一種衰減片及DC-67GHz 20dB衰減片及制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種衰減片，尤其涉及一種衰減片及DC-67GHZ 20dB衰減片及制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]程控步進(jìn)衰減器主要功能是對微波信號的幅度進(jìn)行精確衰減，主要應(yīng)用于控制進(jìn)入系統(tǒng)的信號電平幅度，控制系統(tǒng)的輸出信號功率、調(diào)整信號源與負(fù)載之間的匹配等。近年來，程控步進(jìn)衰減器技術(shù)發(fā)展迅速，使用頻率越來越高。但是，隨著頻率越高，衰減片上附加電感電容產(chǎn)生的效果越明顯，衰減量偏離名義值越來越大。
[0003]頻率越高，衰減片上的薄膜電阻各分支之間，以及金屬導(dǎo)帶與薄膜電阻之間形成的等效電容產(chǎn)生的效果越明顯，衰減頻響越差?，F(xiàn)有技術(shù)一般是在導(dǎo)帶與薄膜電阻之間增加補償突臺，這種技術(shù)在40GHz之前效果比較好。但是，隨著頻率繼續(xù)升高到67GHz，衰減片上附加電感電容產(chǎn)生的效果越明顯，衰減量偏離名義值越來越大。增加補償突臺已達(dá)不到良好效果。
[0004]現(xiàn)有衰減片使用頻率一般最高到40GHz，到67GHz時衰減頻響會顯著變差。此外，現(xiàn)有衰減片采用分布參數(shù)的Π型衰減網(wǎng)絡(luò)，衰減片厚度最低為0.254mm,高頻補償通過在導(dǎo)帶與薄膜電阻之間增加補償突臺實現(xiàn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明提供一種衰減片及DC-67GHZ 20dB衰減片及制作方法。其中，該衰減片采用在基板的中心位置設(shè)光孔的方式來補償衰減片的高頻響應(yīng)，用于提高衰減片在DC-67GHZ頻帶范圍內(nèi)衰減頻響的目的。
[0006]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
[0007]一種衰減片，包括:
[0008]基板，所述基板的表面印制有光刻膠圖形，所述光刻膠圖形外層鍍制有金屬薄膜，所述基板的表面上還設(shè)有若干個電阻，所述電阻與光刻膠圖形外層鍍制的金屬薄膜相連接，進(jìn)而形成電阻衰減網(wǎng)絡(luò)；
[0009]所述基板的中心位置設(shè)置有一個面積與高頻衰減頻響成正相關(guān)的光孔，所述光孔用于補償所述衰減片的高頻響應(yīng)。
[0010]一種衰減片的制作方法，包括:
[0011]步驟(1):在基板的表面印制光刻膠圖形，在光刻膠圖形外層鍍制金屬薄膜；
[0012]步驟(2):在基板的表面上設(shè)置若干個電阻，其中，電阻與光刻膠圖形外層鍍制的金屬薄膜相連接，形成電阻衰減網(wǎng)絡(luò)；
[0013]步驟(3):在基板的中心位置設(shè)置一個光孔，所述光孔的面積與高頻衰減頻響成正相關(guān)，用于補償所述衰減片的高頻響應(yīng)。
[0014]一種 DC-67GHZ 20dB 衰減片，包括:
[0015]基板，所述基板的表面印制有光刻膠圖形，所述光刻膠圖形外層鍍制有金屬薄膜，所述基板的表面上還設(shè)有若干個電阻，所述電阻與光刻膠圖形外層鍍制的金屬薄膜相連接，進(jìn)而形成電阻衰減網(wǎng)絡(luò)；
[0016]所述基板的中心位置設(shè)置有一個面積與高頻衰減頻響成正相關(guān)的光孔，所述光孔的面積為0.48mm2，用于實現(xiàn)所述衰減片在DC_67GHz頻率范圍內(nèi)的20dB高頻衰減量。
[0017]所述電阻衰減網(wǎng)絡(luò)為Π型電阻衰減網(wǎng)絡(luò)或T型電阻衰減網(wǎng)絡(luò)。
[0018]所述基板為陶瓷基板。
[0019]所述陶瓷基板的厚度為0.127mm。
[0020]一種DC-67GHz 20dB衰減片的制作方法，包括:
[0021]步驟(1):在基板的表面印制光刻膠圖形，在光刻膠圖形外層鍍制金屬薄膜；
[0022]步驟⑵:在基板的表面上設(shè)置若干個電阻，其中，電阻與光刻膠圖形外層鍍制的金屬薄膜相連接，形成電阻衰減網(wǎng)絡(luò)；
[0023]步驟(3):在基板的中心位置設(shè)置一個面積為0.48mm2的光孔，用于實現(xiàn)衰減片在DC-67GHz頻率范圍內(nèi)的20dB高頻衰減量。
[0024]所述步驟(2)中的電阻衰減網(wǎng)絡(luò)為Π型電阻衰減網(wǎng)絡(luò)或T型電阻衰減網(wǎng)絡(luò)。
[0025]所述步驟(1)中的基板為陶瓷基板。
[0026]所述陶瓷基板的厚度為0.127mm。
[0027]本發(fā)明的有益效果為:
[0028](1)本發(fā)明采用在基板的中心位置設(shè)置一個光孔，用于補償衰減片的高頻響應(yīng)，使衰減片在DC-67GHZ頻帶范圍內(nèi)達(dá)到較好的衰減頻響；
[0029](2)本發(fā)明采用Π型衰減網(wǎng)絡(luò)，該衰減網(wǎng)絡(luò)接地容易，電阻可以集成化，能減小頻率升高時分布參數(shù)對性能的影響，保證了衰減電路在整個頻段內(nèi)都具有良好衰減特性；
【附圖說明】
[0030]圖1是本發(fā)明的衰減片的制作方法流程示意圖。
[0031]圖2是本發(fā)明的衰減片的光孔面積與衰減精度的關(guān)系圖。
[0032]圖3是厚度為0.254mm衰減片的衰減精度。
【具體實施方式】
[0033]下面結(jié)合附圖與實施例對本發(fā)明做進(jìn)一步說明:
[0034]本發(fā)明的衰減片，包括:
[0035]基板，所述基板的表面印制有光刻膠圖形，所述光刻膠圖形外層鍍制有金屬薄膜，所述基板的表面上還設(shè)有若干個電阻，所述電阻與光刻膠圖形外層鍍制的金屬薄膜相連接，進(jìn)而形成電阻衰減網(wǎng)絡(luò)；
[0036]基板的中心位置設(shè)置有一個面積與高頻衰減頻響成正相關(guān)的光孔，所述光孔用于補償所述衰減片的高頻響應(yīng)。
[0037]如圖1所示，該衰減片的制作方法，包括:
[0038]步驟⑴:在基板的表面印制光刻膠圖形，在光刻膠圖形外層鍍制金屬薄膜；
[0039]步驟⑵:在基板的表面上設(shè)置若干個電阻，其中，電阻與光刻膠圖形外層鍍制的金屬薄膜相連接，形成電阻衰減網(wǎng)絡(luò)；
[0040]步驟(3):在基板的中心位置設(shè)置一個光孔，所述光孔的面積與高頻衰減頻響成正相關(guān)，用于補償所述衰減片的高頻響應(yīng)。
[0041 ] 本發(fā)明的DC-67GHz 20dB衰減片，包括:
[0042]基板，所述基板的表面印制有光刻膠圖形，所述光刻膠圖形外層鍍制有金屬薄膜，所述基板的表面上還設(shè)有若干個電阻，所述電阻與光刻膠圖形外層鍍制的金屬薄膜相連接，進(jìn)而形成電阻衰減網(wǎng)絡(luò)；
[0043]所述基板的中心位置設(shè)置有一個面積與高頻衰減頻響成正相關(guān)的光孔，所述光孔的面積為0.48mm2，用于實現(xiàn)所述衰減片在DC_67GHz頻率范圍內(nèi)的20dB高頻衰減量。
[0044]其中，衰減片分為有集總參數(shù)和分布參數(shù)兩大類。分布參數(shù)衰減片具有良好的頻響特性。因此，本實施例中，電阻衰減網(wǎng)絡(luò)為分布參數(shù)衰減網(wǎng)絡(luò)。
[0045]Π型衰減網(wǎng)絡(luò)接地容易，電阻可以集成化，能減小頻率升高時分布參數(shù)對性能的影響。為保證衰減電路在整個頻段內(nèi)都具有良好衰減特性，本發(fā)明采用分布參數(shù)的Π型衰減網(wǎng)絡(luò)。
[0046]另外，電阻衰減網(wǎng)絡(luò)也可以選用T型電阻衰減網(wǎng)絡(luò)。
[0047]進(jìn)一步地，基板為陶瓷基板，選用該基板可以提高信號的抗干擾性。
[0048]本實施例中，陶瓷基板的厚度為0.127mm。
[0049]陶瓷基板的厚度也可以采用