鋁電解電容器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電容器制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種鋁電解電容器。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前鋁電解電容器在工業(yè)電源和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中有大量的運(yùn)用，性能上要求鋁 電解電容器耐高紋波，且滿(mǎn)足低阻抗，超高壓等要求。而現(xiàn)有的鋁電解電容器的結(jié)構(gòu)一般 包括鋁殼及電芯，電芯包括正極鋁箱、負(fù)極鋁箱、正極導(dǎo)針、負(fù)極導(dǎo)針；正極導(dǎo)針與正極鋁箱 鉚接，負(fù)極導(dǎo)針與負(fù)極鋁箱鉚接，或者采用導(dǎo)箱條進(jìn)行端子和內(nèi)部正負(fù)極箱的連接。采用導(dǎo) 針或者導(dǎo)箱條，由于導(dǎo)針或者導(dǎo)箱條橫截面積小，與正負(fù)極鋁箱的接觸面小，因而金屬阻抗 大，額定載流量小，所以一定程度上限制了產(chǎn)品的性能的提高。當(dāng)有大電流通過(guò)時(shí)，導(dǎo)針或 者導(dǎo)箱條，甚至外露端子會(huì)發(fā)生熔斷失效。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明的主要目的是提供一種鋁電解電容器，旨在解決現(xiàn)有鋁電解電容器阻抗 大、導(dǎo)針或?qū)錀l容易發(fā)生熔斷失效的技術(shù)問(wèn)題。
[0004] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出的鋁電解電容器，該鋁電解電容器包括頂蓋、絕緣套 筒、上集流盤(pán)、芯組、下集流盤(pán)、外殼；所述芯組包括正極鋁箱、電解紙及負(fù)極鋁箱；所述電 解紙夾設(shè)在所述正極鋁箱及負(fù)極鋁箱之間，并與所述正極鋁箱及負(fù)極鋁箱共同卷繞形成所 述芯組；所述外殼呈一端開(kāi)口的筒狀設(shè)置，所述下集流盤(pán)、芯組及上集流盤(pán)由下至上依次嵌 設(shè)在所述外殼內(nèi)；所述正極鋁箱向上顯露出所述電解紙和負(fù)極鋁箱以形成正接觸端，所述 負(fù)極鋁箱向下顯露出所述電解紙和正極鋁箱以形成負(fù)接觸端；所述下集流盤(pán)、上集流盤(pán)對(duì) 應(yīng)與所述正接觸端、所述負(fù)接觸端焊接連接；所述絕緣套筒的一端嵌設(shè)在所述外殼內(nèi)并套 設(shè)在所述上集流盤(pán)的外圍；所述頂蓋與所述上集流盤(pán)連接，并密封設(shè)置在所述絕緣套筒的 另一端。
[0005] 優(yōu)選地，所述頂蓋的邊緣處向所述上集流盤(pán)凸設(shè)有呈環(huán)形設(shè)置的圍板，且該圍板 的端部與所述上集流盤(pán)抵接；所述絕緣套筒套設(shè)在所述圍板的外圍。
[0006] 優(yōu)選地，所述圍板的外周面設(shè)有沿所述圍板周向延伸而成環(huán)形設(shè)置的溝槽；所述 外殼與所述圍板相對(duì)的側(cè)壁對(duì)應(yīng)所述溝槽內(nèi)凸而形成環(huán)形隆起部；所述絕緣套筒卡設(shè)在所 述圍板與所述外殼的側(cè)壁之間，以保證頂蓋及上集流盤(pán)與所述外殼絕緣。
[0007] 優(yōu)選地，所述頂蓋在背離所述上集流盤(pán)的一側(cè)設(shè)有正極柱。
[0008] 優(yōu)選地，還包括壓力閥，所述頂蓋設(shè)有用于嵌設(shè)所述壓力閥的安裝孔；所述壓力閥 嵌設(shè)在所述安裝孔內(nèi)，并與所述安裝孔通過(guò)螺紋配合。
[0009] 優(yōu)選地，所述上集流盤(pán)上設(shè)有若干供電解液流通的第一過(guò)孔。
[0010] 優(yōu)選地，所述下集流盤(pán)的邊緣處向背離所述上集流盤(pán)的方向凸設(shè)有呈環(huán)形設(shè)置的 連接板；所述外殼的內(nèi)壁面的下部設(shè)有沿所述外殼周向方向延伸而成環(huán)形設(shè)置的卡位凸 緣；所述連接板的外周面與所述卡位凸緣抵接而卡設(shè)在所述卡位凸緣內(nèi)。
[0011] 優(yōu)選地，所述外殼的內(nèi)壁面上還設(shè)有沿所述外殼的周向方向延伸而成的定位凸 緣；所述定位凸緣位于所述卡位凸緣與所述外殼的底壁之間；所述連接板的端部與所述定 位凸緣抵接。
[0012] 優(yōu)選地，所述外殼的底壁的外壁面上設(shè)有負(fù)極柱。
[0013] 優(yōu)選地，所述下集流盤(pán)上設(shè)有若干供電解液流通的第二過(guò)孔。
[0014] 本發(fā)明提供的鋁電解電容器通過(guò)采用上集流盤(pán)與正極鋁箱激光熱熔焊連接，下集 流盤(pán)與負(fù)極鋁箱激光熱熔焊連接，增加了引流部件如上集流盤(pán)及下集流盤(pán)與正、負(fù)極鋁箱 的接觸面積，相應(yīng)地降低了引流部件與鋁箱的接觸抵抗，并由此提高了鋁電解電容器載流 能力，改善了鋁電解電容器的耐高紋波電流能力。
【附圖說(shuō)明】
[0015] 圖1為本發(fā)明提供的鋁電解電容器一實(shí)施例的部分分解結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016] 圖2為圖1中鋁電解電容器組裝后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，其中芯組已被移除；
[0017] 圖3為2中A處局部放大結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018] 圖4為2中B處局部放大結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019] 附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明：
[0020]
[0021] 本發(fā)明目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例，參照附圖做進(jìn)一步說(shuō)明。
【具體實(shí)施方式】
[0022] 下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例就本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此 處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0023] 本發(fā)明提出的鋁電解電容器，請(qǐng)參照?qǐng)D1至圖4,在一實(shí)施例中，該鋁電解電容器 包括頂蓋1、絕緣套筒2、上集流盤(pán)3、芯組4、下集流盤(pán)5、外殼6。芯組4包括正極鋁箱41、 電解紙（圖未示）及負(fù)極鋁箱42。電解紙夾設(shè)在正極鋁箱41及負(fù)極鋁箱42之間，并與正 極鋁箱41及負(fù)極鋁箱42共同卷繞形成芯組4。外殼6呈一端開(kāi)口的筒狀設(shè)置，下集流盤(pán) 5、芯組4及上集流盤(pán)3由下至上依次嵌設(shè)在外殼6內(nèi)。正極鋁箱41向上顯露出電解紙和 負(fù)極鋁箱42以形成正接觸端（未標(biāo)示），即芯組4的上端留有空白的正極鋁箱41 ;負(fù)極鋁 箱52向下顯露出電解紙和正極鋁箱41以形成負(fù)接觸端（未標(biāo)示），即芯組4與下集流盤(pán)5 相對(duì)的一端留有空白的負(fù)極鋁箱42。下集流盤(pán)、上集流盤(pán)對(duì)應(yīng)與正接觸端、負(fù)接觸端焊接連 接，具體地，下集流盤(pán)5、上集流盤(pán)3通過(guò)激光熱熔焊對(duì)應(yīng)與該負(fù)極鋁箱42的空白段、正極鋁 箱41的空白段焊接連接。絕緣套筒2的一端嵌設(shè)在外殼6內(nèi)并套設(shè)在上集流盤(pán)3的外圍。 頂蓋1與上集流盤(pán)3連接，并密封設(shè)置在絕緣套筒2的另一端。
[0024] 在本實(shí)施例中，可以理解的是，上集流盤(pán)3與正極鋁箱41焊接后會(huì)在上集流盤(pán)3 上的形成多個(gè)環(huán)形的焊斑，如此保證了上集流盤(pán)3的載流能力。同理，下集流盤(pán)5也會(huì)形成 相應(yīng)的環(huán)形焊斑。上集流盤(pán)3與正極鋁箱41之間、下集流盤(pán)5與負(fù)極鋁箱42之間通過(guò)多 點(diǎn)焊接也提高了上集流盤(pán)3及下集流盤(pán)5與芯組4之間的連接強(qiáng)度。
[0025] 本發(fā)明提供的鋁電解電容器通過(guò)采用上集流盤(pán)3與正極鋁箱41激光熱熔焊連接， 下集流盤(pán)5與負(fù)極鋁箱42激光熱熔焊連接，增加了引流部件如上集流盤(pán)3及下集流盤(pán)5與 正、負(fù)極鋁箱42的接觸面積，相應(yīng)地降低了引流部件與鋁箱的接觸抵抗，并由此提高了鋁 電解電容器載流能力，改善了鋁電解電容器的耐高紋波電流能力。
[0026] 進(jìn)一步地，頂蓋1的邊緣處向上集流盤(pán)3凸設(shè)有呈環(huán)形設(shè)置的圍板11，且該圍板 11的端部與上集流盤(pán)3抵接。絕緣套筒2套設(shè)在圍板11的外圍，以保證頂蓋1與外殼6之 間的絕緣。在本實(shí)施例中，可以理解的是，頂蓋1為金屬材質(zhì)，且優(yōu)選地，頂蓋1的材質(zhì)為鋁。 具體地，圍板11的端部與上集流盤(pán)3之間通過(guò)激光熱熔焊連接，以保證最大程度降低圍板 11與上集流盤(pán)3之間的接觸阻抗及保證它們之間的連接強(qiáng)度。
[0027] 進(jìn)一步地，圍板11的外周