一種具有延伸電極的磁敏器件及制造工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種具有延伸電極的磁敏器件及制造工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中的磁敏器件，包括由下而上依次設(shè)置的襯底層、銻化銦薄膜、電極，導(dǎo)線通過打線工藝連接在電極上。而由于銻化銦材料軟脆，在對電極進行打線時，會使位于電極之下的銻化銦薄膜損壞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為克服上述缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種具有延伸電極的磁敏器件及制造工
Ο
[0004]為了達到以上目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種具有延伸電極的磁敏器件，它包括基底、在基底之上的形成所需芯片圖案的InSb薄膜，具有延伸電極的磁敏器件還包括至少兩個電極，每個電極的一部分位于InSb薄膜上表面，另一部分延伸至基底上表面。
[0005]進一步地，電極的所述另一部分通過打線工藝與導(dǎo)線連接。
[0006]進一步地，電極材料采用金或鋁。
[0007 ] 進一步地，基底材料為陶瓷、硅、鐵氧體或云母。
[0008]進一步地，基底包括由下至上依次設(shè)置的襯底層、過渡層、絕緣層，過渡層材料為化合物，該化合物含有包括In在內(nèi)的與In同族的至少一種金屬元素，所述的化合物中至少含有Sb，化合物中除Sb外僅含有In所在族中的金屬元素。
[0009]更進一步地，絕緣層材料為Ιη2θ3或Si〇2。
[0010]更進一步地，若在具有延伸電極的磁敏器件制作過程中，對InSb進行退火處理時的退火溫度低于InSb的熔點，則過渡層材料為InSb，若在具有延伸電極的磁敏器件制作過程中，對InSb進行退火處理時的退火溫度高于InSb的熔點，則過渡層材料為除InSb外的其他化合物。
[0011 ]更進一步地，襯底層材料為陶瓷、娃、鐵氧體或云母。
[0012]本發(fā)明還提供了另一種技術(shù)方案:上述的一種具有延伸電極的磁敏器件的制造工藝，包括以下步驟:
A.在基底上表面生長InSb薄膜層，并按照芯片圖案通過半導(dǎo)體光刻工藝形成InSb薄膜；
B.通過半導(dǎo)體光刻掩膜工藝，蒸發(fā)電極使電極的一部分位于InSb薄膜上表面，另一部分延伸至基底上表面。
[0013]進一步地，通過打線工藝將導(dǎo)線連接至InSb薄膜的位于基底上表面的所述另一部分上。
[0014]由于采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明一種具有延伸電極的磁敏器件及制造工藝，通過將電極從InSb薄膜上延伸至基底的上表面，而打線時則在電極的位于基底上表面的那一部分上進行打線，從而避免了在InSb薄膜上方打線而損壞InSb薄膜，保證了磁敏器件的質(zhì)量。
【附圖說明】
[0015]附圖1為本發(fā)明【背景技術(shù)】中現(xiàn)有的磁敏器件的側(cè)剖結(jié)構(gòu)示意圖；
附圖2為本發(fā)明實施例一中一種具有延伸電極的磁敏器件的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
附圖3為本發(fā)明實施例一中一種具有延伸電極的磁敏器件的側(cè)剖結(jié)構(gòu)示意圖；
附圖4為本發(fā)明實施例二中一種具有延伸電極的磁敏器件的側(cè)剖結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖中標號為:
1、基底;11、襯底層;12、過渡層;13、絕緣層；
2、InSb薄膜；
3、電極；
4、導(dǎo)線。
【具體實施方式】
[0017]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解。
[0018]實施例一
參照附圖2和附圖3，本實施例中的一種具有延伸電極的磁敏器件，它包括基底1、在基底1之上的形成所需芯片圖案的InSb薄膜2。具有延伸電極的磁敏器件還包括至少兩個電極3，每個電極3的一部分位于InSb薄膜2上表面，另一部分延伸至基底1上表面。
[0019]電極3的所述另一部分通過打線工藝與導(dǎo)線4相連接。
[0020]附圖2示出了一種InSb薄膜形狀及電極3設(shè)置位置的實施例。
[0021]電極3材料采用金或鋁。
[0022]基底1材料為陶瓷、硅、鐵氧體或云母。
[0023]本實施例還提供了一種上述的具有延伸電極的磁敏器件的制造工藝，包括以下步驟:
A.在基底1上表面生長InSb薄膜層，并按照芯片圖案通過半導(dǎo)體光刻工藝形成InSb薄膜2;
B.通過半導(dǎo)體光刻掩膜工藝，蒸發(fā)電極3使電極3的一部分位于InSb薄膜2上表面，另一部分延伸至基底1上表面。
[0024]通過打線工藝將導(dǎo)線4連接至InSb薄膜2的位于基底1上表面的另一部分上。
[0025]本實施例中的一種具有延伸電極的磁敏器件及制造工藝，通過將電極從InSb薄膜上延伸至基底的上表面，而打線時則在電極的位于基底上表面的那一部分上進行打線，從而避免了在InSb薄膜上方打線而損壞InSb薄膜，保證了磁敏器件的質(zhì)量。
[0026]實施例二
參照附圖4，本實施例中的一種具有延伸電極的磁敏器件與實施例一的區(qū)別僅在于:本實施例中的基底1包括由下至上依次設(shè)置的襯底層11、過渡層12、絕緣層13。襯底層11厚度為ΙΟΟμπι?ΙΟΟΟμηι，材料為陶瓷、娃、鐵氧體或云母。絕緣層13厚度為Ο.ΟΙμηι?ΙΟμπι，材料為Ιη203或Si02。過渡層12材料為化合物，該化合物含有包括In在內(nèi)的與In同族的至少一種金屬元素，所述的化合物中至少含有Sb，化合物中除Sb外僅含有In所在族中的金屬元素。若在具有延伸電極的磁敏器件制作過程中，對InSb進行退火處理時的退火溫度低于InSb的熔點，則過渡層12材料為InSb，若在具有延伸電極的磁敏器件制作過程中，對InSb進行退火處理時的退火溫度高于InSb的熔點，則過渡層12材料為除InSb外的其他化合物，如二元材料八1513、63313，三元材料11163313、11^1313，四元材料1116341313等，這里不再--列舉。過渡層2厚度為0.Ιμπι?20μηι。
[0027]本實施例中具有延伸電極的磁敏器件的制造工藝與實施例一中的區(qū)別僅在于:基底1的制造:1、取襯底層1，在真空條件下，分別通過氣相外延法使化合物中所含金屬元素的單體至襯底層1上表面形成所述的化合物，從而形成過渡層2;2、先在真空條件下通過氣相外延法使In單體至過渡層2上表面形成覆蓋層，再通入氧氣或空氣使覆蓋層至少部分氧化成Ιη203而形成絕緣層3;在另一種實施方案中，本步驟中先在真空條件下通過氣相外延法使Si單體至過渡層2上表面形成覆蓋層，再通入氧氣或空氣使覆蓋層至少部分氧化成Si02而形成絕緣層3。在一種更為優(yōu)選的實施方案中，步驟2中，通入氧氣或空氣使覆蓋層全部氧化成Ιη203或Si02而形成絕緣層3。上述的氣相外延法為熱蒸發(fā)法、金屬有機化學(xué)氣相沉積法或分子束外延法。
[0028]完成基底1的制造后，再按照實施例一中的步驟A至B，制造本實施例中的具有延伸電極的磁敏器件。
[0029]本實施例中的一種具有延伸電極的磁敏器件及制造工藝，除了具有實施例一中所述優(yōu)點之外，還具有以下優(yōu)點:1、通過過渡層，屏蔽了摻雜效應(yīng)，保證了InSb薄膜的電學(xué)性質(zhì)；2、過渡層選用與InSb薄膜同類材料，二者熱膨脹系數(shù)差異很小，降低了因熱膨脹系數(shù)不同而對InSb薄膜的影響;3、當(dāng)襯底層材料選用陶瓷時，由于過渡層設(shè)置，避免了陶瓷上孔洞對InSb薄膜的影響;4、而過渡層與InSb薄膜均為導(dǎo)電層，二者之間增加絕緣層起到了絕緣的作用。
[0030]以上實施方式只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人了解本發(fā)明的內(nèi)容并加以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護范圍，凡根據(jù)本發(fā)明精神實質(zhì)所做的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種具有延伸電極的磁敏器件，它包括基底(1)、在所述基底(1)之上的形成所需芯片圖案的InSb薄膜(2)，其特征在于:所述的具有延伸電極的磁敏器件還包括至少兩個電極(3)，每個所述電極(3)的一部分位于所述InSb薄膜(2)上表面，另一部分延伸至所述基底(1)上表面。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有延伸電極的磁敏器件，其特征在于:所述電極(3)的所述另一部分通過打線工藝與導(dǎo)線(4)連接。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有延伸電極的磁敏器件，其特征在于:所述的電極(3)材料采用金或鋁。4.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的一種具有延伸電極的磁敏器件，其特征在于:所述的基底(I)材料為陶瓷、硅、鐵氧體或云母。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有延伸電極的磁敏器件，其特征在于:所述的基底(1)包括由下至上依次設(shè)置的襯底層(11)、過渡層(12)、絕緣層(13)，所述過渡層(12)材料為化合物，該化合物含有包括In在內(nèi)的與In同族的至少一種金屬元素，所述的化合物中至少含有Sb，化合物中除Sb外僅含有In所在族中的金屬元素。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種具有延伸電極的磁敏器件，其特征在于:所述的絕緣層(13)材料為 Ιη203 或 Si02。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種具有延伸電極的磁敏器件，其特征在于:若在所述具有延伸電極的磁敏器件制作過程中，對所述InSb進行退火處理時的退火溫度低于InSb的熔點，則所述過渡層(12)材料為InSb，若在所述具有延伸電極的磁敏器件制作過程中，對所述InSb進行退火處理時的退火溫度高于InSb的熔點，則所述過渡層(12)材料為除InSb外的其他所述化合物。8.根據(jù)權(quán)利要求5中所述的一種具有延伸電極的磁敏器件，其特征在于:所述的襯底層(II)材料為陶瓷、硅、鐵氧體或云母。9.一種權(quán)利要求1-8任一項中所述的一種具有延伸電極的磁敏器件的制造工藝，其特征在于:包括以下步驟: A.在所述基底(1)上表面生長InSb薄膜層，并按照芯片圖案通過半導(dǎo)體光刻工藝形成所述InSb薄膜(2)； B.通過半導(dǎo)體光刻掩膜工藝，蒸發(fā)所述電極(3)使電極(3)的一部分位于所述InSb薄膜(2)上表面，另一部分延伸至所述基底(1)上表面。10.根據(jù)權(quán)利要求9中所述的具有延伸電極的磁敏器件的制造工藝，其特征在于:通過打線工藝將導(dǎo)線(4)連接至所述InSb薄膜(2)的位于基底(1)上表面的所述另一部分上。
【專利摘要】<b>本發(fā)明公開了一種具有延伸電極的磁敏器件及制造工藝</b><b>，</b><b>通過將電極從</b><b>InSb</b><b>薄膜上延伸至基底的上表面，而打線時則在電極的位于基底上表面的那一部分上進行打線，從而避免了在InSb薄膜上方打線而損壞InSb薄膜，保證了磁敏器件的質(zhì)量。</b>
【IPC分類】H01L43/02, H01L43/00, H01L27/22, H01L43/12
【公開號】CN105470382
【申請?zhí)枴緾N201511028597
【發(fā)明人】馬可軍, 俞振中, 鄭律
【申請人】江蘇森尼克電子科技有限公司
【公開日】2016年4月6日
【申請日】2015年12月31日