一種發(fā)光二極管制備方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光二極管(英文Light Emitting D1de，簡稱LED)領域，特別涉及一種發(fā)光二極管制備方法。
【背景技術】
[0002]LED因高亮度、低熱量、長壽命、無毒、可回收再利用等優(yōu)點，被稱為是21世紀最有發(fā)展前景的綠色照明光源。AlGaInP LED作為LED中的重要類別，其在黃綠、橙色、橙紅色、紅色波段性能優(yōu)越，在全色顯示、交通信號燈、城市亮化工程等領域具有廣闊的應用前景。
[0003]在AlGaInP LED制作過程中，當PN電極制作完成后，需要采用刀片切割的方法實現芯粒的分離。上述采用刀片切割的方法實現芯粒的分離具體可以包括:采用刀片切割機在LED的正面(P電極一面)進行半切形成切割道，半切完成后對LED進行光電測試，在光電測試后沿所述切割道進行透切實現芯粒分離。
[0004]在上述半切的過程中，為保證切割質量，刀片切割機的刀片行進速度不能太快，限制了切割效率。

【發(fā)明內容】

[0005]為了解決現有技術的問題，本發(fā)明實施例提供了一種發(fā)光二極管制備方法。所述技術方案如下:
[0006]本發(fā)明實施例提供了一種發(fā)光二極管制備方法，所述方法包括:
[0007]提供一襯底；
[0008]在所述襯底上制作外延結構，得到發(fā)光二極管外延片；
[0009]在所述外延結構的表面制作P電極，在所述襯底的底面制作N電極；
[0010]采用刻蝕工藝在所述外延結構上制作出切割道圖形，所述切割道圖形包括矩形網格狀凹槽，所述切割道圖形將所述發(fā)光二極管外延片劃分為多個區(qū)域，所述發(fā)光二極管外延片的一個區(qū)域為一個待切割的發(fā)光二極管芯粒。
[0011]在本發(fā)明實施例的一種實現方式中，所述矩形網格狀凹槽中每條凹槽的寬度為10-20微米。
[0012]在本發(fā)明實施例的另一種實現方式中，所述矩形網格狀凹槽中每條凹槽的深度為15-30微米。
[0013]在本發(fā)明實施例的另一種實現方式中，所述采用刻蝕工藝在所述外延結構上制作出切割道圖形，包括:
[0014]在所述外延結構上涂布光刻膠；
[0015]采用曝光顯影工藝形成切割道膠層圖形；
[0016]采用干法刻蝕工藝，在光刻膠未覆蓋區(qū)域形成凹槽，得到所述切割道圖形。
[0017]在本發(fā)明實施例的另一種實現方式中，所述方法還包括:
[0018]對所述待切割的發(fā)光二極管芯粒進行光電測試。
[0019]在本發(fā)明實施例的另一種實現方式中，所述方法還包括:
[0020]采用激光劃片機在所述發(fā)光二極管外延片的N電極一面，劃出與所述切割道圖形對應的劃道。
[0021]在本發(fā)明實施例的另一種實現方式中，所述方法還包括:
[0022]采用刀片切割機所述劃道對所述發(fā)光二極管外延片進行透切，將所述發(fā)光二極管外延片分為多個發(fā)光二極管芯粒。
[0023]在本發(fā)明實施例的另一種實現方式中，所述采用刀片切割機沿所述劃道對所述發(fā)光二極管外延片進行透切，包括:
[0024]將所述發(fā)光二極管外延片的P電極一面貼于藍膜上；
[0025]采用刀片切割機沿所述劃道對所述發(fā)光二極管外延片進行透切。
[0026]本發(fā)明實施例提供的技術方案帶來的有益效果是:
[0027]本發(fā)明通過在外延結構和PN電極制成后，采用刻蝕工藝在外延結構上制作切割道圖形，與傳統(tǒng)工藝中采用刀片切割機半切的切割道相比，無需采用刀片切割機進行半切，減少了刀片切割機的數量需求，節(jié)省了成本，且采用刻蝕工藝制作切割道圖形，效率更高。
【附圖說明】
[0028]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0029]圖1是本發(fā)明實施例提供的一種發(fā)光二極管制備方法的流程圖；
[0030]圖2是本發(fā)明實施例提供的另一種發(fā)光二極管制備方法的流程圖；
[0031]圖2a是發(fā)光二極管在制備過程中的結構示意圖；
[0032]圖2b是發(fā)光二極管在制備過程中的結構示意圖；
[0033]圖2c是發(fā)光二極管在制備過程中的結構示意圖；
[0034]圖2d是發(fā)光二極管在制備過程中的結構示意圖；
[0035]圖2e是發(fā)光二極管在制備過程中的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0036]為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本發(fā)明實施方式作進一步地詳細描述。
[0037]圖1是本發(fā)明實施例提供的一種發(fā)光二極管制備方法的流程圖，參見圖1，方法包括:
[0038]步驟101:提供一襯底。
[0039]步驟102:在襯底上制作外延結構，得到發(fā)光二極管外延片。
[0040]步驟103:在外延結構的表面制作P電極，在襯底的底面制作N電極。
[0041]步驟104:采用刻蝕工藝在外延結構上制作出切割道圖形，切割道圖形包括矩形網格狀凹槽，切割道圖形將發(fā)光二極管外延片劃分為多個區(qū)域，發(fā)光二極管外延片的一個區(qū)域為一個待切割的發(fā)光二極管芯粒。
[0042]本發(fā)明通過在外延結構和PN電極制成后，采用刻蝕工藝在外延結構上制作切割道圖形，與傳統(tǒng)工藝中采用刀片切割機半切的切割道相比，無需采用刀片切割機進行半切，減少了刀片切割機的數量需求，節(jié)省了成本，且采用刻蝕工藝制作切割道圖形，效率更高。
[0043]圖2是本發(fā)明實施例提供的另一種發(fā)光二極管制備方法的流程圖，適用于AlGaInP紅黃光發(fā)光二極管，參見圖2，方法包括:
[0044]步驟201:提供一襯底。
[0045]具體地，襯底可以是GaAs襯底。
[0046]步驟202:在襯底上制作外延結構，得到發(fā)光二極管外延片。
[0047]如圖2a所不，在襯底21表面生長一外延結構22，外延結構22可以包括緩沖層、N型層、發(fā)光層和P型層等，當然外延結構22也可以包括更多或者更少的膜層。
[0048]其中，外延結構采用MOCVD(金屬有機化合物化學氣相沉淀)工藝進行生長。
[0049]步驟203:在外延結構的表面制作P電極，在襯底的底面制作N電極。
[0050]如圖2b所示，在發(fā)光二極管外延片的正面(即外延結構22的一面)制作P電極23，在發(fā)光二極管外延片的背面(即襯底21的一