晶體，或它們的任意組合?；?質材料的能隙要大于或等于所述的半導體發(fā)光納米晶體或量子點。
[0040] 一般來說，在發(fā)光層（EML)中，基質材料，是占多數的組份。半導體發(fā)光納米晶 體或量子點在在發(fā)光層中的比例為l_25wt %，較好是2_20wt %，更好是3_15wt %，最好是 5-10wt% 〇
[0041] 在一個實施方案中，發(fā)光層包含有兩種或以上的基質材料。當發(fā)光層的基質包含 有兩種基質材料時，兩者的重量比例為從1:5到5:1，較好是1:4到4:1，更好是1:3到3:1， 最好是1:2到2:1。其中可以是一種無機材料加另一種無機材料，也可以是一種無機材料加 另一種有機材料。優(yōu)先的組合是一種基質材料是P型半導體，另一種是η型半導體。在本 發(fā)明中，P型半導體材料，空穴傳輸材料及HTM具有相同的含義，它們可以互換。η型半導 體材料電子傳輸材料及ETM具有相同的含義，它們可以互換。這里所述的有機材料也可以 是上述或下述的穩(wěn)定有機自由基化合物。
[0042] 在一個優(yōu)先的實施方案中，基質材料是無定形。在另一個優(yōu)先的實施方案中基質 材料是納米晶體，其適合的材料和制備方法及其它方面如下面所述。
[0043] 在一個優(yōu)先的實施方案中，所述的基質包含有無機材料。原則上所有能隙大于半 導體發(fā)光納米晶體的無機材料都可作為基質。在一個優(yōu)先的實施方案中，無機基質材料包 含至少一種的無機半導體材料。取決于半導體發(fā)光納米晶體，合適的無機基質半導體材料 可以包括任何類型的半導體，包括II-VI族、III-V族、IV-VI族和IV族半導體。合適的半 導體材料包括但不限于：Si、Ge、Sn、Se、Te、B、C (包括金剛石）、P、BN、BP、BAs、A1N、A1P、 AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AIN、A1P、AlAs、AlSb、GaN、Ga 203、 GaP、GaAs、GaSb、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdZnSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、BeS、BeSe、 BeTe、MgS、MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、CuF、CuCl、CuBr、 Cul、Si3N4、Ge3N4、A120 3、（Al、Ga、In) 2 (S、Se、Te) 3、Al2CO,以及兩種以上這些半導體的適當組 合。
[0044] 在一個優(yōu)先的實施方案中所述的無機基質包含有半導體材料選自II-VI 族，III-V族，IV-VI族，III-VI族，IV族，它們的合金和/或組合，優(yōu)先的選自ZnO, ZnS， ZnSe, ZnTe, GaN, GaP, Ga2O3, AIN, CdSe, CdS, CdTe, CdZnSe 及它們的任何合金和 / 或組合。
[0045] 其他可能對本發(fā)明有用的有關量子點發(fā)光二極管的材料，技術，方法，應用和 信息，在以下專利文獻中有所描述，W02007/117698, W02007/120877, W02008/108798， W02008/105792, W02008/111947, W02007/092606, W02007/117672, W02008/033388, W02008/085210, W02008/13366, W02008/063652, W02008/063653, W02007/143197, W02008/070028, W02008/063653, US6207229,US6251303, US6319426, US6426513, US6576291 ,US6607829, US6861155, US6921496, US7060243, US7125605, US7138098, US7150910, US7470 379，US7566476，W02006134599A1，CN201110352025. 4特此將上述列出的專利文件中的全部 內容并入本文作為參考。
[0046] 在另一個優(yōu)先的實施方案中，半導體納米發(fā)光晶體是納米棒。納米棒的特性不同 于球形納米晶粒。例如，納米棒的發(fā)光沿長棒軸偏振化，而球形晶粒的發(fā)光式非偏振的（參 見Woggon等，Nano Lett.，2003, 3, p509)。納米棒具有優(yōu)異的光學增益特性，使得它們可能 用作激光增益材料（參見Banin等Adv. Mater. 2002, 14, p317)。此外，納米棒的發(fā)光可以可 逆地在外部電場的控制下打開和關閉（參見Banin等，Nano Lett. 2005, 5, pl581)。納米 棒的這些特性可以在某種情況下優(yōu)先地結合到本發(fā)明的器件中。制備半導體納米棒的例子 有，TO03097904A1，US2008188063A1，US2009053522A1，KR20050121443A，特此將上述列出的 專利文件中的全部內容并入本文作為參考。
[0047] 在某些實施例中，按照本發(fā)明的電致發(fā)光器件中，發(fā)光層包括一離子化合物。這 種發(fā)光器件也稱發(fā)光電池。發(fā)光電池為本領域的專利人員所熟知，可參見PeiMfeeger， Science (1995)，269, ppl086-1088.離子化合物可以是主體材料，發(fā)光材料或另外的 作為離子源的化合物。在一個優(yōu)先的實施例中，發(fā)光電池還包含有離子傳輸材料。在 W02012013270A1，W02012126566A1和W02012152366A1中對各種適合用于發(fā)光電池的離子 化合物和離子傳輸材料有詳細的描述，特此將此3專利文件中的全部內容并入本文作為參 考。
[0048] 一般來說，穩(wěn)定的有機自由基化合物都可能用于按照本發(fā)明的電致發(fā)光器件中。 有關穩(wěn)定的有機自由基化合物的基礎，材料，合成及應用容易在專業(yè)書或論文中找到，如 ''Stable Radicals:Fundamentals and Applied Aspects of Odd-Electron Compounds Edited by Robin G.Hicks，2010John Wiley&Sons, Inc. ISBN:978-0-470-77083-2"，特此將 此文獻中的內容并入本文作為參考。特別地，合適做為有機自由基電池的穩(wěn)定有機自由基 化合物都可以用于按照本發(fā)明的電致發(fā)光器件中。
[0049] 在某些實施例中，合適的η型有機自由基化合物為包含有以下基團的化合物
[0050] Ar-O ·
[0051] Ar是芳基或雜芳基；合適的芳基或雜芳基可選自，但不限于蒽，萘，四苯，氧雜蒽， 菲，芘，茚并芘，苯撐，十環(huán)烯，六苯并苯，芴，螺二芴，芳基芘等。
[0052] 合適的p型有機自由基化合物為包含有以下基團的化合物
[0054] R1-R2可相互獨立地選于如下的基團：氫，烷基，烷氧基，氨基，烯，炔，芳烷基，雜 烷基，芳基和雜芳基。R1-R2可形成一個閉環(huán)。
[0055] 以下列出穩(wěn)定有機自由基化合物的例子。


[0059] 進一步的有關穩(wěn)定的有機自由基化合物的材料，合成及應用容易在專業(yè)論文里 找到，如 Nishide 等 Electrochemical Society Interface 2005, 14, 32，Anamimoghadam 等 Org. Lett.，Vol. 15, No. 12, 2013，Castellanos 等 Chem. Commun.，2010, 46, 5130 - 5132， Nesvadba 等 Chem. Mater. 2010, 22, 783 - 788, Hicks，Nature Chemistry Vol3, 189(2011)， Morita 等，Nature Materials 10, 947(2011)，及美國專利 US20130199601 等，特此將以上 所列的文獻中的內容并入本文作為參考。
[0060] 在某些實施例中，有機自由基化合物是離子化合物，如Lee等J Power Sources 184(2008)503 - 507。
[0062] 在一個優(yōu)先的實施例中，一個發(fā)光電池包含有一個離子有機自由基化合物。
[0063] 在另一有先的實施例中，穩(wěn)定的有機自由基化合物是高聚物。在某些實施例中，在 高聚物的側鏈上包含有穩(wěn)定的有機自由基基團，這些基團優(yōu)先選自以上所述的自由基化合 物。
[0064] 穩(wěn)定有機自由基高聚物的例子及合成可參見Nakahara等Chem. Phys. Lett. 359(2002)351 - 354，Suga 等 Adv. Mater. 2009, 21，1627 - 1630，Bugnon 等 Chem. Mater. 2007, 19, 2910-2914，Nishide 等 Electrochimica Acta 50 (2004)827 - 831， Suguro 等 Macromol. Chem. Phys. 2009, 210, 1402 - 1407，Katsumata 等 Macromol. Rapid Commun. 2006, 27, 1206 - 1211，Suguro 等Macromol. Rapid Commun. 2007, 28, 1929 - 1933, Qu 等 Polymer 50 (2009)391 - 396，Chem. Commun.，2007, 1730 - 1732，Nesvadba 等 Chem. Mater. 2010, 22, 783 - 788, Suguro 等 Macromol. Chem. Phys. 2009, 210, 1402 - 1407 等。特 此將以上所列的文獻中的內容并入本文作為參考。
[0065] 以下列出合適的穩(wěn)定自由基高聚物的例子。
[0068] 及具有以下通式的高聚物
[0069]
[0074] 在另一個優(yōu)選實施例中，如上面所描述的有機自由基高聚物進一步包括至少一種 可交聯基團。
[0075] 交聯基團包括交聯劑，它可在加熱，或輻射，或兩者的共同作用下發(fā)生交聯反應。 輻射源可以是電子束和紫外線。優(yōu)選的紫外線波長200~400nm選自。用于有機電子器 件，UVA或輻射波長在300~400nm尤佳。合適的紫外光源例如汞紫外線熒光燈，紫外線發(fā) 光二極管，紫外激光二極管、紫外固體激光器等。
[0076] 適當的交聯基團為，例如，丙稀酸酯基團（Scheler等Macromol. Symp. 254, 203-209 (2007))，乙烯基和苯乙烯基如在WO 2006043087 Al透露的，氧雜環(huán)丁烷 基團（參見Mueller等Nature 421,829-833(2003))，和疊氮基團例如在WO 2004100282 A2 中透露的。
[0077] 可鉸鏈的穩(wěn)定有機自由基高聚物的例子可參見Suga等Chem. Commun.，2007, 1730 - 1732
[0078] 在本發(fā)明實施例中，對于有機材料的能級結構，HOMO、LUM0、三線態(tài)能級（Tl)及單 線態(tài)能級（S1)，及有機自由基化合物的S0M0(singly occupied M0)、LUM0起著關鍵的作用。 以下對這些能級的決定作一介紹。H0M0，LUM0，S0M0能級可以通過光電效應進行測量，例如 XPS(X射線光電子光譜法）和UPS(紫外光電子能譜）或通過循環(huán)伏安法（以下簡稱CV)。 最近，量子化學方法，例如密度泛函理論（以下簡稱DFT)，也成為行之有效的計算分子軌道 能級的方法。
[0079] 有機材料的三線態(tài)能級Tl可通過低溫時間分辨發(fā)光光譜來測量，或通過量子模 擬計算（如通過Time-dependent DFT)得到，如通過商業(yè)軟件Gaussian 03W(Gaussian Inc.)，具體的模擬方法可參見W02011141110。有機材料的單線態(tài)能級SI，可通過吸收光 譜，或發(fā)射光譜來確定，也可通過量子模擬計算（如Time-dependent DFT)得到。
[0080] 應該注意，HOMO, LUMO, S0M0, Tl及Sl的絕對值取決于所用的測量方法或計算方 法，甚至對于相同的方法，不同評價的方法，例如在CV曲線上起始點和峰點可給出不同的 H0M0/LUM0值。因此，合理有意義的比較應該用相同的測量方法和相同的評價方法進行。本 發(fā)明實施例的描述中，HOMO, LUM0，S0M0, Tl及Sl的值是基于Time-cbpendent DFT的模擬， 但不影響其他測量或計算方法的應用。
[0081] 本發(fā)明還涉及一種混合物，其中至少包含一穩(wěn)定的有機自由基化合物和一有機 小分子焚光發(fā)光材料，或一磷光發(fā)光材料，或一量子點發(fā)光材料。
[0082] 本發(fā)明還涉及一組合物，其中包含有至少一種前述的混合物，至少一種有機溶劑。 有機溶劑的例子，包括（但不限于），甲醇，乙醇，2-甲氧基乙醇，二氯甲烷，三氯甲烷，氯苯， 鄰二氯苯，四氫呋喃，苯甲醚，嗎啉，甲苯，鄰二甲苯，間二甲苯，對二甲苯，1，4二氧雜環(huán)己 燒，丙酬，甲基乙基酬，1，2 二氣乙燒，3-苯氧基甲苯，1，1，I-二氣乙燒，1，1，2, 2-四氣乙燒， 醋酸乙酯，醋酸丁酯，二甲基甲酰胺，二甲基乙酰胺，二甲基亞砜，