鈍化膜的制備方法、太陽電池及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于晶娃太陽能電池器件制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其設(shè)及一種純化膜的制備方 法、太陽電池及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前，光伏業(yè)內(nèi)多晶娃電池轉(zhuǎn)換效率約為18%，單晶娃電池轉(zhuǎn)換效率約為20%。理 論上，多晶娃電池的轉(zhuǎn)換效率可W達(dá)到20. 4%，單晶娃電池轉(zhuǎn)換效率可W達(dá)到29%。晶娃電 池轉(zhuǎn)換效率仍有很大的提升空間。
[0003] 現(xiàn)有的工業(yè)上晶娃太陽電池，通常采用絲網(wǎng)印刷的方式制備太陽電池的柵線。柵 線由細(xì)柵和主柵組成。細(xì)柵的寬度一般約為40~80化，主柵的寬度一般約為1.1mm。由于 柵線和娃片的表面直接接觸，而且高溫?zé)Y(jié)時(shí)，漿料會(huì)對(duì)娃片的表面產(chǎn)生一定的損傷，造成 柵線和娃片的界面處復(fù)合速率非常高，可達(dá)IX1〇7cm/s。運(yùn)造成了在柵線處大量的載流子 復(fù)合，晶娃電池轉(zhuǎn)換效率降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種純化膜的制備方法， 還提供一種光電轉(zhuǎn)換效率高的太陽電池，還提供一種大幅度減少主柵處的表面復(fù)合速率， 在保證短路電流和填充因子的基礎(chǔ)上較大程度的提升開路電壓，有效提高光電轉(zhuǎn)換效率的 太陽電池的制備方法。
[0005] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用W下技術(shù)方案： 一種純化膜的制備方法，包括W下步驟： 在娃片的PN結(jié)和電極之間沉積純化膜，所述純化膜的厚度為Inm~lOnm。
[0006] 作為一個(gè)總的技術(shù)構(gòu)思，本發(fā)明還提供一種太陽電池，包括基底娃片、PN結(jié)和主柵 電極，所述PN結(jié)位于基底娃片的前表面上，所述主柵電極設(shè)于PN結(jié)上，其特征在于，所述PN 結(jié)和主柵電極之間設(shè)有一層純化膜，所述純化膜的厚度為Inm~lOnm。
[0007] 上述的太陽電池，所述純化膜包括非晶娃或氧化侶。
[0008] 作為一個(gè)總的技術(shù)構(gòu)思，本發(fā)明還提供一種太陽電池的制備方法，包括W下步 驟： (1) 在娃片的前表面上制備PN結(jié)； (2) 在所述PN結(jié)上的預(yù)設(shè)主柵位置處沉積純化膜，所述純化膜的厚度為Inm~IOnm; (3) 印刷電極漿料，其中主柵印刷于所述純化膜上，燒結(jié)后得到太陽電池。
[0009] 上述的制備方法，優(yōu)選的，所述步驟（2)的具體過程為： (2. 1)在所述PN結(jié)上沉積減反射膜； (2. 2)在所述減反射膜上制備掩膜； (2. 3)去除所述減反射膜上的預(yù)設(shè)主柵位置處的掩膜； (2. 4)去除PN結(jié)上的預(yù)設(shè)主柵位置處的減反射膜，所述減反射膜上的預(yù)設(shè)主柵位置處 與所述PN結(jié)上的預(yù)設(shè)主柵位置處相對(duì)應(yīng)； (2. 5)在所述PN結(jié)上的預(yù)設(shè)主柵位置處沉積純化膜； (2. 6)去除所述減反射膜上的掩膜。
[0010] 上述的制備方法，優(yōu)選的，所述步驟（2. 1)中，采用等離子氣相沉積法沉積所述減 反射膜。進(jìn)一步優(yōu)選的，所述減反射膜的厚度為70nm~90nm。
[0011] 上述的制備方法，優(yōu)選的，所述步驟（2. 4)中，采用氨氣酸質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0. 5%~5%的 氨氣酸溶液去除預(yù)設(shè)主柵位置處的減反射膜。
[0012] 上述的制備方法，優(yōu)選的，所述步驟（2. 5 )中，采用PECVD法或ALD法沉積所述純 化膜。進(jìn)一步優(yōu)選的，所述純化膜包括非晶娃、氧化侶。
[0013] 上述的制備方法，優(yōu)選的，所述步驟（2. 6)中，去除所述減反射膜上的掩膜的具體 步驟為：先采用丙酬清洗，再經(jīng)去離子水沖洗，接著采用異丙醇清洗，最后用去離子水沖洗。
[0014] 上述的制備方法，優(yōu)選的，所述步驟（1)的具體過程為： (1.1)對(duì)P型基底娃片進(jìn)行清洗制絨； (1. 2)通過擴(kuò)散，在P型基底娃片的表面制備結(jié)深為0. 3化~0. 5化的n型擴(kuò)散層； (1. 3)二次清洗P型基底娃片，去除娃片表面的憐娃玻璃及背面的p-n結(jié)。
[0015] 上述的制備方法，優(yōu)選的，所述步驟（2. 2)中，在所述減反射膜上制備掩膜的方法 包括旋涂。進(jìn)一步優(yōu)選的，所述掩膜的厚度為1化~20化，所述掩膜包括光刻膠膜。
[0016] 上述的制備方法，優(yōu)選的，所述步驟（2. 3)中，去除所述減反射膜上的預(yù)設(shè)主柵位 置處的掩膜的方法包括光刻。
[0017] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于： 1、本發(fā)明的太陽電池，n型擴(kuò)散層和主柵電極之間設(shè)有一層很薄的純化膜，由于絕大部 分的載流子是通過細(xì)柵進(jìn)行收集，而主柵的主要作用是將載流子導(dǎo)入外電路。因此，主柵下 面設(shè)置一層很薄的純化膜，可W大幅度減少主柵處的表面復(fù)合速率。而且薄膜的厚度足夠 薄，載流子能通過隧道效應(yīng)，從娃片輸運(yùn)到主柵，不會(huì)出現(xiàn)由于主柵處的純化膜造成串聯(lián)電 阻的大幅度增加的情況。達(dá)到了大幅度減少娃片整體的前表面復(fù)合速率，提高太陽電池的 光電轉(zhuǎn)換效率的目的。
[0018] 2、本發(fā)明的太陽電池的制備方法，在n型擴(kuò)散層和主柵電極之間進(jìn)行純化膜沉 積，沉積的厚度為Inm~lOnm。沉積純化膜后，主柵處的表面復(fù)合速率大幅度減少，一定程 度上保證了后續(xù)的P-n結(jié)隧穿效應(yīng)。在保證太陽電池的短路電流穩(wěn)定的情況下有效的提高 了電池的開路電壓，從而有效的提高了太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
【附圖說明】
[0019] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例的太陽電池的制備工藝流程圖。
[0020] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例的太陽電池的結(jié)構(gòu)圖。
[00川圖例說明： 1、P型基底娃片；2、n型擴(kuò)散層；3、氮化娃薄膜；4、氧化侶薄膜；5、主柵電極。
【具體實(shí)施方式】
[0022] W下結(jié)合說明書附圖和具體優(yōu)選的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述，但并不因此而 限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[002引 實(shí)施例1: 一種本發(fā)明的太陽電池，如圖2所示，包括P型基底娃片Un型擴(kuò)散層2、氮化娃薄膜3 和主柵電極5,n型擴(kuò)散層2設(shè)于P型基底娃片1上，氮化娃薄膜3和主柵電極5設(shè)于n型擴(kuò) 散層2上，該n型擴(kuò)散層2和主柵電極5之間還設(shè)有氧化侶薄膜4。本實(shí)施例中，同一個(gè)批 次的太陽電池中，氧化侶薄膜4的厚度平均值為2nm，氮化娃薄膜3的厚度平均值為75nm。 [0024]一種上述本實(shí)施例的太陽電池的制備方法，W制作一個(gè)批次50片太陽電池為例， 如圖1所示，包括W下步驟： (1) 娃片清洗制絨：對(duì)P型基底娃片1進(jìn)行清洗制絨，先通過清洗去