太陽(yáng)能組件及太陽(yáng)能電池的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能組件及太陽(yáng)能電池，且特別是有關(guān)于一種具有較低的破損率的太陽(yáng)能組件及太陽(yáng)能電池。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著環(huán)保意識(shí)增強(qiáng)，節(jié)能減碳的概念逐漸受眾人所重視，再生能源的開(kāi)發(fā)與利用成為世界各國(guó)積極投入發(fā)展的重點(diǎn)。再生能源當(dāng)中，由于太陽(yáng)光隨處可得，且不像其他能源(如:石化能源、核能)一般會(huì)對(duì)地球產(chǎn)生污染，因此太陽(yáng)能與可將太陽(yáng)光轉(zhuǎn)換成電能的各種裝置是目前看好的明星產(chǎn)業(yè)。
[0003]圖1是已知的一種將晶棒切割為芯片的不意圖。圖2是切割出的芯片的側(cè)視圖。參照?qǐng)D1與圖2，目前，太陽(yáng)能組件的芯片30的其中一個(gè)制備程序是將長(zhǎng)方體的晶棒10同時(shí)通過(guò)多條線鋸20以切割出多個(gè)芯片30。由于晶棒10在初始接觸線鋸20以及離開(kāi)線鋸20時(shí)，會(huì)有不同的切削力道，而使得被切出的芯片30具有不同的厚度(如圖2所示，芯片30在Y方向上，上下兩側(cè)較薄，中間較厚)，完成太陽(yáng)電池片后，亦維持相同形狀。其后，在制造太陽(yáng)能組件的過(guò)程中，會(huì)將導(dǎo)線40壓合在芯片30上。目前常見(jiàn)的方法有兩種，第一種方法為焊接，使用串焊機(jī)，將導(dǎo)線40表面的焊錫與電池片表面的導(dǎo)線焊接；第二種方法為使用導(dǎo)電黏著層將導(dǎo)線40與電池片表面的導(dǎo)線鏈接。圖3是已知的一種將導(dǎo)線壓合于芯片上的示意圖。在圖3中，示意性地展示將導(dǎo)線40壓合于兩個(gè)芯片30上，但芯片30的數(shù)量并不以此為限制。如圖3所示，由于芯片30在不同部位存在厚度差，此厚度差會(huì)使得導(dǎo)線40在壓合于芯片30上時(shí)，芯片30在不同部位所受到的力量不同，而容易發(fā)生芯片30破裂的狀況。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種太陽(yáng)能組件，其太陽(yáng)能芯片具有較低的破裂機(jī)率。
[0005]本發(fā)明的一種太陽(yáng)能組件，包括背板，透光基板，多個(gè)太陽(yáng)能電池，多條導(dǎo)線，及密封材料。所述太陽(yáng)能電池設(shè)置于所述背板與所述透光基板之間；其中，所述太陽(yáng)能電池包括芯片，多條匯流電極，及多條指狀電極。所述芯片包括位于中間的芯片一區(qū)及位于所述芯片一區(qū)兩側(cè)的芯片二區(qū)，其中所述芯片一區(qū)的厚度大于所述芯片二區(qū)的厚度；所述匯流電極沿第一方向設(shè)置于所述芯片上，且每個(gè)所述匯流電極橫跨所述芯片一區(qū)與所述芯片二區(qū)；所述指狀電極沿第二方向設(shè)置于所述芯片上，并與所述匯流電極電連接，其中所述第一方向垂直于所述第二方向；所述導(dǎo)線連接所述太陽(yáng)能電池，所述導(dǎo)線設(shè)置在所述匯流電極的一部分上，所述導(dǎo)線至多覆蓋所述匯流電極在所述芯片二區(qū)上的一部分；所述密封材料填充于所述背板與所述太陽(yáng)能電池之間，所述密封材料還填充于所述透光基板與所述太陽(yáng)能電池之間。
[0006]優(yōu)選地，每個(gè)所述匯流電極在所述芯片二區(qū)上超出所述導(dǎo)線覆蓋區(qū)段的長(zhǎng)度約為1毫米。
[0007]優(yōu)選地，所述芯片二區(qū)在沿所述第一方向上的長(zhǎng)度約在1毫米至10毫米之間。
[0008]優(yōu)選地，每個(gè)所述匯流電極在每個(gè)所述芯片二區(qū)上的超出所述導(dǎo)線覆蓋的區(qū)段的長(zhǎng)度與每個(gè)所述芯片二區(qū)的長(zhǎng)度在沿所述第一方向上的長(zhǎng)度的比值約在0.1至1之間。
[0009]優(yōu)選地，每個(gè)所述芯片二區(qū)在沿所述第一方向上的長(zhǎng)度與所述芯片在沿所述第一方向上的長(zhǎng)度的比值約為0.006至0.07之間。
[0010]優(yōu)選地，所述導(dǎo)線設(shè)置于所述匯流電極的所述芯片一區(qū)的區(qū)段上，且外露出所述匯流電極在所述芯片二區(qū)的整個(gè)區(qū)段。
[0011]優(yōu)選地，所述芯片二區(qū)存在厚度變化，所述芯片二區(qū)的厚度自靠近所述芯片一區(qū)處至所述芯片的邊緣呈現(xiàn)逐漸減少的趨勢(shì)。
[0012]優(yōu)選地，所述芯片一區(qū)的厚度范圍在100微米至200微米之間，所述芯片二區(qū)的厚度范圍在10微米至190微米間。
[0013]優(yōu)選地，所述芯片二區(qū)中的最小厚度與所述芯片一區(qū)的平均厚度的比值大于0.05且小于1。
[0014]優(yōu)選地，還包括導(dǎo)電黏著層，設(shè)置于所述導(dǎo)線與所述匯流電極之間，所述導(dǎo)線及所述導(dǎo)電黏著層未至多覆蓋所述匯流電極在所述芯片二區(qū)上的至少一部分。
[0015]本發(fā)明的一種太陽(yáng)能電池，包括芯片，多條指狀電極，及多條匯流電極。所述芯片包括位于中間的芯片一區(qū)及位于所述芯片一區(qū)兩側(cè)的芯片二區(qū)，其中所述芯片一區(qū)的厚度大于各所述芯片二區(qū)的厚度；所述指狀電極沿第一方向設(shè)置于所述芯片上且所述指狀電極橫跨所述芯片一區(qū)與所述芯片二區(qū)；所述匯流電極沿第二方向設(shè)置于所述芯片的所述芯片一區(qū)上且電連接于所述指狀電極，其中所述第一方向垂直于所述第二方向。
[0016]優(yōu)選地，所述芯片二區(qū)存在厚度變化，且所述芯片的所述芯片二區(qū)的厚度自靠近所述芯片一區(qū)處至所述芯片的邊緣呈現(xiàn)逐漸減少的趨勢(shì)。
[0017]優(yōu)選地，所述芯片一區(qū)的厚度范圍在100微米至200微米之間，且所述芯片二區(qū)的厚度范圍在10微米至190微米間。
[0018]優(yōu)選地，所述芯片二區(qū)中的最小厚度與所述芯片一區(qū)的平均厚度的比值大于0.05且小于1。
[0019]優(yōu)選地，所述芯片二區(qū)的寬度在1毫米至10毫米之間。
[0020]優(yōu)選地，各所述芯片二區(qū)在沿所述第一方向上的長(zhǎng)度與所述芯片在沿所述第一方向上的長(zhǎng)度的比值約為0.006至0.07之間。
[0021]本發(fā)明的一種太陽(yáng)能組件，包括背板，透光基板，多個(gè)太陽(yáng)能電池，多條導(dǎo)線，及密封材料。所述太陽(yáng)能電池設(shè)置于所述背板與所述透光基板之間；所述太陽(yáng)能電池包括芯片，多條指狀電極，及多條匯流電極。所述芯片包括位于中間的芯片一區(qū)及位于所述芯片一區(qū)兩側(cè)的芯片二區(qū)，其中所述芯片一區(qū)的厚度大于各所述芯片二區(qū)的厚度；所述指狀電極沿第一方向設(shè)置于所述芯片上且所述指狀電極橫跨所述芯片一區(qū)與兩所述芯片二區(qū)；所述匯流電極沿第二方向設(shè)置于所述芯片的所述芯片一區(qū)上且電連接于所述指狀電極，其中所述第一方向垂直于所述第二方向；所述導(dǎo)線用以連接所述太陽(yáng)能電池，所述導(dǎo)線設(shè)置在其中一條所述匯流電極上；所述密封材料填充于所述背板與各所述太陽(yáng)能電池以及所述透光基板與各所述太陽(yáng)能電池之間。
[0022]優(yōu)選地，所述芯片二區(qū)存在厚度變化，且所述芯片二區(qū)的厚度自靠近所述芯片一區(qū)處至所述芯片的邊緣呈現(xiàn)逐漸減少的趨勢(shì)。
[0023]優(yōu)選地，所述芯片一區(qū)的厚度范圍在100微米至200微米之間，且所述芯片二區(qū)的厚度范圍在10微米至190微米間。
[0024]優(yōu)選地，所述芯片二區(qū)中的最小厚度與所述芯片一區(qū)的平均厚度的比值大于0.05且小于1。
[0025]優(yōu)選地，所述芯片二區(qū)的寬度在1毫米至10毫米之間。
[0026]優(yōu)選地，各所述芯片二區(qū)的長(zhǎng)度在沿所述第一方向上的長(zhǎng)度與所述芯片在沿所述第一方向上的長(zhǎng)度的比值約為0.006至0.07之間。
[0027]基于上述，由于被切割出的芯片在邊緣處具有較小的厚度，為了避免芯片因?yàn)樵谖挥谥虚g的位置與位于邊緣的位置的厚度差異過(guò)大，而使得導(dǎo)線壓合在太陽(yáng)能電池上時(shí)，芯片各處受力不均而發(fā)生破裂的狀況，本發(fā)明的太陽(yáng)能組件通過(guò)將導(dǎo)線僅設(shè)置在匯流電極上的局部區(qū)域(匯流電極設(shè)在芯片一區(qū)上的部位，甚至包含在芯片二區(qū)中靠近芯片一區(qū)的部位)，而使得匯流電極設(shè)在芯片二區(qū)的靠近邊緣的部位不被導(dǎo)線覆蓋。通過(guò)上述設(shè)置，本發(fā)明的太陽(yáng)能組件在導(dǎo)線所在的區(qū)域具有相近的芯片厚度，而減少了發(fā)生芯片破裂的機(jī)率。此外，本發(fā)明的太陽(yáng)能電池也可將指狀電極設(shè)置在芯片上橫跨厚度變化的區(qū)域，且垂直于指狀電極的匯流電極設(shè)置在芯片上厚度相同的區(qū)域，此設(shè)置可降低導(dǎo)線壓合在匯流電極上時(shí)因?yàn)樾酒暮穸炔町惗l(fā)生芯片破裂的機(jī)率。
[0028]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說(shuō)明如下。
【附圖說(shuō)明】
[0029]圖1是已知的一種將晶棒切割為芯片的示意圖。
[0030]圖2是切割出的芯片的側(cè)視圖。
[0031]圖3是已知的一種將導(dǎo)線壓合于芯片上的示意圖。
[0032]圖4是