基板101、以及玻璃基板101上的由低溫多晶硅(LTPS)形成的多晶硅層(i 一多晶硅層103a、p —多晶硅層103b、p+多晶硅層103c)，基底絕緣膜102置于玻璃基板101與多晶硅層之間。TFT基板100還包括:形成在多晶硅層上的第一金屬層105 (包括柵電極105a及存儲電容電極105b)，柵極絕緣膜104置于第一金屬層105與多晶硅層之間；以及經(jīng)由形成在層間絕緣膜106中的開口與多晶硅層連接的第二金屬層107(包括數(shù)據(jù)線107a、電力供給線107b、源電極/漏電極、第一接觸部107c) JFT基板100還包括:發(fā)光元件116 (包括陽電極111、有機(jī)EL(電致發(fā)光)層113、陰電極114以及覆蓋層115)，平坦膜110置于發(fā)光元件116與上述的部件之間。
[0069]干燥空氣被封入發(fā)光元件116與密封玻璃基板200之間的空間中，該空間被玻璃料密封部300密封，由此形成有機(jī)EL顯示裝置。發(fā)光元件116具有頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)。在發(fā)光元件116與密封玻璃基板200之間設(shè)有預(yù)定間隔，在密封玻璃基板200的光出射面?zhèn)刃纬搔?/4(四分之一波長)相位差板201和偏光板202，由此減小從外部入射的光線的反射。
[0070]在圖2中，一個(gè)像素由分別被夾在彼此相對的數(shù)據(jù)線107a和電力供給線107b之間的三個(gè)區(qū)域構(gòu)成。在三個(gè)區(qū)域中分別設(shè)置有開關(guān)TFT 108a(TFT部)、驅(qū)動TFT 108b (TFT部)、以及存儲電容部109。在圖2中，按照從左到右的順序設(shè)置有R子像素用數(shù)據(jù)線107a、G子像素用數(shù)據(jù)線107a、B子像素用數(shù)據(jù)線107a ;并且從左到右依次設(shè)置有R子像素用電力供給線107b、G子像素用電力供給線107b、B子像素用電力供給線107b。如果以RGB縱條紋方式設(shè)置像素，則在上述的三個(gè)區(qū)域上分別形成陽極電極111，并且將使用三個(gè)區(qū)域的相應(yīng)區(qū)域中的開關(guān)TFT 108a、驅(qū)動TFT 108b以及存儲電容部109驅(qū)動形成在三個(gè)區(qū)域的各區(qū)域中的發(fā)光元件116。然而，在本實(shí)施方式中，為了使用與RGB縱條紋方式類似的像素結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)S條紋方式中的像素陣列結(jié)構(gòu)，R子像素和G子像素的各陽電極111形成為跨越兩個(gè)區(qū)域。
[0071]具體而言，關(guān)于發(fā)出相對發(fā)光度最低顏色的光的B子像素，主要沿B子像素用數(shù)據(jù)線107a和B子像素用電力供給線107b以縱長形狀形成陽電極111 (由圖2的粗實(shí)線表示)，并且發(fā)光元件116在圖2右側(cè)的B發(fā)光區(qū)域119 (由圖2的粗虛線表示)發(fā)光。另一方面，關(guān)于R子像素，陽電極111以矩形形狀形成在從R子像素用數(shù)據(jù)線107a跨越到G子像素用電力供給線107b的區(qū)域的上半部分，發(fā)光元件116在圖2的左上部的R發(fā)光區(qū)域117中發(fā)光。另外，關(guān)于發(fā)出相對發(fā)光度最高的顏色的光的G子像素，陽電極111以矩形形狀形成在從R子像素用數(shù)據(jù)線107a跨越到G子像素用電力供給線107b的區(qū)域的下半部分，并且發(fā)光元件116在圖2的左下部的G發(fā)光區(qū)域118中發(fā)光。在此，本說明書和權(quán)利要求書中的相對發(fā)光度最高顏色和相對發(fā)光度最低顏色是相對的表述，“最高”和“最低”通過比較一個(gè)像素中包含的多個(gè)子像素的顏色所對應(yīng)的發(fā)光度(人眼的敏感度)來限定。
[0072]換言之，各顏色的子像素通過使用在被相應(yīng)顏色的數(shù)據(jù)線107a和電力供給線107b包圍的區(qū)域中形成的開關(guān)TFT 108a、驅(qū)動TFT 108b以及存儲電容部109驅(qū)動。R子像素和G子像素的陽電極111以跨越被R子像素用數(shù)據(jù)線107a和電力供給線107b包圍的區(qū)域、以及被G子像素用數(shù)據(jù)線107a和電力供給線107b包圍的區(qū)域的方式，分別形成在上部和下部。因此，分別連接陽電極111和驅(qū)動TFT 108b的源電極/漏電極的第二接觸部Illa如圖2所示配置。開關(guān)TFT108a為了抑制來自數(shù)據(jù)線107a的串?dāng)_，具有如圖3所示的雙柵極結(jié)構(gòu)。用于將電壓轉(zhuǎn)換成電流的驅(qū)動TFT 108b為了使制造過程的偏差最小，具有如圖2所示的纏繞形狀，由此確保充足的通道長度。另外，通過延長各驅(qū)動TFT 108b的柵電極使其還用作存儲電容部109的電極，可在有限的面積內(nèi)確保充足的存儲電容。這種像素結(jié)構(gòu)使RGB各顏色的光發(fā)出(發(fā)光)區(qū)域變大，由此減小了用于獲得各顏色的所需亮度的每單位面積的電流密度，并且能夠使發(fā)光元件的壽命延長。
[0073]圖3表示來自發(fā)光元件116的光線經(jīng)由密封玻璃基板200發(fā)射到外部的頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)。可替選地，發(fā)光元件116可具有光線經(jīng)由玻璃基板101放射到外部的底部發(fā)射結(jié)構(gòu)。
[0074]接下來，參照圖4至圖6對各子像素的驅(qū)動方法進(jìn)行說明。圖4是子像素的主要電路的構(gòu)成圖，圖5是波形圖，圖6是驅(qū)動TFT 108b的輸出特性圖。各子像素由在線性區(qū)域工作的開關(guān)TFT 108a、在飽和區(qū)域工作的驅(qū)動TFT 108b、存儲電容部109、以及發(fā)光元件116 (OLED)構(gòu)成，并且被兩晶體管系統(tǒng)驅(qū)動和控制。開關(guān)TFT 108a是p溝道型FET (場效應(yīng)晶體管)，掃描線(柵電極)105a與其柵極端子連接，數(shù)據(jù)線107a與其漏極端子連接。驅(qū)動TFT 108b是p溝道型FET，其柵極端子與開關(guān)TFT 108a的源極端子連接。另外，驅(qū)動TFT108b的源極端子與電力供給線107b(或陽極驅(qū)動用正電源VDD)連接，其漏極端子與發(fā)光元件116(OLED)連接。另外，在驅(qū)動TFT 108b的柵極與源極之間形成存儲電容部109。在圖4中，VSS表示陰極(負(fù)電源)。
[0075]在上述結(jié)構(gòu)中，當(dāng)將作為掃描信號的選擇脈沖(圖4中的掃描、圖5中的掃描N、掃描N+1)向掃描線(柵電極)105a輸出而使開關(guān)TFT 108a處于斷開狀態(tài)時(shí)，經(jīng)由數(shù)據(jù)線107a供給的數(shù)據(jù)信號(像素信號)Vdata作為電壓值被寫入到存儲電容部109中。在此，數(shù)據(jù)信號Vdata被供給作為模擬電壓，并且它們的電壓值落在使亮度最大的白電位與使亮度最小的黑電位之間的范圍內(nèi)。寫入到存儲電容部109中的存儲電壓被保持經(jīng)過I幀時(shí)段，通過該存儲電壓，驅(qū)動TFT 108b的電導(dǎo)以模擬方式變化，與發(fā)光的灰度級相對應(yīng)的正向偏置電流被供應(yīng)給發(fā)光元件116 (OLED)。
[0076]圖6是表示驅(qū)動TFT 108b的柵極和源極之間的電壓值Vgs分別是一1.5V、一
2.0V,- 2.5V、一 3.0V和一 3.5V的、驅(qū)動TFT 108b的漏極與源極之間的電流、換言之發(fā)光元件116(0LED)的驅(qū)動電流Ids、與驅(qū)動TFT 108b的漏極和源極之間的電壓的關(guān)系的圖。該圖還表示發(fā)光元件116的I 一 V特性。各柵極-源極電壓值Vgs處的驅(qū)動TFT 108b的輸出特性曲線具有無論Vds的值如何Ids的值大致相同的部分。
[0077]從圖6可看出，以恒定電流驅(qū)動發(fā)光元件116(0LED)，由此即使由于發(fā)光元件116 (OLED)的劣化而導(dǎo)致其電阻變化，發(fā)光元件116 (OLED)也能夠保持恒定亮度的同時(shí)發(fā)出光。因此，上述的驅(qū)動方法適合作為本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置的驅(qū)動方法。
[0078]接下來，對具有上述結(jié)構(gòu)的有機(jī)EL顯示裝置的像素陣列結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。首先，為了使本發(fā)明的實(shí)施方式容易理解，參照圖7至圖9對常規(guī)S條紋方式的像素陣列結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖7是示意性表示常規(guī)S條紋方式的像素(兩個(gè)像素在豎直方向上彼此相鄰)的RGB子像素的配置的平面圖。圖8是表示各像素的重心位置和發(fā)出相對發(fā)光度最高的顏色的光的G子像素以及發(fā)出相對發(fā)光度最低的顏色的光的B子像素各自的重心位置的平面圖。圖9A和圖9B分別是在圖8的Y方向(圖8的豎直方向)和圖8的X方向(圖8的水平方向)的RGB各子像素所對應(yīng)的相對發(fā)光度以及這些相對發(fā)光度的總和的空間分布圖。相對發(fā)光度表示人眼對特定波長的光的相對敏感度，其中人眼的反應(yīng)峰值下的頻率或波長的光的相對發(fā)光度設(shè)為一個(gè)單位(I)。
[0079]在圖7至圖24中，在各像素的左上側(cè)設(shè)置R子像素，在左下側(cè)設(shè)置發(fā)出相對發(fā)光度最高的顏色的光的G子像素，在各像素的右側(cè)設(shè)置發(fā)出相對發(fā)光度最低的顏色的光的B子像素。然而，只要發(fā)出相對發(fā)光度最低的顏色的光的子像素的尺寸最大并且配置在矩形形狀的像素的四角中的相鄰的兩角附近(設(shè)置為在相鄰的角部之間延伸)，發(fā)出相對發(fā)光度最高的顏色的光的子像素設(shè)置在像素的四角中的其余兩角中的一角的附近，以及發(fā)出相對發(fā)光度最高顏色和相對發(fā)光度最低顏色以外的顏色的光的子像素設(shè)置在其余兩角中的另一角的附近，則這些子像素可任意地設(shè)置。在本實(shí)施方式的像素陣列結(jié)構(gòu)中，各子像素的形狀、子像素之間的距離、各子像素與像素外圍之間的距離以及其他的因素不應(yīng)該限于圖中所示的結(jié)構(gòu)，而可以考慮制造精度和對有機(jī)EL顯示裝置所要求的顯示性能，適當(dāng)進(jìn)行變更。
[0080]另外，圖8、圖11、圖14、圖17、圖20、圖23中的各像素的邊界線(虛線)不應(yīng)該由TFT基板100的部件限定，而應(yīng)該由反復(fù)配置子像素組的條件下與相鄰的子像素組的關(guān)系來限定。雖然每個(gè)像素不一定必須是矩形，但在本實(shí)施例中設(shè)為矩形。在任何情況下，本說明書和權(quán)利要求書中的像素的重心不是該矩形的重心，而是包圍第一顏色子像素(G子像素)、第二顏色子像素(R子像素)以及第三顏色子像素(B子像素)的最小矩形(由粗線表示)的重心，換言之，該最小矩形的兩個(gè)對角線相互交叉的位置。
[0081]圖9A表示圖7中所示的S條紋方式的像素陣列結(jié)構(gòu)中的Y方向的相對發(fā)光度的空間分布。如圖9A所示，B子像素所對應(yīng)的相對發(fā)光度的空間分布的峰值位置與像素重心一致，R子像素所對應(yīng)的相對發(fā)光度的空間分布的峰值位置和G子像素所對應(yīng)的相對發(fā)光度的空間分布的峰值位置位于相對于像素重心大致對稱的位置。圖9B表示X方向上的相對發(fā)光度的空間分布。如圖9B所示，R子像素所對應(yīng)的相對發(fā)光度的空間分布的峰值位置與G子像素所對應(yīng)的相對發(fā)光度的空間分布的峰值位置一致，并且這些峰值的位置與B子像素所對應(yīng)的相對發(fā)光度的空間分布的峰值位置位于相對于像素重心大致對稱的位置。
[0082]圖10至圖12B表示本實(shí)施方式的像素陣列結(jié)構(gòu)的一例(圖案I)。圖案I的特征在于，發(fā)出相對發(fā)光度最高顏色的光的G子像素的一部分被去除，其中，該部分遠(yuǎn)離像素重心，換言之，與面向像素重心的部分相對(在圖11中，G子像素的左下部)。
[0083]在圖10所示的S條紋方式的像素陣列結(jié)構(gòu)中，如圖11所示，G子像素的重心(由圖11中的十字標(biāo)記表示)與常規(guī)S條紋方式的G子像素的重心相比，向圖的右上方向(換言之，子像素靠近像素重心的方向)移動。在該像素陣列結(jié)構(gòu)的情況下，關(guān)于Y方向的相對發(fā)光度的空間分布，如圖12A所示，G子像素所對應(yīng)的相對發(fā)光度的空間分布的峰值位置(在圖12中由短虛線表示)與常規(guī)S條紋方式的G子像素的重心相比，向像素的重心(向像素的重心側(cè))移動。關(guān)于X方向上的相對發(fā)光度的空間分布，如圖12B所示，G子像素所對應(yīng)的相對發(fā)光度的空間分布的峰值位置與常規(guī)S條紋方式的各R子像素和G子像素的重心相比向像素重心移動。即，發(fā)出相對發(fā)光度最高顏色的光的G子像素所對應(yīng)的相對發(fā)光度的空間分布的峰值位置更接近像素重心，由此G子像素所對應(yīng)的相對發(fā)光度的空間分布