然已結(jié)合優(yōu)選實施例描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是，在不脫離由所附權(quán)利要求書限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對本發(fā)明做各種修改和改變。
[0058]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0059]如上所述，已經(jīng)主要說明了這樣的LED，其中，臺面結(jié)構(gòu)使得ρ型區(qū)域和η型區(qū)域被包括在發(fā)光堆疊結(jié)構(gòu)上，從而第一電極結(jié)構(gòu)和第二電極結(jié)構(gòu)都可以設(shè)置在發(fā)光堆疊結(jié)構(gòu)上。然而，應(yīng)該注意的是，在發(fā)光堆疊結(jié)構(gòu)上僅具有一個電極結(jié)構(gòu)的垂直LED也在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管包括: 發(fā)光堆疊結(jié)構(gòu)，包括第一接觸層和位于第一接觸層的至少一部分上的臺面結(jié)構(gòu)； 第一電極結(jié)構(gòu)，位于第一接觸層上，并包括第一電極焊盤以及從第一電極焊盤延伸的延伸部分；以及 第二電極結(jié)構(gòu)，位于臺面結(jié)構(gòu)上， 其中，第一電極結(jié)構(gòu)包括形成在第一電極焊盤下面的焊盤型電流屏蔽層以及形成在第一電極結(jié)構(gòu)的延伸部分下面的點圖案電流屏蔽層， 延伸部分包括與第一接觸層接觸的另一部分。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述從第一電極焊盤延伸的延伸部分形成線狀圖案。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，延伸部分的所述另一部分包括延伸部分的端部。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，第二電極結(jié)構(gòu)包括第二電極焊盤以及從第二電極焊盤延伸的延伸部分。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其中，所述從第二電極焊盤延伸的延伸部分形成線狀圖案。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其中，第二電極結(jié)構(gòu)包括形成在第二電極焊盤下面的焊盤型電流屏蔽層以及形成在從第二電極焊盤延伸的延伸部分的一部分下面的點圖案電流屏蔽層。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，形成在第一電極焊盤下面的焊盤型電流屏蔽層以及形成在第一電極結(jié)構(gòu)的延伸部分下面的點圖案電流屏蔽層中的至少一個用作反射光的反射體。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，第一電極結(jié)構(gòu)還包括: 接觸材料層，覆蓋形成在第一電極焊盤下面的焊盤型電流屏蔽層以及形成在第一電極結(jié)構(gòu)的延伸部分下面的點圖案電流屏蔽層；以及 反射率比接觸材料層的反射率高且絕緣性比接觸材料層的絕緣性高的材料。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，形成在第一電極焊盤下面的焊盤型電流屏蔽層以及形成在第一電極結(jié)構(gòu)的延伸部分下面的點圖案電流屏蔽層包括分布式布拉格反射器。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，發(fā)光堆疊結(jié)構(gòu)包括p型區(qū)域以及形成在P型區(qū)域上的透明電極層，其中，第二電極結(jié)構(gòu)具有與透明電極層接觸的一部分。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，發(fā)光堆疊結(jié)構(gòu)包括III族氮化物基半導(dǎo)體層。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，發(fā)光堆疊結(jié)構(gòu)具有近似矩形或正方形的形狀，并包括第一邊緣、與第一邊緣相對的第二邊緣、將第一邊緣和第二邊緣相互連接的第三邊緣以及與第三邊緣相對的第四邊緣。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管，其中，第一電極焊盤位于第一邊緣附近，所述延伸部分從第一電極焊盤向第二邊緣延伸。14.一種發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管包括: 發(fā)光堆疊結(jié)構(gòu)，包括第一接觸層以及位于第一接觸層的至少一部分上的臺面結(jié)構(gòu)； 第一電極結(jié)構(gòu)，位于第一接觸層上；以及 第二電極結(jié)構(gòu)，位于臺面結(jié)構(gòu)上， 其中，第一電極結(jié)構(gòu)和第二電極結(jié)構(gòu)中的至少一個包括反射體，所述反射體沿圖案布置以反射光。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管，其中: 第一電極結(jié)構(gòu)，包括第一電極焊盤以及從第一電極焊盤延伸的至少一個延伸部分；第二電極結(jié)構(gòu)，包括第二電極焊盤以及從第二電極焊盤延伸的至少一個延伸部分；反射體包括設(shè)置在第一電極焊盤和第二電極焊盤的至少一個下面的焊盤型反射體以及設(shè)置第一電極結(jié)構(gòu)和第二電極結(jié)構(gòu)的至少一個的延伸部分下面的點圖案反射體。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管，其中，第一接觸層具有包括第一邊緣、與第一邊緣相對的第二邊緣、將第一邊緣和第二邊緣相互連接的第三邊緣以及與第三邊緣相對的第四邊緣的形狀， 其中，第一電極焊盤設(shè)置為與第二邊緣相比更接近第一邊緣，第二電極焊盤設(shè)置為與第一邊緣相比更接近第二邊緣。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光二極管，其中，第一電極結(jié)構(gòu)包括從第一電極焊盤向第二邊緣延伸的第一下延伸部分和第二下延伸部分，第一下延伸部分和第二下延伸部分的端部比鄰近第一電極焊盤的開始部分彼此隔得更開。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光二極管，其中，第二電極結(jié)構(gòu)包括: 第一上延伸部分、第二上延伸部分和第三上延伸部分，從第二電極焊盤向第一邊緣延伸， 其中，第一上延伸部分圍繞第一下延伸部分，第二上延伸部分圍繞第二下延伸部分，第三上延伸部分向第一下延伸部分和第二下延伸部分之間的區(qū)域延伸。19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管，其中: 第一接觸層包括η型半導(dǎo)體層，臺面結(jié)構(gòu)包括ρ型半導(dǎo)體層以及設(shè)置在ρ型半導(dǎo)體層上的透明電極層； 位于第一電極結(jié)構(gòu)中的反射體與η型接觸層的一部分接觸； 位于第二電極結(jié)構(gòu)中的反射體與透明電極層的一部分接觸。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的發(fā)光二極管，其中，第一電極結(jié)構(gòu)和第二電極結(jié)構(gòu)包括覆蓋第一電極焊盤、第二電極焊盤和延伸部分的焊盤材料層，其中，焊盤材料層包括連接反射體并且反射率比反射體的反射率低的材料。21.—種發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管包括: 發(fā)光堆疊結(jié)構(gòu)，包括第一區(qū)域以及與第一區(qū)域分開的第二區(qū)域，發(fā)光堆疊結(jié)構(gòu)具有包括第一側(cè)、與第一側(cè)相對的第二側(cè)、第三側(cè)以及與第三側(cè)相對的第四側(cè)的形狀； 第一電極結(jié)構(gòu)，形成在第一區(qū)域上，并包括設(shè)置在發(fā)光堆疊結(jié)構(gòu)的第一側(cè)附近的第一電極焊盤以及從第一電極焊盤向發(fā)光堆疊結(jié)構(gòu)的與第一側(cè)相對的第二側(cè)延伸的延伸部分; 第二電極結(jié)構(gòu)，形成在第二區(qū)域上，并包括設(shè)置在發(fā)光堆疊結(jié)構(gòu)的第二側(cè)附近的第二電極焊盤以及從第二電極焊盤向第一側(cè)延伸的延伸部分， 其中，第一電極結(jié)構(gòu)和第二電極結(jié)構(gòu)包括布置在第一電極結(jié)構(gòu)和第二電極結(jié)構(gòu)的延伸部分下面的反射體。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的發(fā)光二極管，其中，第一電極結(jié)構(gòu)和第二電極結(jié)構(gòu)的延伸部分分別包括分別向第三側(cè)和第四側(cè)延伸的兩個區(qū)域。23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的發(fā)光二極管，其中，第一電極結(jié)構(gòu)的延伸部分與第二電極結(jié)構(gòu)的延伸部分之間的距離通過這兩個延伸部分的至少一部分保持在恒定值。24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的發(fā)光二極管，其中，第一電極結(jié)構(gòu)和第二電極結(jié)構(gòu)的延伸部分在延伸部分的端部處直接連接到第一區(qū)域或第二區(qū)域。25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的發(fā)光二極管，其中，第一區(qū)域包括η型半導(dǎo)體層，第二區(qū)域包括Ρ型半導(dǎo)體層。
【專利摘要】公開了一種發(fā)光二極管(LED)，該LED包括：發(fā)光堆疊結(jié)構(gòu)，包括第一接觸層和位于第一接觸層的至少一部分上的臺面結(jié)構(gòu)；第一電極結(jié)構(gòu)，位于第一接觸層上，并包括第一電極焊盤以及從第一電極焊盤延伸的延伸部分；第二電極結(jié)構(gòu)，位于臺面結(jié)構(gòu)上，其中，第一電極結(jié)構(gòu)包括形成在第一電極焊盤下面的焊盤型電流屏蔽層以及形成在第一電極結(jié)構(gòu)的延伸部分下面的點圖案電流屏蔽層，延伸部分包括與第一接觸層接觸的另一部分。
【IPC分類】H01L33/40, H01L33/38
【公開號】CN105355748
【申請?zhí)枴緾N201510665509
【發(fā)明人】金藝瑟, 鄭多娟, 金京完, 尹馀鎮(zhèn), 吳尚炫
【申請人】首爾偉傲世有限公司
【公開日】2016年2月24日
【申請日】2011年4月5日
【公告號】CN103081139A, CN103081139B, US9024345, US9269871, US20130146929, US20150236216, WO2012026660A1