具有來(lái)自側(cè)壁的特征的處理室的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種處理室。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及設(shè)計(jì)滿足與整體的系統(tǒng)效率相關(guān)的所需特點(diǎn)的處理室。
【背景技術(shù)】
[0002]在處理室的設(shè)計(jì)中，高度約束會(huì)影響那些能夠被整合到室中的特點(diǎn)的數(shù)量。特征將通常從襯底下方被送入以保持室內(nèi)部的圓柱對(duì)稱性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了實(shí)現(xiàn)上述目的并根據(jù)本發(fā)明的目的，提供了一種處理室裝置。該處理室包括具有頂部和側(cè)壁的室殼體。該處理室還具有密封件，該密封件用于將所述室殼體的所述側(cè)壁連接到位于所述處理室下方的下室的頂部。另外，該處理室具有聯(lián)結(jié)到所述室殼體的側(cè)壁的襯底保持器。此外，該處理室具有晶片升降環(huán)，該晶片升降環(huán)通過(guò)延伸穿過(guò)所述室殼體的側(cè)壁的側(cè)臂支撐。所述晶片升降環(huán)具有豎直豎立的至少三個(gè)支柱，每個(gè)支柱具有從所述支柱水平地延伸的至少一個(gè)指狀物。所述晶片升降環(huán)在上部位置的指狀物的頂部限定第一晶片傳運(yùn)平面。此外，提供了定位在所述處理室下方的下室。所述下室具有至少一個(gè)晶片支撐件，其中最低的至少一個(gè)晶片支撐件的頂部限定了第二晶片傳運(yùn)平面。此外，所述第一晶片傳運(yùn)平面和所述第二晶片傳運(yùn)平面之間的高度不大于傳送臂的最大豎直行程，所述傳送臂被配置為從所述第一晶片傳運(yùn)平面和所述第二晶片傳運(yùn)平面?zhèn)魉途?br>[0004]在本發(fā)明另一實(shí)施方式中，提供了一種處理室裝置。該處理室包括具有頂部和側(cè)壁的室殼體。該處理室還具有密封件，該密封件用于將所述室殼體的所述側(cè)壁連接到位于該處理室下方的室的頂部。此外，該處理室具有聯(lián)結(jié)到所述室殼體的側(cè)壁的襯底保持器。
[0005]在本發(fā)明的進(jìn)一步的實(shí)施方式中，提供了一種處理室。該處理室包括具有頂部和側(cè)壁的室殼體。該處理室還具有密封件，該密封件用于將所述室殼體的側(cè)壁連接到位于該處理室下方的室的頂部。此外，該處理室具有襯底保持器，該襯底保持器聯(lián)結(jié)到所述室殼體的側(cè)壁。該襯底保持器經(jīng)由具有盤旋部的撓性側(cè)面安裝件聯(lián)結(jié)于側(cè)壁。該處理室還具有晶片升降環(huán)，該晶片升降環(huán)由延伸穿過(guò)所述室殼體的側(cè)壁的側(cè)臂支撐。
[0006]下面在本發(fā)明的詳細(xì)描述中并結(jié)合下面的附圖將對(duì)本發(fā)明的這些和其它特征進(jìn)行更詳細(xì)的描述。
【附圖說(shuō)明】
[0007]另外，在附圖的附圖中，本發(fā)明通過(guò)示例的方式而不是通過(guò)限制的方式示出，并且在這些附圖中，相似的附圖標(biāo)記指代類似的要素，其中:
[0008]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的處理室的總覽圖。
[0009]圖2根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式示出了處理室的基座部分。
[0010]圖3根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式示出了具有圖2的基座部分以及具有室殼體的處理室的示意圖。
[0011]圖4根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式示出了側(cè)面安裝的襯底保持器撓性件的透視圖。
[0012]圖5根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式示出了側(cè)面安裝的襯底保持器撓性件的俯視圖。
[0013]圖6根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式示出了萬(wàn)向連接組件的透視圖。
[0014]圖7根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式示出了萬(wàn)向連接組件的剖視圖。
[0015]圖8根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式示出了晶片升降組件。
[0016]圖9根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式示出了整合有其它側(cè)面安裝的組件的晶片環(huán)組件。
[0017]圖10根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式示出了沿晶片環(huán)設(shè)置支柱的特寫圖，該支柱將由臂的抓緊器嚙合。
[0018]圖11根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式示出了三端口的排氣系統(tǒng)。
[0019]圖12根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式示出了處理室和傳送臂的總覽圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]現(xiàn)在將參考如在附圖中所示的本發(fā)明的幾個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明。在以下描述中，闡述了許多具體細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明的透徹理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明可以在沒(méi)有這些具體細(xì)節(jié)中的一些或全部的情況下實(shí)施。在其它實(shí)例中，未詳細(xì)描述公知的工藝步驟和/或結(jié)構(gòu)以免不必要地使本發(fā)明變得難以理解。
[0021]在處理室的設(shè)計(jì)中，能被整合到處理室內(nèi)的特點(diǎn)的選擇通常受高度約束的影響。因此，如果處理室不具有顯著的高度，則可能沒(méi)有足夠的豎直空間來(lái)安裝設(shè)施到晶片支撐件。作為將高度約束最小化的方式，本公開(kāi)內(nèi)容討論在處理室的側(cè)壁而不是在底板上提供設(shè)施和安裝支撐件。在一個(gè)實(shí)施例中，為了節(jié)省更多的豎直空間，省去室底板。在該例中，鄰接的室的頂板用作處理室的底板。
[0022]由于在所描述的實(shí)施方式中省去了處理室底板，所以已經(jīng)設(shè)計(jì)了用于在所討論的實(shí)施方式中的襯底保持器和所有設(shè)施的所有安裝特征，使得它們從處理室的側(cè)壁安裝。這涉及到用于將襯底保持器支撐在良好限定的位置的側(cè)面安裝的襯底保持器撓性件、用于襯底保持器的加熱器的功率饋給器、和溫度傳感器以及晶片升降機(jī)構(gòu)。以這種方式，本發(fā)明利用一種沒(méi)有來(lái)自處理室的底板的任何安裝或者支撐特征的室設(shè)計(jì)。事實(shí)上，處理室底板已完全地被省去。因此，用于襯底保持器和用于晶片升降件以及所有設(shè)施和傳感器的所有安裝特征被從側(cè)向支撐/供應(yīng)并聯(lián)結(jié)在室側(cè)壁。
[0023]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式所示的處理室100的總覽圖。如圖1所示，室殼體104被放置在下室110的頂部，以形成處理室100。室殼體104和下室110包含晶片115，如圖1所示。例如，在處理室100中，晶片115坐落在襯底保持器135上面。在下室110中，晶片115坐落在晶片支撐件116、117上。諸如最低晶片支撐件116和上部晶片支撐件117等晶片支撐件可包括晶片槽，如在圖1的下室110所示的，或者可以包括槽或晶片支撐件的其它形式?？墒褂镁哂腥齻€(gè)支柱142的晶片升降環(huán)140升降晶片115，每個(gè)支柱142具有指狀物144。指狀物144可以是懸臂狀的。此外，室殼體104具有密封件108，使得下室110的頂部是處理室100的底板。以這種方式，處理室100是無(wú)底板的，因?yàn)槠涞装鍋?lái)自下室110的頂板。此外，圖1示出了側(cè)面功率饋給器155和栗端口 160。
[0024]在這些例子中，處理室100可被用于多種應(yīng)用，包括但不限于剝離、退火、除氣處理、加熱處理或等離子體處理。此外，下室110可以是傳送室。然而，替代地，下室110可以是另一種形式的處理室。圖1還示出了與真空傳輸模塊(VTM 112)以及VTM接口 114相關(guān)的處理室100。晶片115可通過(guò)傳輸室被傳遞到真空傳輸模塊VTM 112內(nèi)。VTM 112將晶片115放置在六個(gè)室中的一個(gè)中。VTM接口 114使得VTM 112與室(諸如室100、110)相互配合。
[0025]在一個(gè)更具體的實(shí)施例中，圖2根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式示出了處理室100的基座部分102。如圖2所示，穿過(guò)側(cè)壁106提供處理室100的特征。例如，襯底保持器135使用聯(lián)結(jié)到處理室100的側(cè)壁106的撓性件120定位。關(guān)聯(lián)于處理室100的特征的進(jìn)一步的細(xì)節(jié)在下文討論。
[0026]圖3根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式示出了具有圖2的基座部分102以及具有室殼體104的處理室100的示意圖。室殼體104形成處理室100的頂部。如圖3所示，提供了具有特征的處理室100，這些特征設(shè)在處理室100的側(cè)壁106內(nèi)。特別是，處理室100具有側(cè)壁106，其中處理室100是無(wú)底板的。不是底板，而是處理室100的側(cè)壁106坐落在下室110的頂部，