0030]在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，還包括:在所述第一外延層、所述兩個深溝槽和所述淺溝槽上生長第二氧化層；在所述第二氧化層上生長多晶硅層；刻蝕掉所述第二氧化層上的多晶硅層；進行離子注入，以形成源極或柵極接觸區(qū)；在所述源極或柵極接觸區(qū)的表面制備金屬層。
[0031]在該技術(shù)方案中，在刻蝕完淺槽后，通過制作并刻蝕多晶硅層，并形成源極或柵極接觸區(qū)，最后再在源極或柵極接觸區(qū)的表面制備金屬層，即可完成MOSFET的制作。
[0032]在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，所述襯底為P型襯底或N型襯底。
[0033]在該技術(shù)方案中，所述襯底可以為P型襯底或N型襯底，以分別形成P溝道超結(jié)MOSFET和N溝道超結(jié)MOSFET。
[0034]在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，所述第一外延層為P型外延層或N型外延層，所述第二外延層為N型外延層或P型外延層。
[0035]在該技術(shù)方案中，為了制作P溝道超結(jié)M0SFET，當(dāng)所述第一外延層為P型外延層時，所述第二外延層應(yīng)該為N型外延層，同樣地，為了制作N溝道超結(jié)M0SFET，當(dāng)所述第一外延層為N型外延層時，所述第二外延層應(yīng)該為P型外延層，
[0036]在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，所述第一氧化層的厚底等于所述淺溝槽的深度。
[0037]在該技術(shù)方案中，第一氧化層的厚度決定了第二外延層的厚度，在刻蝕淺槽的時候也會刻蝕深槽中第二外延層，第一氧化層的厚度等于淺槽的深度，可以保證溝槽表面的平整。
[0038]在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，所述深溝槽和所述淺溝槽采用干法刻蝕或濕法刻蝕形成。
[0039]在該技術(shù)方案中，所述深溝槽和所述淺溝槽的刻蝕方法可以分為干法刻蝕和濕法刻蝕，其中，干法刻蝕包括光輝發(fā)、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等，且干法刻蝕易實現(xiàn)自動化、處理過程未引入污染、清潔度高；濕法刻蝕是一個純粹的化學(xué)反應(yīng)，是利用溶液與預(yù)刻蝕材料之間的化學(xué)反應(yīng)來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分進而達到刻蝕的目的，且濕法刻蝕的重復(fù)性好、成本低、使用的設(shè)備簡單。
[0040]在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，采用濕法刻蝕去除所述第一氧化層。
[0041]在該技術(shù)方案中，采用濕法刻蝕去除所述第一氧化層，可以達到在不增加刻蝕成本的基礎(chǔ)上，快速簡潔地去掉第一氧化層的目的。
[0042]下面以制作PM0S為例，結(jié)合圖16至圖22詳細說明本發(fā)明的技術(shù)方案。
[0043]如圖16所示，初始氧化層1604生長/光刻/刻蝕，利用初始氧化層1604做屏蔽，并在N型外延層1608上刻蝕深溝槽1606 (此氧化層1604的厚度需和后續(xù)淺槽2102的深度保持一致)后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]如圖17所示，在氧化層1604上生長P型外延層1702 ；
[0045]如圖18所示，回刻P型外延層1702 ；
[0046]如圖19所示，濕法去掉表面氧化層1604并重新淀積氮化硅側(cè)墻；
[0047]如圖20所示，回刻氮化硅1902側(cè)墻；
[0048]如圖21所示，在氮化硅1902側(cè)墻屏蔽下，直接刻蝕淺槽2102 ；
[0049]如圖22所示，去除表面氮化硅層1902 ；
[0050]去除氧化硅層1902后就可以按照相關(guān)技術(shù)中的步驟完成生長柵氧化層，體區(qū)源區(qū)注入，生長金屬層等操作(如相關(guān)技術(shù)中圖6至圖14所示的步驟)。
[0051]以上結(jié)合附圖詳細說明了本發(fā)明的技術(shù)方案，通過本發(fā)明的技術(shù)方案，可以使淺槽的光刻不受對準(zhǔn)程度的影響，減少光刻次數(shù)，并極大地提高元胞密度，進而提高器件的性倉泛。
[0052]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種溝槽型超結(jié)功率器件的制造方法，其特征在于，包括: 在襯底上生長第一外延層，在所述第一外延層上生長第一氧化層； 在所述第一氧化層和所述第一外延層上刻蝕多個深溝槽； 在所述第一氧化層和所述多個深溝槽中生長第二外延層； 刻蝕掉所述第一氧化層上的所述第二外延層； 刻蝕掉所述第一氧化層，并在所述第一外延層和所述多個深溝槽上淀積氧化硅層； 刻蝕掉除所述多個深溝槽的側(cè)墻外的其他氧化硅層； 在所述多個深溝槽的側(cè)墻的屏蔽下，在任意相鄰的兩個深溝槽之間刻蝕淺溝槽； 刻蝕掉所述多個深溝槽的側(cè)墻的氧化硅層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽型超結(jié)功率器件的制造方法，其特征在于，還包括: 在所述第一外延層、所述兩個深溝槽和所述淺溝槽上生長第二氧化層； 在所述第二氧化層上生長多晶硅層； 刻蝕掉所述第二氧化層上的多晶硅層； 進行離子注入，以形成源極或柵極接觸區(qū)； 在所述源極或柵極接觸區(qū)的表面制備金屬層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽型超結(jié)功率器件的制造方法，其特征在于，所述襯底為P型襯底或N型襯底。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽型超結(jié)功率器件的制造方法，其特征在于，所述第一外延層為P型外延層或N型外延層，所述第二外延層為N型外延層或P型外延層。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽型超結(jié)功率器件的制造方法，其特征在于，所述第一氧化層的厚底等于所述淺溝槽的深度。6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的溝槽型超結(jié)功率器件的制造方法，其特征在于，所述深溝槽和所述淺溝槽采用干法刻蝕或濕法刻蝕形成。7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的溝槽型超結(jié)功率器件的制造方法，其特征在于，采用濕法刻蝕去除所述第一氧化層。8.—種溝槽型超結(jié)功率器件，其特征在于，所述溝槽型超結(jié)功率器件由如權(quán)利要求1至7中任一項所述的溝槽型超結(jié)功率器件的制造方法制作而成。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種溝槽型超結(jié)功率器件和一種溝槽型超結(jié)功率器件的制造方法，其中，溝槽型超結(jié)功率器件的制造方法包括：在襯底上生長第一外延層，在第一外延層上生長第一氧化層；在第一氧化層和第一外延層上刻蝕多個深溝槽；在第一氧化層和多個深溝槽中生長第二外延層；刻蝕掉第一氧化層上的第二外延層；刻蝕掉第一氧化層，并在第一外延層和多個深溝槽上淀積氧化硅層；刻蝕掉除多個深溝槽的側(cè)墻外的其他氧化硅層；在多個深溝槽的側(cè)墻的屏蔽下，在任意相鄰的兩個深溝槽之間刻蝕淺溝槽；刻蝕掉多個深溝槽的側(cè)墻的氧化硅層。通過本發(fā)明的技術(shù)方案，可以使淺槽的光刻不受對準(zhǔn)程度的影響，減少光刻次數(shù)，并極大地提高元胞密度，進而提高器件的性能。
【IPC分類】H01L21/306, H01L29/78, H01L21/336
【公開號】CN105405763
【申請?zhí)枴緾N201410323861
【發(fā)明人】趙文魁
【申請人】北大方正集團有限公司, 深圳方正微電子有限公司
【公開日】2016年3月16日
【申請日】2014年7月8日