除P型基底娃片1 的損傷層，接著制備金字塔絨面，娃片表面損傷層單面去除10化，所制備的金字塔絨面尺寸 為5化； (2) 擴散：將清洗制絨后的娃片置入擴散管中，在清洗清洗制絨后的P型基底娃片1上 制備結(jié)深為0. 30化的n型擴散層2 ; (3) 二次清洗：先使用氨氣酸質(zhì)量分數(shù)為5%的氨氣酸溶液清洗娃片兩個表面，W去除 兩個表面的憐娃玻璃，再使用氨氣酸和硝酸的混合溶液清洗娃片的背面，W去除娃片背面 的p-n結(jié)； (4) 沉積氮化娃薄膜：將二次清洗后的娃片置入管式PECVD腔體中，在n型擴散層2上 沉積75nm的氮化娃薄膜3 ; (5) 旋涂光刻膠：采用旋涂的方法，在氮化娃薄膜3上制備一層厚度為2化光刻膠薄 胺； (6) 光刻：采用光刻的方法，去除氮化娃薄膜3上的預(yù)設(shè)主柵位置處的光刻膠薄膜； (7) 氨氣酸處理：采用氨氣酸質(zhì)量分數(shù)為1%的氨氣酸溶液對光刻后的娃片進行清洗， 清洗時間為30秒，去除n型擴散層2上的預(yù)設(shè)主柵位置處的氮化娃薄膜，其中氮化娃薄膜 3上的預(yù)設(shè)主柵位置處與n型擴散層2上的預(yù)設(shè)主柵位置處相對應(yīng)； (8) 沉積氧化侶薄膜：將經(jīng)氨氣酸處理的娃片置入ALD腔中，在n型擴散層2上的預(yù)設(shè) 主柵位置處沉積一層厚度為2nm氧化侶薄膜4 ; (9) 清洗掩膜：采用丙酬質(zhì)量分數(shù)為99%的丙酬溶液，清洗娃片前表面的光刻膠；經(jīng)去 離子水沖洗后，再用異丙醇進行清洗，最后再用去離子水沖洗； (10) 印刷電極：采用高精度絲網(wǎng)印刷機，印刷太陽電池的柵線，主柵漿料印刷于氧化侶 薄膜4上，主柵漿料經(jīng)燒結(jié)后得到主柵電極5。
[00巧]由于受原材料差異、操作誤差、儀器檢測精度等影響，同一批次的上述檢測數(shù)據(jù)均 為平均值。
[002引 對比例1: 本對比例與實施例所用原材料與方法基本相同，其不同點僅在于：本對比例不包括步 驟（5)~（9)，直接在娃片的n型擴散層2上沉積氮化娃薄膜。
[0027]表1是對比例1和實施例1所制備的太陽電池的性能對比，由此可知，實施例1所 審恪的太陽電池較對比例1地即常規(guī)太陽電池制備方法）所制備的太陽電池而言，短路電 流和填充因子略有損失，而開路電壓得到了明顯的提升，轉(zhuǎn)換效率提升了 0. 3%。運充分的說 明了本發(fā)明能在保證太陽電池的短路電流穩(wěn)定的情況下有效的提高電池的開路電壓，從而 有效的提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
[002引表1采用對比例制備方法和采用本發(fā)明制備方法所制備的太陽電池的性能對比表
W上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，本發(fā)明的保護范圍并不僅局限于上述實施例。 凡屬于本發(fā)明思路下的技術(shù)方案均屬于本發(fā)明的保護范圍。應(yīng)該指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的 普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下的改進和潤飾，運些改進和潤飾也應(yīng)視 為本發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1. 一種鈍化膜的制備方法，包括以下步驟： 在硅片的PN結(jié)和電極之間沉積鈍化膜，所述鈍化膜的厚度為Inm~10nm。2. -種太陽電池，包括基底硅片、PN結(jié)和主柵電極，所述PN結(jié)位于基底硅片的前表面 上，所述主柵電極設(shè)于PN結(jié)上，其特征在于，所述PN結(jié)和主柵電極之間設(shè)有一層鈍化膜，所 述鈍化膜的厚度為Inm~IOnm 03. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽電池，其特征在于，所述鈍化膜包括非晶硅或氧化鋁。4. 一種太陽電池的制備方法，包括以下步驟： (1) 在硅片的前表面上制備PN結(jié)； (2) 在所述PN結(jié)上的預(yù)設(shè)主柵位置處沉積鈍化膜，所述鈍化膜的厚度為Inm~IOnm ; (3) 印刷電極漿料，其中主柵印刷于所述鈍化膜上，燒結(jié)后得到太陽電池。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（2)的具體過程為： (2. 1)在所述PN結(jié)上沉積減反射膜； (2. 2)在所述減反射膜上制備掩膜； (2. 3)去除所述減反射膜上的預(yù)設(shè)主柵位置處的掩膜； (2. 4)去除PN結(jié)上的預(yù)設(shè)主柵位置處的減反射膜，所述減反射膜上的預(yù)設(shè)主柵位置處 與所述PN結(jié)上的預(yù)設(shè)主柵位置處相對應(yīng)； (2. 5)在所述PN結(jié)上的預(yù)設(shè)主柵位置處沉積鈍化膜； (2. 6)去除所述減反射膜上的掩膜。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（2. 1)中，采用等離子氣相 沉積法沉積所述減反射膜，所述減反射膜的厚度為70nm~90nm。7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（2. 4)中，采用氫氟酸質(zhì)量 分數(shù)為0.5 %~5 %的氫氟酸溶液去除預(yù)設(shè)主柵位置處的減反射膜。8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（2. 5)中，采用PECVD法或 ALD法沉積所述鈍化膜，所述鈍化膜包括非晶硅或氧化鋁。9. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（2. 6)中，去除所述減反射 膜上的掩膜的具體步驟為：先采用丙酮清洗，再經(jīng)去離子水沖洗，接著采用異丙醇清洗，最 后用去離子水沖洗。10. 根據(jù)權(quán)利要求4~9任一項所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（1)的具體過 程為： (I. 1)對P型基底硅片進行清洗制絨； (1. 2)通過擴散，在P型基底硅片的表面制備結(jié)深為0. ~0. 的n型擴散層； (1. 3)二次清洗P型基底硅片，去除硅片表面的磷硅玻璃及背面的p-n結(jié)。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種鈍化膜的制備方法、太陽電池及其制備方法。鈍化膜的制備方法包括在硅片的PN結(jié)和電極之間沉積厚度為1nm～10nm的鈍化膜。太陽電池包括基底硅片、PN結(jié)和主柵電極，PN結(jié)位于基底硅片的前表面上，主柵電極設(shè)于PN結(jié)上，PN結(jié)和主柵電極之間設(shè)有一層厚度為1nm～10nm的鈍化膜。其制備方法包括以下步驟：（1）制備PN結(jié)；（2）在PN結(jié)上的預(yù)設(shè)主柵位置處沉積厚度為1nm～10nm的鈍化膜；（3）印刷電極漿料，燒結(jié)后得到太陽電池。本發(fā)明的太陽電池轉(zhuǎn)換效率高，其制備方法可大幅度減少主柵處的表面復(fù)合速率，在保證短路電流和填充因子的基礎(chǔ)上較大程度的提升開路電壓，有效提高光電轉(zhuǎn)換效率。
【IPC分類】H01L31/0216, H01L31/18, H01L31/068
【公開號】CN105140342
【申請?zhí)枴緾N201510538583
【發(fā)明人】許爍爍, 曹騫, 楊曉生, 劉良玉
【申請人】中國電子科技集團公司第四十八研究所
【公開日】2015年12月9日
【申請日】2015年8月28日