形成輕摻雜漏極圖形后的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0053]圖13是圖1所示的步驟S107的具體過程流程圖；
[0054]圖14是在圖12所示的柵金屬層上形成層間絕緣層并形成第一層接觸孔的圖形后的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0055]圖15是圖1所示的步驟S108的具體過程流程圖；
[0056]圖16是在圖14所示的層間絕緣層上形成源漏金屬層和數(shù)據(jù)線層圖形后的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0057]圖17是圖1所示的步驟S109的具體過程流程圖；
[0058]圖18是在圖16所示的數(shù)據(jù)線層上形成平坦化絕緣層并形成第二層接觸孔的圖形后的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0059]圖19是圖1所示的步驟SllO的具體過程流程圖；
[0060]圖20是在圖18中所示的平坦化絕緣層上形成公共電極層，并形成連接電極后的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0061]圖21是圖1所示的步驟Slll的具體過程流程圖；
[0062]圖22是在圖20中所示的公共電極層上形成保護(hù)層圖形后的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0063]圖23是是圖1所示的步驟S112的具體過程流程圖；
[0064]圖24是在圖22中所示的保護(hù)層上形成像素電極層圖形后的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖。
[0065]附圖標(biāo)記:
[0066]10，襯底基板；20，遮光層；30，緩沖層；40，非晶硅層；
[0067]50，多晶硅層；51、52、53，有源層；521、522，P型TFT的源漏極圖形的摻雜區(qū)；
[0068]511、531，N型TFT的源漏極圖形的摻雜區(qū)；
[0069]512、532，輕摻雜漏極圖形；61、62、63、64，光刻膠層圖形；
[0070]70，柵絕緣層；80，柵金屬層；81、83、84，N型TFT柵極；
[0071]82，P型TFT柵極；90，層間絕緣層；91，第一層接觸孔；
[0072]101，源漏金屬層圖形；110，平坦化絕緣層；111，第二層接觸孔；
[0073]120，公共電極層；121，連接電極；130，保護(hù)層；140，像素電極層。
【具體實(shí)施方式】
[0074]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0075]參見圖1-圖7，本發(fā)明【具體實(shí)施方式】提供了一種低溫多晶硅TFT陣列基板的制備方法，包括如圖1所示的以下步驟:
[0076]步驟S101，如圖2所示，通過第一道構(gòu)圖工藝在襯底基板10上形成遮光層20的圖形；
[0077]步驟S103，如圖3所示，在形成遮光層20圖形的襯底基板10上形成非晶硅層40、并對(duì)非晶硅層40進(jìn)行脫氫處理；
[0078]步驟S104，如圖4所示，對(duì)進(jìn)行脫氫處理后的非晶硅層40進(jìn)行結(jié)晶化處理，使非晶硅層40轉(zhuǎn)換為多晶硅層50 ;
[0079]步驟S105，如圖4所示，進(jìn)行第二道構(gòu)圖工藝，在多晶硅層50上形成光刻膠層，并采用灰度掩膜板進(jìn)行曝光并顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，光刻膠層圖形61和63為光刻膠完全保留區(qū)域，光刻膠層圖形63為光刻膠半保留區(qū)域，光刻膠層圖形61、62、63之間的無光刻膠區(qū)域?yàn)楣饪棠z完全去除區(qū)域；
[0080]如圖5所示，采用刻蝕工藝去除多晶硅層50位于光刻膠完全去除區(qū)域的部分，形成有源層51、52、53的圖形；
[0081]如圖6所示，對(duì)光刻膠層圖形61、62、63進(jìn)行灰化處理，使位于光刻膠半保留區(qū)域的有源層52部分露出并對(duì)有源層52進(jìn)行高濃度P+離子注入，形成P型TFT的源漏極圖形的摻雜區(qū)521、522 ；
[0082]如圖7所示，剝離剩余的光刻膠；
[0083]步驟S106，通過第三道構(gòu)圖工藝形成N型TFT柵極的圖形和P型TFT柵極的圖形；
[0084]步驟S107，通過第四道構(gòu)圖工藝形成層間絕緣層和第一層接觸孔的圖形；
[0085]步驟S108，通過第五道構(gòu)圖工藝形成源漏極圖形和數(shù)據(jù)線圖形；
[0086]步驟S109，通過第六道構(gòu)圖工藝形成平坦化絕緣層圖形，并形成第二層接觸孔的圖形；
[0087]步驟S110，通過第七道構(gòu)圖工藝形成公共電極的圖形，以及源漏極和有源層的連接電極。
[0088]采用上述方法制備低溫多晶硅TFT陣列基板時(shí)，在步驟S105中，在形成有源層51、52,53的圖形后，對(duì)位于P型TFT區(qū)域的有源層進(jìn)行高濃度離子注入形成P型TFT的源漏極圖形的摻雜區(qū)，與現(xiàn)有技術(shù)中的制備方法相比，上述制備方法可省去形成P型TFT的源漏極圖形的摻雜區(qū)的光刻工藝；且在步驟SllO中，在形成公共電極的圖形的同時(shí)，形成連接P型TFT的有源層和源漏極的連接電極，與現(xiàn)有技術(shù)中的制備方法相比，上述制備方法可省去形成P型TFT源漏極圖形的光刻工藝，因此，上述制備方法可減少兩道光刻工藝，簡化了低溫多晶硅TFT陣列基板的制備工藝，降低了低溫多晶硅TFT陣列基板的生產(chǎn)成本。
[0089]如圖1所示的一種優(yōu)選方式中，在步驟S103形成遮光層圖形的襯底基板上形成非晶硅層之前還包括，
[0090]步驟S102，在形成遮光層20圖形的襯底基板10上沉積緩沖層30。
[0091]參見圖8，一種優(yōu)選方式中，步驟S106，通過第三道構(gòu)圖工藝形成N型TFT柵極的圖形和P型TFT柵極的圖形，具體包括:
[0092]步驟S1061，如圖9所示，在有源層51、52、53上形成柵絕緣層70和柵金屬層80，并在柵金屬層80上形成光刻膠層，通過曝光、顯影形成光刻膠層圖形64 ;
[0093]步驟S1062，如圖10所示，采用光刻工藝，對(duì)位于光刻膠層圖形64以外的柵金屬層80進(jìn)行刻蝕，形成N型TFT柵極81、83、84的圖形和P型TFT柵極82的圖形；
[0094]步驟S1063，如圖11所示，對(duì)位于N型TFT區(qū)域的有源層進(jìn)行高濃度N+離子注入，形成N型TFT的源漏極圖形的摻雜區(qū)511、531 ;
[0095]步驟S1064，如圖12所示，對(duì)光刻膠層圖形64進(jìn)行灰化，并對(duì)位于N型TFT區(qū)域的有源層51、53進(jìn)行低濃度N離子注入，形成輕摻雜漏極圖形512、532。
[0096]優(yōu)選地，采用磷化氫對(duì)位于N型TFT區(qū)域的有源層進(jìn)行高濃度N+離子注入。
[0097]參見圖13，一種優(yōu)選方式中，步驟S107，通過第四道構(gòu)圖工藝形成層間絕緣層和第一層接觸孔的圖形，具體包括:
[0098]步驟S1071，如圖14所示，在柵金屬層80上形成層間絕緣層90 ;
[0099]步驟S1072，如圖14所示，采用刻蝕工藝對(duì)層間絕緣層90、柵金屬層80刻蝕，形成第一層接觸孔91的圖形。
[0100]參見圖15，一種優(yōu)選方式中，步驟S108，第五道構(gòu)圖工藝形成源漏極圖形和數(shù)據(jù)線圖形，具體包括:
[0101]步驟S1081，在層間絕緣層90上形成源漏金屬層和數(shù)據(jù)線層；
[0102]步驟S1082，如圖16所示，采用光刻工藝形成源漏金屬層圖形101和數(shù)據(jù)線層的圖形。
[0103]參見圖17，步驟S109，通過第六道構(gòu)圖工藝形成平坦化絕緣層并形成第二層接觸孔的圖形，具體包括:
[0104]步驟S1091，如圖18所示，在數(shù)據(jù)線層上形成平坦化絕緣層110 ；
[0105]步驟S1092