具有保護(hù)層的自對(duì)準(zhǔn)互連件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路器件，更具體地，涉及具有保護(hù)層的自對(duì)準(zhǔn)互連件。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路的制造技術(shù)的發(fā)展，集成電路器件變得越來(lái)越小。集成電路通過(guò)導(dǎo)電部件(諸如金屬線、通孔和接觸插塞)互連以形成功能電路。因此，導(dǎo)電部件之間的間距也變得越來(lái)越小。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括:第一層間電介質(zhì)(ILD);柵極堆疊件，位于所述第一 ILD中；第二 ILD，位于所述第一 ILD上方；第一接觸插塞，位于所述第二 ILD中；介電保護(hù)層，位于所述第一接觸插塞的相對(duì)兩側(cè)上并且與所述第一接觸插塞接觸，其中，所述第一接觸插塞和所述介電保護(hù)層位于所述第二 ILD中；以及介電覆蓋層，位于所述第一接觸插塞上方并且與所述第一接觸插塞接觸。
[0004]在上述集成電路結(jié)構(gòu)中，其中，所述集成電路結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括:第三ILD，位于所述第二 ILD上方；以及第二接觸插塞，從所述第三ILD的頂面延伸到所述第二 ILD的底面，其中，所述第二接觸插塞電連接至所述柵極堆疊件。
[0005]在上述集成電路結(jié)構(gòu)中，其中，所述集成電路結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括:第三ILD，位于所述第二 ILD上方；以及第二接觸插塞，從所述第三ILD的頂面延伸到所述第二 ILD的底面，其中，所述第二接觸插塞電連接至所述柵極堆疊件；其中，所述第二接觸插塞包括與所述介電保護(hù)層的頂部邊緣接觸的第一底面。
[0006]在上述集成電路結(jié)構(gòu)中，其中，所述第一接觸插塞包括與所述第一 ILD的頂面接觸的底面。
[0007]在上述集成電路結(jié)構(gòu)中，其中，所述介電保護(hù)層和所述介電覆蓋層由相同的介電材料形成。
[0008]在上述集成電路結(jié)構(gòu)中，其中，所述集成電路結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括:源極/漏極區(qū)；第三接觸插塞，位于所述源極/漏極區(qū)上方并且電連接至所述源極/漏極區(qū)，其中，所述第三接觸插塞位于所述第一 ILD中；第四接觸插塞，位于所述第三接觸插塞上方并且接觸所述第三接觸插塞，其中，所述第四接觸插塞位于所述第二 ILD中；以及第五接觸插塞，位于所述第四接觸插塞上方并且與所述第四接觸插塞接觸，其中，所述第五接觸插塞從第三ILD的頂面延伸到所述第二 ILD內(nèi)。
[0009]在上述集成電路結(jié)構(gòu)中，其中，所述集成電路結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括:源極/漏極區(qū)；第三接觸插塞，位于所述源極/漏極區(qū)上方并且電連接至所述源極/漏極區(qū)，其中，所述第三接觸插塞位于所述第一 ILD中；第四接觸插塞，位于所述第三接觸插塞上方并且接觸所述第三接觸插塞，其中，所述第四接觸插塞位于所述第二 ILD中；以及第五接觸插塞，位于所述第四接觸插塞上方并且與所述第四接觸插塞接觸，其中，所述第五接觸插塞從第三ILD的頂面延伸到所述第二 ILD內(nèi)；其中，所述第五接觸插塞的底面與所述第一接觸插塞的頂面基本共平面。
[0010]在上述集成電路結(jié)構(gòu)中，其中，所述介電覆蓋層的頂面與所述第二 ILD的頂面基本共平面。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括:第一層間電介質(zhì)(ILD);蝕刻停止層，位于所述第一 ILD上方；第二 ILD，位于所述蝕刻停止層上方；第一狹槽式接觸插塞，位于所述第二 ILD中，其中，所述第一狹槽式接觸插塞穿透所述蝕刻停止層以接觸所述第一 ILD的頂面；介電保護(hù)層，包括位于所述第一狹槽式接觸插塞的相對(duì)兩側(cè)上并且與所述第一狹槽式接觸插塞接觸的部分；以及介電覆蓋層，位于所述第一狹槽式接觸插塞上方并且與所述第一狹槽式接觸插塞接觸，其中，所述第一狹槽式接觸插塞、所述介電保護(hù)層和所述介電覆蓋層均位于所述第二 ILD中。
[0012]在上述集成電路結(jié)構(gòu)中，其中，所述介電覆蓋層包括與所述介電保護(hù)層的相對(duì)部分接觸的相對(duì)邊緣。
[0013]在上述集成電路結(jié)構(gòu)中，其中，所述介電覆蓋層的頂面、所述介電保護(hù)層的頂部邊緣以及所述第二 ILD的頂面基本共平面。
[0014]在上述集成電路結(jié)構(gòu)中，其中，所述集成電路結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括:第一源極/漏極區(qū)，位于所述第一 ILD下方；柵極堆疊件，位于所述第一 ILD中；第三ILD，位于所述第二 ILD上方；以及柵極接觸插塞，位于所述第二 ILD和所述第三ILD中。
[0015]在上述集成電路結(jié)構(gòu)中，其中，所述集成電路結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括:第二源極/漏極區(qū)，位于所述第一 ILD下方；第二狹槽式接觸插塞，位于所述第二源極/漏極區(qū)上方并且電連接至所述第二源極/漏極區(qū)，其中，所述第二狹槽式接觸插塞位于所述第一 ILD中；第三狹槽式接觸插塞，位于所述第二狹槽式接觸插塞上方并且接觸所述第二狹槽式接觸插塞，其中，所述第三狹槽式接觸插塞位于所述第二 ILD中；第三ILD，位于所述第二 ILD上方；以及接觸插塞，穿透所述第三ILD,其中,所述接觸插塞與所述第三狹槽式接觸插塞接觸。
[0016]在上述集成電路結(jié)構(gòu)中，其中，所述集成電路結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括:第二源極/漏極區(qū)，位于所述第一 ILD下方；第二狹槽式接觸插塞，位于所述第二源極/漏極區(qū)上方并且電連接至所述第二源極/漏極區(qū)，其中，所述第二狹槽式接觸插塞位于所述第一 ILD中；第三狹槽式接觸插塞，位于所述第二狹槽式接觸插塞上方并且接觸所述第二狹槽式接觸插塞，其中，所述第三狹槽式接觸插塞位于所述第二 ILD中；第三ILD，位于所述第二 ILD上方；以及接觸插塞，穿透所述第三ILD,其中，所述接觸插塞與所述第三狹槽式接觸插塞接觸；其中，所述接觸插塞的底面低于所述第二 ILD的頂面。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種方法，包括:在第一 ILD上方形成第二層間電介質(zhì)(ILD)，柵極堆疊件位于所述第一 ILD中；蝕刻所述第二 ILD以形成第一接觸開(kāi)口 ；在所述第一接觸開(kāi)口的相對(duì)側(cè)壁上形成介電保護(hù)層；在所述第一接觸開(kāi)口中形成第一接觸插塞，所述第一接觸插塞位于所述介電保護(hù)層的相對(duì)部分之間；形成位于所述第一接觸插塞上方并且接觸所述第一接觸插塞的介電覆蓋層；在所述第二 ILD上方形成第三ILD ;在所述第二 ILD和所述第三ILD中形成第二接觸開(kāi)口 ；以及填充所述第二接觸開(kāi)口以形成第二接觸插塞。
[0018]在上述方法中，其中，形成所述介電覆蓋層包括:使所述第一接觸插塞凹進(jìn)以形成凹槽；在所述凹槽中填充所述介電覆蓋層；以及平坦化所述介電覆蓋層，其中，所述介電覆蓋層的頂面與所述第二 ILD的頂面基本平齊。
[0019]在上述方法中，其中，在形成所述第二接觸開(kāi)口中，所述介電保護(hù)層暴露于所述第二接觸開(kāi)口，并且其中，在形成所述第二接觸開(kāi)口期間，基本不蝕刻所述介電保護(hù)層。
[0020]在上述方法中，其中，在形成所述第一接觸開(kāi)口之后，所述第一 ILD暴露于所述第一接觸開(kāi)口。
[0021]在上述方法中，其中，所述方法進(jìn)一步包括:在形成所述第二 ILD之前，在所述第一 ILD上方形成蝕刻停止層，其中，所述第一接觸開(kāi)口穿透所述蝕刻停止層。
[0022]在上述方法中，其中，所述方法進(jìn)一步包括:當(dāng)形成所述第二接觸插塞時(shí)，同時(shí)在所述第二 ILD和所述第三ILD中形成源極/漏極接觸插塞。
【附圖說(shuō)明】
[0023]當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以更好地理解本發(fā)明的各方面。應(yīng)該注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各種部件沒(méi)有被按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以任意地增大或減小。
[0024]圖1至圖12示出了根據(jù)一些實(shí)施例形成包括接觸插塞的互連結(jié)構(gòu)的中間階段的截面圖；以及
[0025]圖13示出了根據(jù)一些實(shí)施例的接觸插塞的頂視圖；以及
[0026]圖14示出了根據(jù)一些實(shí)施例的用于形成互連結(jié)構(gòu)的工藝流程。
【具體實(shí)施方式】
[0027]為了實(shí)施本發(fā)明的不同特征，以下公開(kāi)提供了許多不同的實(shí)施例或?qū)嵗?。以下描述部件和布置的具體實(shí)例以簡(jiǎn)化本發(fā)明。當(dāng)然這些僅僅是實(shí)例并不旨在限定。例如，在以下描述中，第一部件形成在第二部件上方或上可包括第一部件和第二部件以直接接觸的方式形成的實(shí)施例，并且也可包括在第一部件和第二部件