Oled器件及其制備方法和顯示器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示器領(lǐng)域，特別是涉及一種0LED器件及其制備方法和顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，OLED (Organic Light-Emitting，有機(jī)發(fā)光二極管又稱有機(jī)電激光顯示)生產(chǎn)過程中都要采用有機(jī)膠。如:PM0LED(Passive matrix 0LED，被動式有機(jī)發(fā)光二極管)和AMOLED (Active-Matrix Organic Light-Emitting,有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管又稱有源有機(jī)發(fā)光顯示)中的像素界定層、隔離柱等功能層的制備。其中，由于AMOLED中的TFT(薄膜晶體管)基板多采用LTPS(Low Temperature Poly-silicon低溫多晶娃)基板。而LTPS基板在生產(chǎn)過程中通常需要有機(jī)膠來制備功能層中的平坦化層、像素界定層和隔離柱或支撐柱等。而在制備功能層中的平坦化層或像素界定層或隔離柱或支撐柱過程中，通常會殘留部分水汽或溶膠。由此在進(jìn)行有機(jī)材料蒸鍍過程中很容易導(dǎo)致0LED器件出現(xiàn)滲氣的現(xiàn)象，從而使得最終制備的0LED器件出現(xiàn)像素收縮的現(xiàn)象，影響0LED器件的使用壽命。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]基于此，有必要針對傳統(tǒng)的0LED器件容易出現(xiàn)像素收縮的現(xiàn)象，影響其使用壽命的問題，提供一種0LED器件及其制備方法和顯示器。
[0004]為實現(xiàn)本發(fā)明目的提供的一種0LED器件，包括:
[0005]基板；
[0006]功能層，所述功能層形成于所述基板上；
[0007]第一吸水層，所述第一吸水層形成于所述功能層上，并覆蓋所述功能層中除發(fā)光區(qū)以外的位置；
[0008]0LED器件層，所述0LED器件層形成于所述第一吸水層上和未被所述第一吸水層覆蓋的所述功能層上。
[0009]在其中一個實施例中，還包括:
[0010]第二吸水層，所述第二吸水層形成于所述0LED器件層上。
[0011]在其中一個實施例中，所述第一吸水層和所述第二吸水層均為透明絕緣材料。
[0012]在其中一個實施例中，所述透明絕緣材料為111(:13或InCl 3的衍生物。
[0013]在其中一個實施例中，所述第一吸水層的厚度為10nm—100nm。
[0014]在其中一個實施例中，所述第二吸水層的厚度為lnm—50nm。
[0015]相應(yīng)的，本發(fā)明還提供了一種0LED器件制備方法，包括如下步驟:
[0016]在基板表面制備功能層；
[0017]利用掩膜板在所述功能層表面中除發(fā)光區(qū)以外的位置制備第一吸水層；
[0018]在所述第一吸水層表面和未被所述第一吸水層覆蓋的所述功能層表面制備0LED器件層。
[0019]在其中一個實施例中，所述利用掩膜板在所述功能層表面中除發(fā)光區(qū)以外的位置制備所述第一吸水層時，采用蒸鍍工藝進(jìn)行沉積制備。
[0020]在其中一個實施例中，還包括采用蒸鍍工藝在所述0LED器件層表面沉積第二吸水層的步驟。
[0021]相應(yīng)的，本發(fā)明還提供了一種顯示器，包括如上任一所述的0LED器件。
[0022]上述0LED器件的有益效果:
[0023]其通過在0LED器件的功能層與0LED器件層之間增加設(shè)置第一吸水層，由第一吸水層吸收0LED器件在前期生產(chǎn)工藝過程中所殘留的水汽或溶膠，從而有效避免了后續(xù)有機(jī)材料蒸鍍時產(chǎn)生滲氣的情況，使得最終所制備的0LED器件不會出現(xiàn)因非封裝問題導(dǎo)致的像素收縮現(xiàn)象，延長了 0LED器件的使用壽命。最終有效解決了傳統(tǒng)的0LED器件容易出現(xiàn)像素收縮的現(xiàn)象，影響其使用壽命的問題。
【附圖說明】
[0024]圖1為本發(fā)明的0LED器件的實施例一的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2為本發(fā)明的0LED器件的實施例二的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖3為本發(fā)明的0LED器件的實施例三的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖4為本發(fā)明的0LED器件制備方法的具體實施例的流程圖；
[0028]圖5為本發(fā)明的0LED器件制備方法中所采用的掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0029]為使本發(fā)明技術(shù)方案更加清楚，以下結(jié)合附圖及具體實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0030]首先需要說明的是，功能層指的是形成在基板上的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)層。其具體可包括柵極、源極、漏極和有源層等。其還可包括有平坦化層、像素界定層和支撐柱或隔離柱。
[0031]0LED器件層，則具體包括依次形成于第一吸水層上的第一有機(jī)層和陰極。通常，其還可包括形成于陰極上的第二有機(jī)層。
[0032]其中，參見圖1，作為本發(fā)明的0LED器件100的一具體實施例，S卩，實施例一，其包括基板110、形成于基板110上的功能層120、形成于功能層120上并覆蓋功能層120中除發(fā)光區(qū)以外的位置的第一吸水層130，以及形成于第一吸水層130上和未被第一吸水層130覆蓋的功能層120上的0LED器件層140。
[0033]由此，其通過在功能層120與0LED器件層140之間設(shè)置第一吸水層130，由第一吸水層130吸收在0LED器件100生產(chǎn)過程中制備功能層120時所產(chǎn)生的水汽或溶膠等殘留物，從而使得后續(xù)進(jìn)行有機(jī)材料的蒸鍍時不會出現(xiàn)滲氣的現(xiàn)象。由此也就不會導(dǎo)致最終制備的0LED器件100出現(xiàn)非封裝問題導(dǎo)致像素收縮的情況，從而最終延長了 0LED器件100的使用壽命。
[0034]其中，需要說明的是，第一吸水層130為透明絕緣材料。通過采用透明絕緣材料作為第一吸水層130，其既保證了功能層120中電極部分與0LED器件層140之間的絕緣性以保證0LED器件100的可靠性，同時還避免了其遮擋0LED器件100的發(fā)光的現(xiàn)象，保證了OLED器件100的正常發(fā)光。
[0035]進(jìn)一步的，選用透明絕緣材料作為第一吸水層130的材質(zhì)時，此材料吸水后仍為固態(tài)，不會對器件本身造成影響，其優(yōu)選為InCl3S InCl 3的衍生物。其中，InCl 3的衍生物可為[(t-Bu) PcInCl] ο
[0036]并且，作為本發(fā)明的0LED器件100的一具體實施例，其形成在功能層120之上的第一吸水層130的厚度為10nm — lOOnm。其通過將形成在功能層120之上的第一吸水層130的厚度設(shè)置為10nm — 100nm，既保證了能夠?qū)?LED器件100制備過程中殘留的水汽或溶膠全部吸收干凈，同時還避免了制備材料不必要的浪費。
[0037]其中，為更清楚的說明本發(fā)明的技術(shù)方案，以下以第一吸水層130為InCl3的衍生物:[(t-Bu)PcInCl]為例，對本發(fā)明的0LED器件100作更為詳細(xì)的說明。
[0038]參見圖2，作為本發(fā)明的0LED器件100的另一具體實施例，即，實施例二，其包括基板110，功能層120、第一吸水層130和0LED器件層140。其中:
[0039]基板110為玻璃。
[0040]在基板110表面還形成有緩沖層160，該緩沖層160可由無機(jī)材料如:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等制備，并且該緩沖層160可形成于基板110的整個表面。在本實施例中，緩沖層160的結(jié)構(gòu)為依次形成于基板110上的氮化硅(SiNx)層和氧化硅(S1x)層的雙層結(jié)構(gòu)。
[0041]功能層120則包括有TFT層、PLA層(平坦化層)122、PDL層(像素界定層)123、陽極層124和支撐柱125。其中，該功能層120可直接形成于緩沖層160上。
[0042]并且，該功能層120的TFT層具體包括:有源層1210、柵極絕緣層1211、柵極1212、源極1213、漏極1214，第一層間絕緣層1215、第二層間絕緣層1216，以及電容第一電極1217和電容第二電極1218及兩者間的絕緣層組成的電容。
[0043]其中:
[0044]有源層1210部分覆蓋緩沖層160。并且，有源層1210可以由無機(jī)半導(dǎo)體，如:非晶硅或多晶硅、有機(jī)半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體形成，包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)。
[0045]柵極絕緣層1211則形成于有源層1210和未被有源層1210覆蓋的緩沖層160上，以便于將有源層1210和柵極1212隔離，達(dá)到有源層1210與柵極1212之間的絕緣。并且，柵極絕緣層1211可以由有機(jī)材料或無機(jī)材料，如:氮化硅或氧化硅形成。
[0046]柵極1212則直接形成于柵極絕緣層1211上，并部分覆蓋柵極絕緣層1211。同時，柵極1212的電極材料為金屬Al、Mo、Cu、Ti或其他低電阻率的金屬材料中的一種或多種。
[0047]同時，在柵極絕緣層1211上還形成有電容第一電極1217。該電容第一電極1217部分覆蓋柵極絕緣層1211，并且其材料也可為金屬Al、Mo、Cu、Ti或其他低電阻率的金屬材料中的一種或多種。從而可以同時制備柵極1212和電容第一電極1217。
[0048]第一層間絕緣層1215形成于柵極1212和未被柵極1212、電容第一電極1217覆蓋的柵極絕緣層1211上，用于隔離柵極1212與源極1213以及電容第一電極1217和電容第二電極1218，起到柵極1212分別與源極1213和漏極1214之間的絕緣作用以及形成電容第一電極1217與電容第二電極1218的平板電容的作用。即，第一層間絕緣層1215形成于柵極1212和未被柵極1212、電容第一電極1217覆蓋的柵極絕緣層1211上，并且位于柵極1212與源極1213之間、柵極1212與漏極1214之間，以及電容第一電極1217與電容第二電極1218之間，從而將柵極1212與源極1213、柵極1212與漏極1214絕緣，并將電容第一電極1217和電容第二電極1218絕緣。其中，第一層間絕緣層1215同樣可以由無機(jī)材料，如:氮化硅和氧化硅形成。
[0049]第二層間絕緣層1216則形成于電容第二電極1218和未被電容第二電極1218覆蓋的第一層間絕緣層1215上，用于隔離源極1213、漏極1214與電容第二電極1218，起到源極1213、漏極1214與電容第二電極1218之間的絕緣作用。其中，第二層間絕緣層1216同樣可以由無機(jī)材料，如:氮化硅和氧化硅形成。并且，第二層間絕緣層1216的結(jié)構(gòu)可以為氮化硅和氧化硅形成的雙層或三層以上結(jié)構(gòu)。
[0050]并且，電容第一電極1217和電容第二電極1218的電極材料可同為金屬Al、Mo、Cu、Ti或其他低電阻率的金屬材料中的一種或多種。