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      一種防硫化片式厚膜固定電阻器及其制作方法

      文檔序號(hào):9668825閱讀:907來源:國知局
      一種防硫化片式厚膜固定電阻器及其制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明專利涉及電子元器件技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種新型可以防止面電極被空氣中硫化氣體硫化的片式厚膜固定電阻器及其制作方法。
      [0002]
      【背景技術(shù)】
      [0003]目前,隨著電子技術(shù)及軍用電子元器件的發(fā)展,以及現(xiàn)代武器裝備小型化、輕型化和高性能化的需要,對(duì)電子元器件的性能及可靠性提出了更高的要求,片式厚膜固定電阻器作為重要的基礎(chǔ)電子元件,廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通訊、筆記本電腦、掌上電腦、計(jì)算機(jī)、汽車電子等小型整機(jī)電子設(shè)備的表面貼裝,同時(shí)也在航空、航天、衛(wèi)星、導(dǎo)彈、海(地)纜、通信等軍用電子整機(jī)的線路中廣泛使用。
      [0004]現(xiàn)有片式厚膜固定電阻器面電極一般是銀鈀合金的,普通片式厚膜電阻器面電極含鈀量為0.5%左右,根據(jù)片式厚膜固定電阻器的結(jié)構(gòu),面電極是連接電阻體和焊接端頭用的內(nèi)部電極。由于二次保護(hù)層和焊接端頭之間有微量的縫隙,當(dāng)空氣中含有大量硫化氣體時(shí),硫化氣體會(huì)沿著縫隙與內(nèi)電極接觸,銀被硫化反應(yīng)成硫化銀。由于硫化銀不導(dǎo)電,所以隨著電極被硫化,電阻值逐漸增大,直至最終成為開路,導(dǎo)致電阻器失效。在實(shí)際工作中,并非只有用在化工廠的電阻會(huì)被硫化,在礦業(yè)、火力發(fā)電廠中的電阻同樣存在被硫化的危險(xiǎn),甚至在某些場合僅僅因?yàn)樵诜忾]環(huán)境中使用了含硫的橡膠、油,也會(huì)導(dǎo)致在高溫下釋放的硫使電阻硫化,因此汽車電子中也逐漸開始重視電阻的防硫化。
      [0005]防硫化電阻為了避免內(nèi)電極硫化,一般情況下,片式厚膜電阻器防硫化是從兩個(gè)方面進(jìn)行的,一是通過改善二次保護(hù)層覆層設(shè)計(jì),讓底層電極覆蓋上二次保護(hù),并達(dá)到一定尺寸,在電鍍時(shí),Ni層和Sn-Pb層均能容易地覆蓋上二次保護(hù)層,這樣可以減少二次保護(hù)層和焊接端頭之間有微量的縫隙,避免硫化氣體的侵入,提高了產(chǎn)品的防硫化能力;二是從材料角度出發(fā),提高面電極Ag/Pd漿料中鈀的含量,把鈀的含量從通常的0.5%提高到5%以上,由于漿料中鈀含量的提高,鈀的穩(wěn)定性提高了電阻抗硫化能力。第一種方法僅僅是減少了二次保護(hù)層與面電極之間的縫隙,只是減慢了硫化的速度,不能完全做到防硫化;第二種方法由于在面電極漿料中增加了貴金屬鈀的含量,使片式電阻器的材料成本增加很多。
      [0006]申請(qǐng)?zhí)枮?01510298665.X的中國發(fā)明申請(qǐng)公開了一種陶瓷熱敏電阻器真空濺射電極,包括基片表面依次濺射的過渡層、阻擋層和導(dǎo)電層,所述過渡層為厚度4000?5000nm的鎳絡(luò)合金,所述鎳絡(luò)合金中按質(zhì)量百分比計(jì),鎳為80?85%,所述阻擋層為厚度4000?5000nm的鎳銅合金,所述鎳銅合金中按質(zhì)量百分比計(jì),鎳為25?30%,所述導(dǎo)電層為厚度2000?3000nm的銀。本發(fā)明還公開了陶瓷熱敏電阻器真空濺射電極的制造方法,采用真空濺射先分三次濺射形成鎳鉻合金過渡層,然后分三次濺射形成鎳銅合金阻擋層,再分兩次濺射形成銀導(dǎo)電層。以上現(xiàn)有技術(shù)不能解決片式厚膜固定電阻器面電極容易硫化的難題。
      [0007]

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0008]本發(fā)明的目的在于:為了克服現(xiàn)有片式厚膜固定電阻器面電極容易硫化的難題,本發(fā)明提供一種抗硫化能力強(qiáng)、制造成本低的新型防硫化片式厚膜固定電阻器及其制作方法。
      [0009]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采取的技術(shù)方案是:一種防硫化片式厚膜固定電阻器,包括陶瓷基片、面電極、背電極、端電極、電阻體、鍍錫層、鍍鎳層、一次玻璃、二次玻璃、位于面電極上的鎳鉻隔離層。
      [0010]所述面電極為銀鈀面電極;鎳鉻隔離層為采用磁控濺射技術(shù)濺射在銀鈀面電極上的一層鎳絡(luò)合金膜。
      [0011 ] 所述一次玻璃位于電阻體上面,二次玻璃位于一次玻璃上面,所述面電極、背電極、端電極、電阻體均位于陶瓷基片上,鍍鎳層位于面電極、背電極、端電極的外表面上,鍍錫層位于鍍鎳層外表面上。
      [0012]所述二次玻璃為二次保護(hù)層,所述鎳鉻隔離層位于面電極和鍍鎳層之間;鎳鉻隔離層的一部分填充于二次保護(hù)層與面電極之間。
      [0013]—種防硫化片式厚膜固定電阻器的制造方法,采用磁控濺射技術(shù),在制作防硫化片式厚膜固定電阻器時(shí),在印刷二次保護(hù)層之前,在面電極上濺射一層鎳鉻合金,以防止硫化氣體從二次保護(hù)層與面電極之間縫隙進(jìn)入后與面電極接觸而產(chǎn)生硫化作用。
      [0014]所述防硫化片式厚膜固定電阻器的制作工藝包括:
      a.前工序的制作:
      進(jìn)行防硫化片式厚膜固定電阻器的前工序制作,直至調(diào)阻工序完成;
      b.掩膜印刷:
      選用合適掩膜漿料,采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)在已經(jīng)調(diào)阻完成的半成品上印刷一層掩膜,將不需要濺射鎳鉻合金的部分掩蓋住,只留出面電極;
      c.鎳絡(luò)合金的派射:
      將印刷好掩膜的半成品放進(jìn)磁控濺射機(jī)中,進(jìn)行鎳鉻合金的濺射,濺射后用超聲波將掩膜清洗干凈并烘干,在面電極表面形成鎳鉻合金膜,再進(jìn)行老化,使鎳鉻合金膜穩(wěn)定;
      d.后工序制作:
      將老化后的防硫化片式厚膜固定電阻器依次進(jìn)行二次玻璃和標(biāo)記印刷、燒結(jié)、一次分割、封端、二次分割、電鍍工序。
      [0015]本發(fā)明針對(duì)空氣中的硫化氣體容易對(duì)面電極中的銀產(chǎn)生硫化的問題,在片式厚膜固定電阻器調(diào)阻之后,也就是在印刷二次保護(hù)層之前,在銀鈀面電極上采用磁控濺射技術(shù)濺射上一層鎳鉻合金膜,該膜主要成分為鎳鉻合金,不會(huì)與空氣中的硫化氣體發(fā)生反應(yīng),對(duì)銀鈀面電極起到保護(hù)的作用,從而達(dá)到片式厚膜固定電阻器防硫化的作用,提高了產(chǎn)品的性能、可靠性以及使用壽命。本發(fā)明防硫化片式厚膜固定電阻器抗硫化能力強(qiáng),面電極不容易硫化,制造成本低。
      [0016]
      【附圖說明】
      [0017]圖1為本發(fā)明中的防硫化片式厚膜固定電阻器的剖面構(gòu)造示意圖。
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