕完全曝光區(qū)域對應的像素電極層2、導電緩沖層3和柵金屬層4，如圖3所示；
[0045]上述步驟S4可以理解為:通過濕刻工藝采用雙氧水系刻蝕液將完全曝光區(qū)域對應的柵金屬層4刻蝕掉，然后再通過干刻工藝采用干刻的氣體可以為C12+BC13，將完全曝光區(qū)域刻蝕掉柵金屬層4之后漏出的導電緩沖層3刻蝕掉；最后再通過濕刻工藝采用草酸系列刻蝕液將完全曝光區(qū)域刻蝕掉導電緩沖層3之后漏出的像素電極層2刻蝕掉，最后在完全曝光區(qū)域對應的位置漏出襯底I。
[0046]步驟S5、利用灰階掩膜板去掉灰度曝光區(qū)域的光刻膠，如圖4所示。
[0047]其原理與步驟S3類似，將不再進行詳細說明。
[0048]步驟S6、刻蝕灰度曝光區(qū)域對應的導電緩沖層3和柵金屬層4，形成像素電極圖案22和第一連接部圖案21，如圖5所示。
[0049]可理解的是，灰度曝光區(qū)域對應的導電緩沖層3和柵金屬層4的刻蝕方法與步驟S4中的方法類似，將不再進行詳細說明。
[0050]步驟S7、去掉未曝光區(qū)域的光刻膠(光刻膠完全保留區(qū)域5)，形成柵極圖案42和第二連接部圖案41，如圖6所示。
[0051]上述第二連接部圖案41可以為柵線、其他配線等導電連接部件。
[0052]在上述步驟S3-S7中，步驟S5中利用步驟S3中同一的灰階掩膜板去掉灰度曝光區(qū)域剩余部分的光刻膠，從而使得只采用了一道光罩就形成了像素電極圖案22、第一連接部圖案21、柵極圖案42和第二連接部圖案41，減少了光罩的使用量。
[0053]步驟S8、形成柵絕緣層8，如圖7所示。
[0054]步驟S9、在柵絕緣層8上形成有源層，并通過一次光罩形成有源層圖案10，如圖8所示。
[0055]有源層的材質為采用銦鎵鋅氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，簡稱IGZO)、銦錫鋅氧化物(Indium Tin