一種低溫多晶硅tft陣列基板的制備方法及其陣列基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種低溫多晶硅TFT陣列基板的制備方法及其陣列基板。
【背景技術(shù)】
[0002]低溫多晶娃(Low Temperature Poly-silicon ;LTPS)是平板顯示器領(lǐng)域中繼非晶娃(Amorphous-Si I icon，a_Si)之后的下一代技術(shù)。傳統(tǒng)的非晶娃材料的電子迀移率只有0.5cm2/V.S，而低溫多晶硅材料的電子迀移率可達(dá)50?200cm2/V.S，因此與傳統(tǒng)的非晶硅薄膜晶體管液晶顯示器(a-Si TFT-1XD)相比，低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器具有解析度更高、反應(yīng)速度快、亮度高等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)可以將周邊驅(qū)動(dòng)電路同時(shí)制作在玻璃襯底基板上，達(dá)到在玻璃上集成系統(tǒng)的目標(biāo)，所以能夠節(jié)省空間和成本，此外，低溫多晶硅技術(shù)又是發(fā)展主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光(AM-OLED)的技術(shù)平臺(tái)，因此，低溫多晶硅技術(shù)的發(fā)展受到了廣泛的重視。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，由于低溫多晶硅TFT陣列基板的制備工藝較為復(fù)雜，一般需進(jìn)行10-11道光刻工藝，增加了低溫多晶硅顯示設(shè)備的生產(chǎn)成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供了一種低溫多晶硅TFT陣列基板的制備方法及其陣列基板，可減少低溫多晶硅陣列基板制備過(guò)程中的光刻工藝數(shù)量，進(jìn)而降低低溫多晶硅顯示設(shè)備的生產(chǎn)成本。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下的技術(shù)方案:
[0006]—種低溫多晶硅TFT陣列基板的制備方法，包括:
[0007]通過(guò)第一道構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成遮光層的圖形；
[0008]在形成遮光層圖形的襯底基板上形成非晶硅層、并對(duì)所述非晶硅層進(jìn)行脫氫處理；
[0009]對(duì)所述進(jìn)行脫氫處理后的非晶硅層進(jìn)行結(jié)晶化處理，使所述非晶硅層轉(zhuǎn)換為多晶娃層;
[0010]進(jìn)行第二道構(gòu)圖工藝，在所述多晶硅層上形成光刻膠層，并采用灰度掩膜板進(jìn)行曝光并顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域的圖形；采用刻蝕工藝去除所述多晶硅層位于所述光刻膠完全去除區(qū)域的部分，形成有源層的圖形；對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化處理，使位于所述光刻膠半保留區(qū)域的部分所述有源層露出并對(duì)所述部分有源層進(jìn)行高濃度P+離子注入，形成P型TFT的源漏極圖形的摻雜區(qū)；剝離剩余的光刻膠；
[0011]通過(guò)第三道構(gòu)圖工藝形成N型TFT柵極的圖形和P型TFT柵極的圖形；
[0012]通過(guò)第四道構(gòu)圖工藝形成層間絕緣層和第一層接觸孔的圖形；
[0013]通過(guò)第五道構(gòu)圖工藝形成源漏極圖形和數(shù)據(jù)線圖形；
[0014]通過(guò)第六道構(gòu)圖工藝形成平坦化絕緣層圖形，并形成第二層接觸孔的圖形；
[0015]通過(guò)第七道構(gòu)圖工藝形成公共電極的圖形，以及所述源漏極和所述有源層的連接電極。
[0016]采用上述方法制備低溫多晶硅TFT陣列基板時(shí)，由于在形成有源層的圖形后，對(duì)位于P型TFT區(qū)域的有源層進(jìn)行高濃度離子注入形成P型TFT的源漏極圖形的摻雜區(qū)，省去了單獨(dú)形成P型TFT的源漏極圖形的摻雜區(qū)的光刻工藝；且在形成公共電極的圖形的同時(shí)形成源漏極和有源層的連接電極，省去了形成P型TFT源漏極圖形的光刻工藝，因此，上述制備方法可減少兩道光刻工藝，簡(jiǎn)化了低溫多晶硅TFT陣列基板的制備工藝，降低了 TFT陣列基板的生產(chǎn)成本。
[0017]優(yōu)選地，所述在形成遮光層圖形的襯底基板上形成非晶硅層之前還包括，在所述形成遮光層圖形的襯底基板上沉積緩沖層。
[0018]優(yōu)選地，所述通過(guò)第三道構(gòu)圖工藝形成N型TFT柵極的圖形和P型TFT柵極的圖形具體包括:
[0019]在所述有源層上形成柵絕緣層和柵金屬層；
[0020]采用光刻工藝形成N型TFT和P型TFT柵極的圖形；
[0021]對(duì)位于N型TFT區(qū)域的有源層進(jìn)行高濃度N+離子注入，形成N型TFT的源漏極圖形的摻雜區(qū)；
[0022]對(duì)位于N型TFT區(qū)域的有源層進(jìn)行低濃度N離子注入，形成輕摻雜漏極圖形。
[0023]進(jìn)一步地，采用磷化氫對(duì)位于N型TFT區(qū)域的有源層進(jìn)行高濃度N+離子注入。
[0024]優(yōu)選地，所述通過(guò)第四道構(gòu)圖工藝形成層間絕緣層和第一層接觸孔的圖形具體包括:
[0025]在所述柵金屬層上形成層間絕緣層；
[0026]采用刻蝕工藝對(duì)所述層間絕緣層和所述柵金屬層刻蝕，形成第一層接觸孔的圖形。
[0027]優(yōu)選地，所述第五道構(gòu)圖工藝形成源漏極圖形和數(shù)據(jù)線圖形具體包括:
[0028]在所述層間絕緣層上形成源漏金屬層和數(shù)據(jù)線層；
[0029]采用光刻工藝形成所述源漏金屬層和所述數(shù)據(jù)線層的圖形。
[0030]優(yōu)選地，所述通過(guò)第六道構(gòu)圖工藝形成平坦化絕緣層并形成第二層接觸孔的圖形具體包括:
[0031]在所述數(shù)據(jù)線層上形成平坦化絕緣層；
[0032]采用刻蝕工藝對(duì)所述平坦化絕緣層進(jìn)行刻蝕，形成第二層接觸孔的圖形。
[0033]優(yōu)選地，所述通過(guò)第七道構(gòu)圖工藝形成公共電極的圖形，以及源漏極和有源層的連接電極具體包括:
[0034]在所述平坦化絕緣層上形成公共電極層，所述公共電極層填充于所述第二層接觸孔內(nèi)，以連接所述源漏極和所述有源層；
[0035]采用刻蝕工藝對(duì)所述公共電極層進(jìn)行刻蝕，形成公共電極層的圖形和連接電極的圖形。
[0036]優(yōu)選地，所述形成公共電極的圖形，以及源漏極和有源層的連接電極之后還包括:
[0037]通過(guò)第八道構(gòu)圖工藝在所述公共電極層上形成保護(hù)層圖形；
[0038]通過(guò)第九道構(gòu)圖工藝在所述保護(hù)層上形成像素電極層圖形。
[0039]本發(fā)明還提供了一種低溫多晶硅TFT陣列基板，所述陣列基板中的P型TFT的源漏極圖形的摻雜區(qū)與P型TFT的源漏極通過(guò)透明的連接電極相連接。
[0040]該低溫多晶硅TFT陣列基板中，P型TFT的有源層和源漏極由位于N型TFT與P型TFT之間的透明的連接電極連接，提高了 TFT的開口率。
【附圖說(shuō)明】
[0041]圖1是本發(fā)明【具體實(shí)施方式】提供的一種低溫多晶硅TFT陣列基板的制備方法的流程圖；
[0042]圖2是通過(guò)第一道構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成遮光層的圖形后的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖3是在圖2中的形成遮光層圖形后的襯底基板上形成非晶硅層后的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖4是使圖3中的非晶硅層轉(zhuǎn)換為多晶硅層并形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域的圖形后的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045]圖5是采用刻蝕工藝去除圖4中所示的部分多晶硅層并形成有源層圖形后的陣列基板結(jié)構(gòu)不意圖；
[0046]圖6是對(duì)圖5中所示的光刻膠進(jìn)行灰化處理，并形成P型TFT的源漏極圖形的摻雜區(qū)后的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0047]圖7是剝離圖6中所示的光刻膠后的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0048]圖8是圖1所示的步驟S106的具體過(guò)程流程圖；
[0049]圖9是在圖7中所示的有源層上形成柵絕緣層和柵金屬層后的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0050]圖10是刻蝕圖9中所示的柵金屬層后形成N型TFT和P型TFT柵極的圖形后的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0051]圖11是對(duì)圖10中所示的位于N型TFT區(qū)域的有源層進(jìn)行高濃度N+離子注入，形成N型TFT的有源層源漏極圖形后的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0052]圖12是對(duì)圖11中所示的位于N型TFT區(qū)域的有源層進(jìn)行低濃度N離子注入，