帶有附加層的tft lcd結(jié)構(gòu)生成方法及不良檢測設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于光學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種帶有附加層的TFT IXD結(jié)構(gòu)生成方法及不良檢測方法。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜場效應(yīng)晶體管TFT-LCD因其體積小，功耗低、無輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場占據(jù)了主導(dǎo)地位。TFT-LCD器件是由陣列玻璃基板和彩膜玻璃基板對盒而形成的。在陣列基板中相互交叉地配置定義像素區(qū)域的柵極線和信號線，在各像素區(qū)域中配置像素電極和薄膜晶體管。將驅(qū)動信號施加到柵極線上，圖像數(shù)據(jù)通過信號線施加到像素電極。在彩膜基板上配置黑底，使光不能透過除了像素電極以外的區(qū)域，在各像素區(qū)域配置濾色層，在此基礎(chǔ)上在配置公共電極。在陣列基板和彩膜基板中充入液晶，通過上述的加載驅(qū)動和信號的像素電極的電壓來控制液晶的偏轉(zhuǎn)來控制光線的強(qiáng)弱，配合彩膜基板的功能，在基板上顯示出所要表達(dá)的圖像。
[0003]當(dāng)前的TFT IXD制造工藝中，亮線和亮點(diǎn)是制造過程中的主要不良。其中，亮線不良大部分是由于灰塵引起的柵極掃描線或者信號線斷開型不良，表現(xiàn)在顯示屏上就是一條不隨著屏幕色彩變化的亮線。亮點(diǎn)不良則有多種原因，例如灰塵，薄膜殘留等等。針對四次掩膜技術(shù)而言，最主要的兩種不良是溝道短路和溝道過刻蝕，分別是由于溝道部分非晶硅殘留α — Si和α — Si被刻蝕太多引起的亮點(diǎn)不良。這兩種不良在生產(chǎn)過程中很難發(fā)現(xiàn)，只有到了陣列基板電學(xué)測試階段，才可以實現(xiàn)對于GT Bridge的檢出。對于Channel Open類型的不良，如果溝道部分沒有完全斷開的話，它的充放電功能還可以完成，那么在arraytest階段也很難被發(fā)現(xiàn)。只有到了成盒測試階段，才會以顯示不均的不良形式表現(xiàn)出來。該類型的不良通常都要到test階段才能發(fā)現(xiàn)，不能在各個工序之后及時發(fā)現(xiàn)該類型不良并實施解決方法，這樣就延誤了解決的時機(jī)，往往會造成不良的大量發(fā)生。
[0004]如圖1至圖4所示，傳統(tǒng)的TFT IXD在每一幀中，柵極掃描線I用來對每一行施加開啟電壓。當(dāng)選中的行開啟之后，信號線2對該行的像素進(jìn)行電信號的寫入。電信號經(jīng)過有緣層α-Si TFT層3之后，傳輸?shù)较袼仉姌O5上面。像素電極5和公共電極4以及液晶分子共同作用，實現(xiàn)光線的偏轉(zhuǎn)和透過。這就是液晶顯示器的基本工作原理。當(dāng)信號線由于灰塵等原因產(chǎn)生斷開不良7的時候，信號線從該部分?jǐn)嚅_，電信號沒有辦法施加到下面的像素上，像素上的液晶分子也就不會有偏轉(zhuǎn)現(xiàn)象產(chǎn)生。在常白模式下，光會一直透過該不良部分的像素，形成亮線不良。當(dāng)溝道發(fā)生過刻現(xiàn)象6，溝道部分的α — Si被刻蝕掉，露出下面的SiNx和柵極掃描線時，該部分的充放電功能和正常像素相比就會有所差異。開啟電流1n和關(guān)斷電流1ff以及閾值電壓Vth都會產(chǎn)生變化，形成亮點(diǎn)和Mura不良。
[0005]綜上所述，所有這些不良最快也要在array test階段才能被檢測出來，而channelopen型的不良一直到cell test階段才能檢出。這樣就延誤了設(shè)備的調(diào)整時間，使得不良持續(xù)發(fā)生，造成大批相似的不良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種帶有附加層的TFT IXD結(jié)構(gòu)生成方法及不良檢測設(shè)備，其通過在液晶陣列基板上形成一層用于指示不良位置的帶有顏色的附加層，在第二層完成，形成溝道圖形的時候，就可以提前發(fā)現(xiàn)不良。
[0007]本發(fā)明的帶有附加層的TFT IXD結(jié)構(gòu)生成方法，其包括:
[0008]步驟1，在玻璃基板上通過沉積、光刻和刻蝕后形成柵極掃描線，并在它上面沉積一層SiNx保護(hù)膜層；
[0009]步驟2，在所述SiNx保護(hù)膜層上形成一層帶有顏色的附加層，所述附加層為金屬膜、絕緣膜或高分子材料薄膜；所述附加層帶有的顏色與SiNx和信號線顏色不同；
[0010]步驟3，在所述附加層上沉積一層和所述SiNx保護(hù)膜層相同的SiNx薄膜作為保護(hù)層；
[0011]步驟4，利用現(xiàn)有沉淀方式在所述SiNx薄膜沉積信號線、a -Si TFT和SiNx層；其中a -Si TFT為非晶硅晶體管；
[0012]步驟5，將暴露在光刻膠外面的附加層以及SiNx薄膜刻蝕掉，保留SiNx保護(hù)膜層，再利用現(xiàn)有工藝方式進(jìn)行鈍化層PVX和像素電極層ITO處理，形成TFT LCD結(jié)構(gòu)。
[0013]本發(fā)明還提供一種帶有附加層的TFT IXD結(jié)構(gòu)生成方法，其包括:
[0014]步驟1，在玻璃基板上形成一層帶有顏色的附加層，然后通過沉積、光刻和刻蝕后形成柵極掃描線，并在它上面沉積一層SiNx保護(hù)膜層；
[0015]步驟2，利用現(xiàn)有沉淀方式在所述SiNx保護(hù)膜層上沉積信號線、a -Si TFT層和SiNx層；其中a -Si TFT為非晶硅晶體管；
[0016]步驟3，將暴露在光刻膠外面的附加層以及SiNx保護(hù)膜層刻蝕掉，保留SiNx保護(hù)膜層，以進(jìn)行PVX和ITO工藝，形成TFT IXD結(jié)構(gòu)。
[0017]進(jìn)一步的，附加層為紅色或者紫色。
[0018]本發(fā)明還提供一種TFT IXD結(jié)構(gòu)的不良觀測設(shè)備，觀測對象為所述生成的TFT LCD結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括:測試基臺，TFT LCD結(jié)構(gòu)，光源，濾光板，探測器，外圍封閉物；
[0019]其中，外圍封閉物為封閉黑箱，測試基臺位于外圍封閉物內(nèi)部，TFT IXD結(jié)構(gòu)位于測試基臺上，光源置于玻璃基板上方，該光源發(fā)出的光經(jīng)經(jīng)TFT LCD結(jié)構(gòu)反射后抵達(dá)探測器的接受端，且探測器的接受端設(shè)有濾光板。
[0020]所述測試基臺為黑色。
[0021]所述光源為LED燈。
[0022]所述附加層和SiNx薄膜的厚度范圍在1000?4000Α之間。
[0023]有益效果:
[0024]本發(fā)明生成的TFT LCD結(jié)構(gòu)，如果制作流程中沒有發(fā)生不良現(xiàn)象，則附加層和SiNx層不起任何作用，也不會對顯示效果造成影響。當(dāng)不良發(fā)生時，覆蓋在不良點(diǎn)上面的α -Si會被刻蝕掉，露出下面的附加層以及SiNx層，其中SiNx是透明的，整個溝道部分呈現(xiàn)出附加層的顏色。當(dāng)附加層的顏色和溝道，信號線等部分顏色不同的時候，就可以通過觀測來區(qū)分出該像素是否發(fā)生了過刻蝕不良。當(dāng)信號線上面發(fā)生斷開的時候，下面的附加層和SiNx層也會暴露出來并顯示相應(yīng)的顏色。通過本發(fā)明的探測設(shè)備來可以檢測出這種不良。當(dāng)不良發(fā)生的時候，可以本發(fā)明的不良測量設(shè)備來發(fā)現(xiàn)不良的發(fā)生情況，以及時做針對性的調(diào)整。
【附圖說明】
[0025]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的TFT IXD結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的TFT IXD結(jié)構(gòu)在產(chǎn)生斷開型不良時的示意圖；
[0027]圖3為現(xiàn)有技術(shù)中的TFT IXD結(jié)構(gòu)的溝道結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖4為現(xiàn)有技術(shù)中溝道結(jié)構(gòu)在產(chǎn)生斷開型不良時的示意圖；
[0029]圖5為本發(fā)明的TFT IXD結(jié)構(gòu)中柵極掃描線和SiNx層結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖6為本發(fā)明的TFT IXD結(jié)構(gòu)中附加層結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖7為本發(fā)明的帶有附加層的TFT IXD結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖8為本發(fā)明的TFT IXD結(jié)構(gòu)檢測設(shè)備示意圖。
[0033]其中，附圖標(biāo)記為:1.柵極掃描線；2.信號線；3.α -Si TFT層；4.Common電極；5.像素電極；6.溝道部分的過刻現(xiàn)象；7.信號線斷開不良；8.玻璃基板；9.SiNx保護(hù)膜層；1-SiNx層；11.附加層；12.SiNx層；13.測試基臺；14.TFT LCD結(jié)構(gòu)；15.光源；16.濾光板；17.探測器；18.外圍封閉物。
【具體實施方式】
[0034]本發(fā)明提出了一種帶有附加層的TFT IXD結(jié)構(gòu)，以便及時發(fā)現(xiàn)不良的發(fā)生。其目的是在溝道下面形成一層有顏色的薄膜，當(dāng)溝道刻蝕結(jié)束的時候，可以通過特殊的觀測設(shè)備觀察該部分反射光的顏色，來判斷是否有斷開現(xiàn)象發(fā)生。
[0035]如圖5至圖7所示，本發(fā)明的帶有附加層的TFT IXD結(jié)構(gòu)生成方法為:
[0036]步驟1，在玻璃基板8上通過沉積、光刻和刻