一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]近年來，顯示技術得到了快速的發(fā)展，在以液晶顯示器(Liquid CrystalDisplay，簡稱LCD)為代表的顯示技術領域中，由于分辨率的提高和顯示尺寸的增大、以及顯示裝置中驅(qū)動器電路的集成需要進行低電阻布線，因此，具有低電阻特性的金屬例如銅(Cu)所制得的柵線和數(shù)據(jù)線、以及薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡稱TFT)中的柵極、源極和漏極已經(jīng)應用于顯示裝置。
[0003]然而由于具有低電阻特性的金屬例如銅或銅合金的活性比較強，在刻蝕形成連接源極和漏極的有源層時，Cu表面容易發(fā)生氧化，并且Cu表面的氧化厚度隨著時間的增加而不斷增加，這樣造成Cu材質(zhì)的源極和漏極的接觸電阻增加，從而導致有源層圖案與源極圖案和漏極圖案連接電阻過高，進而影響產(chǎn)品的良率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對現(xiàn)有技術中的缺陷，本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，避免了由于第一電極圖案和第二電極圖案采用低電阻特性的材料時，因其表面氧化導致有源層圖案與第一電極圖案和第二電極圖案連接電阻過高的問題。
[0005]第一方面，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括:襯底基板、設置在所述襯底基板上的第一電極圖案、第二電極圖案、設置在所述第一電極圖案和所述第二電極圖案之間的有源層圖案、包覆所述第一電極圖案的第一電極保護圖案，以及包覆所述第二電極圖案的第二電極保護圖案，所述第一電極保護圖案和所述第二電極保護圖案分別與所述有源層圖案的兩側連接。
[0006]可選的，所述第一電極圖案和所述第二電極圖案的材質(zhì)為銅或銅合金。
[0007]可選的，所述第一電極圖案除下表面外被所述第一電極保護圖案所覆蓋，且所述第一電極保護圖案向所述有源層圖案延伸出第一延伸部，所述第一延伸部被所述有源層圖案的第一側覆蓋；
[0008]所述第二電極圖案除下表面外被所述第二電極保護圖案所覆蓋，且所述第二電極保護圖案向所述有源層圖案延伸出第二延伸部，所述第二延伸部被所述有源層圖案的第二側覆蓋。
[0009]可選的，所述陣列基板還包括:設置在所述第一電極圖案和所述第一電極保護圖案之間的第一緩沖層圖案，和設置在所述第二電極圖案和所述第二電極保護圖案之間的第二緩沖層圖案。
[0010]可選的，所述第一電極保護圖案、所述第二電極保護圖案、所述第一緩沖層圖案和/或所述第二緩沖層圖案的材質(zhì)為鉬鈮合金或鈦。
[0011]可選的，所述陣列基板還包括:設置在所述第一電極保護圖案、第二電極保護圖案和有源層圖案上方的柵絕緣層圖案，以及設置在所述柵絕緣層圖案上方的柵極圖案和像素電極圖案；
[0012]所述柵絕緣層圖案包括過孔，所述過孔用于使所述像素電極圖案與所述第一電極保護圖案或所述第二電極保護圖案電連接。
[0013]第二方面，本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制備方法，包括:
[0014]在襯底基板上形成第一電極圖案和第二電極圖案；
[0015]形成包覆所述第一電極圖案的第一電極保護圖案和包覆所述第二電極圖案的第二電極保護圖案；
[0016]在所述第一電極保護圖案和所述第二電極保護圖案之間形成有源層圖案；
[0017]其中，所述第一電極保護圖案和所述第二電極保護圖案分別與所述有源層圖案的兩側連接。
[0018]可選的，所述在襯底基板上形成第一電極圖案和第二電極圖案包括:
[0019]在襯底基板上形成電極材料層；
[0020]在形成所述電極材料層之后，形成緩沖材料層，通過一次構圖工藝形成所述第一電極圖案、所述第二電極圖案以及覆蓋在所述第一電極圖案表面上的第一緩沖層圖案和覆蓋在所述第二電極圖案表面上的第二緩沖層圖案，
[0021]其中，所述第一電極保護圖案包覆所述第一緩沖層圖案以及第一電極圖案，所述第二電極保護圖案包覆所述第二緩沖層圖案以及第二電極圖案。
[0022]可選的，所述方法還包括:
[0023]在所述第一電極保護圖案、第二電極保護圖案、有源層圖案上形成包括過孔的柵絕緣層圖案；
[0024]在所述柵絕緣層圖案上通過同一次構圖工藝形成柵極圖案和像素電極圖案；
[0025]其中，所述像素電極圖案通過所述過孔與所述第一電極保護圖案或第二電極保護圖案電連接。
[0026]可選的，所述第一電極保護圖案、所述第二電極保護圖案、所述第一緩沖層圖案和/或所述第二緩沖層圖案的材質(zhì)為鉬鈮合金或鈦。
[0027]可選的，所述第一電極圖案和所述第二電極圖案的材質(zhì)為銅或銅合金。
[0028]第三方面，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0029]由上述技術方案可知，本發(fā)明提供的一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，通過在采用低電阻特性的材料制成的第一電極圖案和第二電極圖案上形成包覆第一電極圖案的第一電極保護圖案，以及包覆第二電極圖案的第二電極保護圖案，在第一電極保護圖案和第二電極保護圖案之間形成有源層圖案，避免了由于第一電極圖案和第二電極圖案采用低電阻特性的材料時，因其表面氧化導致有源層圖案與第一電極圖案和第二電極圖案連接電阻過高的問題，提高了產(chǎn)品的良率。
【附圖說明】
[0030]圖1為本發(fā)明一實施例提供的陣列基板的制備方法的流程示意圖；
[0031]圖2至圖7為本發(fā)明一實施例提供的制備陣列基板的過程示意圖；
[0032]其中附圖標記說明:
[0033]1、電極材料層；2、緩沖材料層；3、第一電極保護圖案；4、第二電極保護圖案；5、有源層圖案；6、柵絕緣層圖案；7、柵極圖案；8、像素電極圖案；9、襯底基板；11、第一電極圖案；12、第二電極圖案；21、第一緩沖層圖案；22、第二緩沖層圖案；31、第一延伸部；41、第二延伸部。
【具體實施方式】
[0034]下面結合附圖，對發(fā)明的【具體實施方式】作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術方案，而不能以此來限制本發(fā)明的保護范圍。
[0035]本發(fā)明提供了一種陣列基板，如圖7所示，該陣列基板包括襯底基板9、設置在襯底基板9上的第一電極圖案11、第二電極圖案12、設置在第一電極圖案11和第二電極圖案12之間的有源層圖案5、包覆第一電極圖案11的第一電極保護圖案3，以及包覆第二電極圖案12的第二電極保護圖案4，第一電極保護圖案3和第二電極保護圖案4分別與有源層圖案5的兩側連接。
[0036]上述陣列基板通過在采用低電阻特性的材料制成的第一電極圖案11和第二電極圖案12上形成包覆第一電極圖案11的第一電極保護圖案3，以及包覆第二電極圖案12的第二電極保護圖案4，在第一電極保護圖案3和第二電極保護圖案4之間形成有源層圖案5，避免了由于第一電極圖案11和第二電極圖案12采用低電阻特性的材料時，因其表面氧化導致有源層圖案5與第一電極圖案11和第二電極圖案12連接電阻過高的問題，提高了廣品的良率。
[0037]上述第一電極圖案11和第二電極圖案12的材質(zhì)為低電阻特性且活性較強的材質(zhì)，例如銅或銅合金，本實施例均以銅進行舉例說明；有源層圖案5的材質(zhì)可以采用銦鎵鋅氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，簡稱 IGZO)、銦錫鋅氧化物(Indium Tin ZincOxide，簡稱ITZO)、氧化銦(In2O3)、以及氧化鋅(ZnO)等透明金屬氧化物半導體材料中的至少一種。
[0038]上述第一電極圖案11除下表面外被第一電極保護圖案3所覆