件124不發(fā)光的問題。
[0138] 并且，即使若超小型發(fā)光二極管元件的長(zhǎng)度Η大于上述第四超小型發(fā)光二極管元 件124的長(zhǎng)度，來使得超小型發(fā)光二極管元件的兩個(gè)末端部與第一電極111及第二電極133 電連接，但因超小型發(fā)光二極管元件的長(zhǎng)度變長(zhǎng)而使得光效率下降，從而存在無法制造出 所希望的超小型發(fā)光二極管電極組件的問題。因此，為了防止這種問題，超小型發(fā)光二極管 元件的長(zhǎng)度Η應(yīng)滿足關(guān)系式1中的Η<Χ+Υ+2Ζ。
[0139] 但是，若超小型發(fā)光二極管元件的活性層向特定導(dǎo)電性半導(dǎo)體層一側(cè)傾斜(參照 圖8中的125b)，并且，與電極相連接的超小型發(fā)光二極管元件的部分為涂敷有絕緣覆膜的 活性層而非電極層和/或?qū)щ娦园雽?dǎo)體層，則雖因絕緣覆膜而不會(huì)發(fā)生電路短路，但有可能 存在超小型發(fā)光二極管元件未與電極線電連接的問題。
[0140] 具體地，在圖8中，第五超小型發(fā)光二極管元件125同時(shí)與第一電極111及第二電極 131相連接。但是，若觀察圖8中的B-B剖視圖，則可確認(rèn)，與第一電極111相連接的第五超小 型發(fā)光二級(jí)管元件125的部分為涂敷有絕緣覆膜的活性層125c部分，第一電極層125a及第 一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層125b未與第一電極111相連接。這種第五超小型發(fā)光二極管元件因在活 性層125C部分的外部面涂敷有絕緣覆膜而不發(fā)生電路短路，但因第一電極層125a及第一導(dǎo) 電性半導(dǎo)體層125b未與第一電極111相連接，從而可存在當(dāng)向電極線施加電源時(shí)超小型發(fā) 光二極管元件125不發(fā)光的問題。
[0141] 并且，在超小型發(fā)光二極管元件的長(zhǎng)度Η滿足關(guān)系式1中的X+Y+Z<H<X+Y+2Z，且 在超小型發(fā)光二極管元件與電極電連接的狀態(tài)下，也有可能存在無法體現(xiàn)發(fā)出目標(biāo)光量的 超小型發(fā)光二極管電極組件的情況。具體地，在圖8中，第六超小型發(fā)光二極管元件126與第 一電極111及第二電極131電連接，因此當(dāng)向電極線施加電源時(shí)不存在發(fā)光方面的問題，但 隨著第六超小型發(fā)光二極管元件126未以垂直于第一電極111及第二電極131的方式整列來 安裝，而是以傾斜的狀態(tài)安裝，因而導(dǎo)致用于安裝一個(gè)超小型發(fā)光二極管元件而所占據(jù)的 電極線的面積增加，以此，隨著可在電極線中的面積有限的超小型發(fā)光二極管元件安裝區(qū) 域安裝的超小型發(fā)光二極管元件的數(shù)量減少，從而存在很難體現(xiàn)發(fā)出目標(biāo)光量的超小型發(fā) 光二極管電極組件的問題。
[0142] 以此，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，超小型發(fā)光二極管元件的長(zhǎng)度Η可滿足關(guān)系式2 中的H SX+Y+Z。在此情況下，可提現(xiàn)與在超小型發(fā)光二極管元件中向長(zhǎng)度方向涂敷絕緣覆 膜的活性層的位置無關(guān)地不存在電路短路并電連接的超小型發(fā)光二極管電極組件，由于使 一個(gè)超小型發(fā)光二極管元件所占據(jù)的電極線的面積減少，因此可增加在面積有限的電極線 可安裝的超小型發(fā)光二極管元件的數(shù)量，從而非常有利于體現(xiàn)所希望的超小型發(fā)光二極管 電極組件。
[0143] 另一方面，向包括第一電極及第二電極的電極線投入包括超小型發(fā)光二極管元件 的溶液的本發(fā)明的步驟(1)可包括:步驟1-1)，制造電極線，上述電極線包括底座基板、第一 電極及第二電極，上述第一電極形成于上述底座基板上，上述第二電極以與上述第一電極 相隔開的方式形成于與上述第一電極相同的平面上；步驟1-2)，在上述底座基板上形成絕 緣隔板，上述絕緣隔板包圍可用于安裝超小型發(fā)光二極管元件的電極線區(qū)域；以及步驟1- 3)，向被上述絕緣隔板包圍的電極線區(qū)域投入包括多個(gè)超小型發(fā)光二極管元件的溶液。
[0144] 首先，步驟1-1)可包括制造電極線的步驟，上述電極線包括底座基板、第一電極及 第二電極，上述第一電極形成于上述底座基板上，上述第二電極以與上述第一電極相隔開 的方式形成于與上述第一電極相同的平面上。在步驟1-1)中的形成電極的具體方法如同上 述，因此將省略對(duì)其的說明。
[0145] 接著，步驟1-2)可包括在上述底座基板上形成在上述底座基板上形成絕緣隔板的 步驟，上述絕緣隔板包圍可用于安裝超小型發(fā)光二極管元件的電極線區(qū)域。
[0146] 上述絕緣隔板起到當(dāng)在后述的步驟1-3)中向電極線投入包括超小型發(fā)光二極管 元件的溶液時(shí)，通過防止包括超小型發(fā)光二極管元件的溶液向用于安裝超小型發(fā)光二極管 元件的電極線區(qū)域以外擴(kuò)散，來可使得在目標(biāo)電極線區(qū)域配置超小型發(fā)光二極管元件的作 用。
[0147] 上述絕緣隔板可通過后述的制造工序來制造，但絕緣隔板的制造方法并不局限于 此。
[0148] 具體地，圖9為表示本發(fā)明優(yōu)選一實(shí)例的在底座基板100及在上述底座基板100上 所形成的電極線形成絕緣隔板107的制造工序的示意圖，如上述圖2的（f)部分所示，可在制 造蒸鍍于底座基板100上的電極線l〇3a、103b之后制造絕緣隔板107。
[0149] 首先，如圖9的（a)部分所示，可在底座基板100及在上述底座基板100上所形成的 電極線103a、103b上形成如圖9的（b)部分所示的絕緣層104。上述絕緣層104作為經(jīng)過后述 工序后形成絕緣隔板的層，上述絕緣層104的材質(zhì)可以為在本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域通常所使 用的絕緣物質(zhì)，優(yōu)選地，絕緣物質(zhì)可以為二氧化硅(Si〇2 )、氮化硅(Si3N4)、氧化鋁(Al2〇3 )、氫 氧化鉿(Hf02)、三氧化二釔(Y2〇3)及二氧化鈦(Ti0 2)等無機(jī)絕緣物和多種透明聚合物絕緣 物中的一種以上。在通過向底座基板100及在上述底座基板100上所形成的電極線l〇3a、 103b上涂敷無機(jī)物絕緣層來形成上述絕緣層104的情況下，涂敷方法可采用化學(xué)氣相蒸鍍 法、原子層蒸鍍法、真空(vacuum)蒸鍍法、電子束蒸鍍法及旋涂方法中的一種方法，優(yōu)選地， 可以為化學(xué)氣相蒸鍍法，但并不局限于此。并且，涂敷聚合物絕緣層的方法可采用旋涂、濺 射涂敷及絲網(wǎng)印刷等方法中的一種方法，優(yōu)選地，可以為旋涂，但并不局限于此，具體的涂 敷方法可采用在本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域公知的方法。所涂敷的絕緣層104的厚度為超小型發(fā) 光二極管元件的半徑的1/2以上，來達(dá)到不使超小型發(fā)光二極管元件溢出，并且不對(duì)后述工 序產(chǎn)生影響，通常，優(yōu)選地，作為不對(duì)后續(xù)工序產(chǎn)生影響的厚度，絕緣層104的厚度可以為 0.1~100μπι，更加優(yōu)選地，可以為0.3~ΙΟμπι。若無法滿足上述范圍，則會(huì)對(duì)后續(xù)工序產(chǎn)生影 響，從而存在很難制造出包括超小型發(fā)光二極管電極組件的產(chǎn)品的問題，若絕緣層104的厚 度小于超小型發(fā)光二極管元件的直徑，則有可能導(dǎo)致通過絕緣隔板所達(dá)到的防止超小型發(fā) 光二極管元件擴(kuò)散的效果微弱，并且，有可能存在包括超小型發(fā)光二極管元件的溶液向絕 緣隔板以外溢出的問題。
[0150] 之后，可在上述絕緣層104上涂敷致抗蝕劑105(PR，Photo resist)。上述致抗蝕劑 可以為在本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域通常所使用的致抗蝕劑。將上述致抗蝕劑涂敷于絕緣層104 上的方法可以為旋涂、濺射涂敷及絲網(wǎng)印刷中的一個(gè)，優(yōu)選地，可以為旋涂，但并不局限于 此，具體的涂敷方法可采用在本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域公知的方法。優(yōu)選地，所涂敷的光致抗蝕 劑105的厚度大于涂敷為當(dāng)進(jìn)行蝕刻時(shí)被用作膜的絕緣層的厚度，以此，光致抗蝕劑105的 厚度可以為1~20mi。但是，所涂敷的光致抗蝕劑105的厚度可根據(jù)之后的目的而改變。
[0151] 如上所述，可在絕緣層140上形成光致抗蝕劑105層之后，如圖9的（c)部分所示，將 與絕緣隔板的水平截面形狀相對(duì)應(yīng)的掩膜106放置于光致抗蝕劑105層，并從上述掩膜106 的上部照射紫外線。
[0152] 之后，可執(zhí)行通過將曝光的光致抗蝕劑層浸漬于普通光致抗蝕劑溶劑來進(jìn)行去除 的步驟，以此，如圖9的(d)部分所示，可去除與將安裝超小型發(fā)光二極管元件的電極線的區(qū) 域相對(duì)應(yīng)的曝光的光致抗蝕劑層部分。
[0153] 接著，可執(zhí)行通過對(duì)去除光致抗蝕劑層而露出絕緣層的區(qū)域進(jìn)行蝕刻來去除所露 出的絕緣層部分的步驟。上述蝕刻可通過濕法刻蝕（w e t e t c h i n g)或干法蝕刻（d r y etching)來執(zhí)行，優(yōu)選地，可通過干法蝕刻來執(zhí)行。上述蝕刻法的具體方法可采用在本發(fā)明 所屬技術(shù)領(lǐng)域公知的方法。具體地，上述干法蝕刻可以為等離子蝕刻、濺射蝕刻、反應(yīng)離子 蝕刻和反應(yīng)離子束蝕刻中的一種以上的方法。但是，具體的蝕刻方法并不局限于上述記載。 如圖9的（e)部分所示，若去除通過蝕刻露出的絕緣層，則可露出底座基板100及電極線 103a、103b。
[0154] 接著，如圖9的⑴部分所示，若利用丙酮、N-甲基吡咯烷酮丙酮及二甲亞砜中的一 種光致抗蝕劑去除劑來去除涂敷于底座基板100上的光致抗蝕劑105層，則可在底座基板 100上的除實(shí)際安裝超小型發(fā)光二極管元件的區(qū)域（圖9的p)之外的區(qū)域制造出絕緣隔板 104,。
[0155] 接著，步驟1-3)可包括向被上述絕緣隔板包圍的電極線區(qū)域投入包括多個(gè)超小型 發(fā)光二極管元件的溶液的步驟。
[0156] 具體地，圖10為本發(fā)明優(yōu)選第一實(shí)例的超小型發(fā)光二極管電極組件的制造工序的 立體圖，如圖10的(a)部分所示，可向被形成于底座基板100上的絕緣隔板150包圍的電極線 110、130區(qū)域投入包括多個(gè)超小型發(fā)光二極管元件的溶液120、130。在此情況下，與圖1的 (a)部分的情況相比，可使包括超小型發(fā)光二極管元件的溶液直接位于目標(biāo)電極線區(qū)域。并 且，具有如下優(yōu)點(diǎn)，可防止因在投入上述溶液后，超小型發(fā)光二極管元件從溶液內(nèi)向外圍擴(kuò) 散而導(dǎo)致超小型發(fā)光二極管元件位于未希望安裝超小型發(fā)光二極管元件的電極線區(qū)域和/ 或不存在電極線的區(qū)域。另一方面，由于對(duì)圖10的（b)部分及圖10的（c)部分的說明與以下 對(duì)本發(fā)明的步驟(2)的說明中的對(duì)圖lb及圖lc的說明相同，因此以后述內(nèi)容代替具體的說 明。
[0157] 接著，如圖1的（b)部分所示，本發(fā)明的一實(shí)例包括步驟(2)，在上述步驟(2)中，為 了使多個(gè)超小型發(fā)光二極管元件與上述第一電極和第二電極這雙方均連接，因而向上述電 極線施加電源，從而使多個(gè)超小型發(fā)光二極管元件自動(dòng)整列.
[0158] 由于通過向第一電極和第二電極施加電源來使本發(fā)明的超小型發(fā)光二極管電極 組件所包括的多個(gè)超小型發(fā)光二極管元件自動(dòng)整列，從而，如圖1的（c)部分所示，上述超小 型發(fā)光二極管元件與第一電極和第二電極這雙方均連接。
[0159]若發(fā)光二極管元件為普通發(fā)光二極管元件，則可直接通過以物理的方式配置，來 可使發(fā)光二極管元件與在相同的平面上相隔開的互不相同的電極這雙方均連接。例如，可 在平面電極的互不相同的電極之間以手動(dòng)的方式水平排列普通發(fā)光二極管元件。
[0160] 但是，如本發(fā)明，由于很難直接以物理的方式配置超小型發(fā)光二極管元件，從而存 在無法使超小型發(fā)光二極管元件同時(shí)與在相同的平面上隔開的互不相同的超小型電極相 連接的問題。并且，若超小型發(fā)光二極管元件呈圓筒形狀，則有可能存在單純地向電極投入 超小型發(fā)光二極管則不會(huì)形成自動(dòng)整列，并且因超小型發(fā)光二極管元件呈圓筒形狀而導(dǎo)致 超小型發(fā)光二極管元件在電極上滑動(dòng)的問題。因此，在本發(fā)明中通過向電極線施加電源來 使超小型發(fā)光二極管元件自動(dòng)同時(shí)與互不相同的兩個(gè)電極相連接，從而可解決上述問題。
[0161] 優(yōu)選地，上述電源可以為具有振幅和周期的可變電源，并且，上述電源的波形可以 為正弦波或者由非正弦波的波形構(gòu)成的脈沖波。作為一例，可通過向電極線施加交流電，或 者也可通過以0￥、30￥、0￥、30￥、0￥、30￥的方式每秒向第一電極重復(fù)施加1000次的直流電，并 以與第一電極相反的30￥、0￥、30￥、0￥、30￥、0￥的方式每秒向第二電極重復(fù)施加1000次的直 流電，從而形成具有振幅和周期的可變電源。
[0162] 優(yōu)選地，上述電源的電壓(振幅）可以為0.1V至1000V，頻率可以為10Hz至100GHz。 溶劑包括將要經(jīng)自動(dòng)整列的超小型發(fā)光二極管元件，并向電極線投入上述溶劑，而上述溶 劑可在落到電極上的同時(shí)蒸發(fā)，由于借助通過兩個(gè)電極的電位差而形成的電場(chǎng)的誘導(dǎo)來使 電荷以非對(duì)稱的方式被誘導(dǎo)向超小型發(fā)光二極管元件，因此，超小型發(fā)光二極管元件可在 與超小型發(fā)光二極管元件的兩個(gè)末端相向的互不相同的兩個(gè)電極之間進(jìn)行自動(dòng)整列。優(yōu)選 地，可通過向互不相同的兩個(gè)電極施加5秒鐘至120秒鐘的電源，來使超小型發(fā)光二極管元 件同時(shí)與互不相同的兩個(gè)電極相連接。
[0163] 另一方面，在上述步驟(2)中，與第一電極和第二電極這雙方均連接的超小型發(fā)光 二極管元件的數(shù)量(N)可基于在上述步驟(2)中可調(diào)節(jié)的多個(gè)變數(shù)。上述變數(shù)可以為所施加 的電源的電壓(V)、電源的頻率(F，Hz)、包括超小型發(fā)光二極管元件的溶液的濃度(C，超小 型發(fā)光二極管的重量百分比）、兩個(gè)電極之間的間距(Z)、超小型發(fā)光二極管的縱橫比(AR， 其中AR = H/D，D為超小型發(fā)光二極管的直徑）。以此，與第一電極和第二電極這雙方均連接 的超小型發(fā)光二極管元件的數(shù)量(N)與電壓(V)、頻率(F)、包括超小型發(fā)光二極管元件的溶 液的濃度(C)及超小型發(fā)光二極管的縱橫比(AR)成正比，并且與兩個(gè)電極之間的間距(Z)成 反比。
[0164] 這是由于超小型發(fā)光二極管元件借助通過兩個(gè)電極的電位差而形成的電場(chǎng)的誘 導(dǎo)來在互不相同的兩個(gè)電極之間進(jìn)行自動(dòng)整列，電場(chǎng)的強(qiáng)度越大，則可使與電極相連接的 超小型發(fā)光二極管元件的數(shù)量增加，而且上述電場(chǎng)的強(qiáng)度可以與兩個(gè)電極的電位差(V)成 正比，并與兩個(gè)電極之間的間距(Z)成反比。
[0165] 接著，在包括超小型發(fā)光二極管元件的溶液的濃度(C，超小型發(fā)光二極管的重量 百分比)方面，濃度越增加，則可使與電極相連接的發(fā)光二極管元件的數(shù)量增加。
[0166] 接著，在電源的頻率(F，Hz)方面，由于頻率會(huì)使形成于超小型發(fā)光二極管元件的 電荷差不同，因此，若頻率增加，則可增加與兩個(gè)電極相連接的超小型發(fā)光二極管元件的數(shù) 量。但是，若頻率增加至規(guī)定值以上，則有可能導(dǎo)致電荷誘導(dǎo)消失，因此，可使與電極相連接 的超小型發(fā)光二極管元件的數(shù)量減少。
[0167] 最后，在超小型發(fā)光二極管元件的縱橫比方面，若超小型發(fā)光二極管元件的縱橫 比變大，則使得基于電場(chǎng)的誘導(dǎo)電荷變大，因此可使更多數(shù)量的超小型發(fā)光二極管元件整 列。并且，當(dāng)在可使超小型發(fā)光二極管元件整列的空間方面考慮面積有限的電極線時(shí)，在超 小型發(fā)光二極管元件的長(zhǎng)度被固定的狀態(tài)下，通過使超小型發(fā)光二極管元件的直徑變小， 從而在縱橫比變大的情況下可使與有限的電極線相連接的超小型發(fā)光二極管元件的數(shù)量 增加。
[0168] 本發(fā)明存在如下優(yōu)點(diǎn)，即，可通過調(diào)節(jié)上述的多種因素來根據(jù)目的調(diào)節(jié)與電極相 連接的發(fā)光二極管元件的數(shù)量。
[0169] 另一方面，可根據(jù)超小型發(fā)光二極管元件的縱橫比，來在本發(fā)明的步驟(2)中存在 即是向電極線施加電源也難以使超小型發(fā)光二極管元件自動(dòng)整列的情況。因此，根據(jù)本發(fā) 明優(yōu)選一實(shí)例，本發(fā)明所包括的超小型發(fā)光二極管元件的縱橫比可以為1.2~100,更優(yōu)選 地，可以為1.2~50,更加優(yōu)選地，可以為1.5~20,特別優(yōu)選地，可以為1.5~10。若超小型發(fā) 光二極管元件的縱橫比小于1.2,則存在即使向電極線施加電源，也無法使超小型發(fā)光二極 管元件進(jìn)行自動(dòng)整列的問題，若超小型發(fā)光二極管元件的縱橫比大于100，則有可能導(dǎo)致進(jìn) 行自動(dòng)整列所需的電源的電壓下降，但當(dāng)借助干法蝕刻等來制造超小型發(fā)光二極管元件 時(shí)，由于工序上的局限性，很難制造出縱橫比大于100的元件。
[0170]優(yōu)選地，在上述步驟(2)中，在每100X 1 ΟΟμπι2面積的電極線中實(shí)際安裝的超小型 發(fā)光二極管元件的數(shù)量為2個(gè)至100000個(gè)，更加優(yōu)選地，可以為10至10000個(gè)。每超小型發(fā)光 二極管電極組件包括多個(gè)超小型發(fā)光二極管元件，由此可使因多個(gè)超小型發(fā)光二極管元件 中的一部分不良而引起的超小型發(fā)光二極管電極組件的功能下降或功能喪失最小化。并 且，若所包含的超小型發(fā)光二極管元件的數(shù)量大于100000個(gè)，則制造成本上升，并可在超小 型發(fā)光二極管元件的整列方面存在問題。
[0171] 另一方面，本發(fā)明優(yōu)選一實(shí)例的超小型發(fā)光二極管電極組件的制造方法在上述步 驟(2)之后還可包括步驟(3)，即，在第一電極及第二電極和超小型發(fā)光二極管元件的連接 部分形成金屬歐姆層。
[0172] 在連接部位形成金屬歐姆層是因?yàn)槿粝蜻B接有多個(gè)超小型發(fā)光二極管的互不相 同的兩個(gè)電極施加電源，則超小型發(fā)光二極管元件發(fā)光，但在此時(shí)，有可能在電極和超小型 發(fā)光二極管元件之間產(chǎn)生較大的阻抗，而為了減少如上所述的阻抗，則可包括形成金屬歐 姆層的步驟。
[0173]具體地，可通過如下工序形成金屬歐姆層，但形成歐姆層的工序并不局限于下述 工序，只要是用于生成金屬歐姆層的常規(guī)方法，則可以以不受限制的方式使用。
[0174]首先，可在經(jīng)上述步驟(2)的超小型發(fā)光二極管電極組件的上部涂敷2μπι至3μπι的 光致抗蝕劑。優(yōu)選地，上述涂敷可以為旋涂、濺射涂敷及絲網(wǎng)印刷中的一種方法，但并不局 限于此。之后，從超小型發(fā)光二極管電極組件的底座基板的下方朝向涂敷光致抗蝕劑的方 向照射紫外線來使除電極上部的光致抗蝕劑層之外的剩余部分的光致抗蝕劑層固化，之后 利用普通的光致抗蝕劑溶劑來去除未被固化的電極上部的光致抗蝕劑層。
[0175]