可交聯(lián)量子點及其制備方法、陣列基板及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本申請設(shè)及一種可交聯(lián)的量子點(QD)及其制備方法、一種利用該可交聯(lián)的量子點 (QD)制備的陣列基板及該陣列基板的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 有源矩陣有機發(fā)光二極管(AMOLED)曾被公認為有希望成為取代液晶顯示器化CD) 的下一代顯示，但是隨著消費者的消費水平的提升，高分辨率產(chǎn)品成為顯示產(chǎn)品的重點發(fā) 展方向，而高分辨率的AMOL邸產(chǎn)品很難同LCD競爭，運是因為通常采用掩模蒸發(fā)的方法制備 有機發(fā)光顯示的有機層結(jié)構(gòu)，但是掩模蒸發(fā)方法存在著對位困難，良品率低，無法實現(xiàn)更小 面積發(fā)光，無法精確控制蒸發(fā)區(qū)域的缺陷，從而無法滿足目前迅速發(fā)展的對高分辨率顯示 的需求;而采用印刷和打印的方法取代掩模蒸發(fā)法制備的有機發(fā)光層的分辨率極其有限。 因而高分辨率的AMOLED產(chǎn)品面臨著技術(shù)難度高，產(chǎn)品良率低，商品價格高的嚴重問題。
[0003] 量子點（Quantum Dots,QDs),又稱為納米晶，是一種由II -VI族或III-V族元素 構(gòu)成的納米顆粒。量子點的粒徑一般介于1~20皿之間，由于電子和空穴被量子限域，連續(xù) 的能帶結(jié)構(gòu)變成分立的能級結(jié)構(gòu)，受激后可W發(fā)射巧光。
[0004] 隨著量子點技術(shù)的深入發(fā)展，電致量子點發(fā)光二極管的研究日益深入，量子效率 不斷提升，已基本達到產(chǎn)業(yè)化的水平，進一步采用新的工藝和技術(shù)來實現(xiàn)其產(chǎn)業(yè)化已成為 未來的趨勢。現(xiàn)有技術(shù)中，為了提升OL抓分辨率，需要使OL抓蒸鍛掩模板進一步減小Mask工 藝線寬的要求，需要更高精度的打印噴頭等，運在規(guī)?；a(chǎn)工藝中往往較難滿足。因此， 一直需要一種大規(guī)模制備量子點發(fā)光二極管的方法，其能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率，提升工藝良率， 提升量子點材料的使用率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本申請設(shè)及一種可交聯(lián)量子點及其制備方法，進而本申請設(shè)及使用該可交聯(lián)量子 點制備的陣列基板W及通過圖案化工藝如光刻工藝制備陣列基板的方法。
[0006] 本發(fā)明的實施例提供一種可交聯(lián)量子點，其中所述可交聯(lián)量子點的表面具有可發(fā) 生反應(yīng)(例如交聯(lián)反應(yīng)，具體地為click反應(yīng))從而形成交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的基團對Rl和R2,或者所述 可交聯(lián)量子點的表面具有可由交聯(lián)劑交聯(lián)從而形成交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的基團R3。
[0007] 在一些實施方式中，所述Rl為選自琉基、締基、二締基中的至少一種；與Rl對應(yīng)的 R2為選自締基、二締基、烘基、二烘基中的至少一種。
[000引在一些實施方式中，所述R3為選自琉基、締基、二締基中的至少一種，所述交聯(lián)劑 為選自C4-C2Q二締控(例如1，7-辛二締、異戊二締、1，3-下二締)或C4-C2Q二烘控(例如1，9-辛 二烘)中的至少一種。
[0009] 在一些實施方式中，所述可交聯(lián)量子點包括紅色光量子點，綠色光量子點和藍色 光量子點中的至少一種。
[0010] 在一些實施方式中，其中所述可交聯(lián)量子點是對紫外光敏感的。
[0011] 在另外一類實施方式中，其中所述可交聯(lián)量子點是對單色光敏感的。運里的術(shù)語 "對單色光敏感的"是指所述可交聯(lián)量子點在受到該單色光照射時會發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，而當收 到其他波長的光線照射時不會發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)。
[0012] 例如，所述可交聯(lián)量子點是綠色光量子點，其對I線敏感。運種綠色光量子點可W 通過使綠色量子點原料的表面帶有W下配體來實現(xiàn):帶簇基的特-下氧基幾基保護的-C-甲 基杯芳控[4 ]和二苯基艦翁9，10-二甲氧基蔥-2-橫酸醋。
[0013] 例如，所述可交聯(lián)量子點是藍色光量子點，其對G線敏感。運種藍色光量子點可W 通過使藍色量子點原料的表面帶有W下配體來實現(xiàn):帶簇基的G線型線性酪醒樹脂和重氮 糞釀。
[0014] 例如，所述可交聯(lián)量子點是紅色光量子點，其對H線敏感。運種紅色光量子點可W 通過使紅色量子點原料的表面帶有W下配體來實現(xiàn):帶簇基的H線型線性酪醒樹脂和重氮 糞釀。
[0015] 本申請的實施例還提供一種制備可交聯(lián)量子點的方法，包括如下步驟：
[0016] 步驟1:使量子點原料與化晚（作為溶劑)接觸從而得到表面上帶有化晚（作為配 體)的量子點；
[0017] 步驟2:使所述表面上帶有化晚的量子點與交聯(lián)配體原料接觸，從而獲得所述可交 聯(lián)量子點，其中所述交聯(lián)配體原料包括選自W下的至少一種:帶有Rl和R2的配體，帶有R3的 配體。
[0018] 本申請的實施例還提供一種陣列基板，包括襯底基板和設(shè)于所述襯底基板上的多 個發(fā)光亞像素，所述發(fā)光亞像素每個包括依次形成于所述基板上的第一電極、量子點發(fā)光 層和第二電極，其中所述量子點發(fā)光層包括通過使前述可交聯(lián)量子點交聯(lián)形成的交聯(lián)網(wǎng) 絡(luò)。
[0019] 在一些實施方式中，所述第一電極為陽極，第二電極為陰極，所述發(fā)光亞像素每個 還包括設(shè)置于所述第一電極和所述量子點發(fā)光層之間的空穴注入層和空穴傳輸層，其中所 述發(fā)光亞像素還包括設(shè)置于所述第二電極和所述量子點發(fā)光層之間的電子注入層和電子 傳輸層。
[0020] 在一些實施方式中，所述第一電極為陰極，第二電極為陽極，所述發(fā)光亞像素每個 還包括設(shè)置于所述第二電極和所述量子點發(fā)光層之間的空穴注入層和空穴傳輸層，其中所 述發(fā)光亞像素還包括設(shè)置于所述第一電極和所述量子點發(fā)光層之間的電子注入層和電子 傳輸層。
[0021] 在一些實施方式中，每個所述發(fā)光亞像素的寬度為10至30微米，長度為50-100微 米。所述陣列基板的分辨率可W達到300-8(K)ppi。
[0022] 在一些實施方式中，每個所述發(fā)光亞像素的面積為500-3000平方微米。
[0023] 本發(fā)明的實施例還提供一種顯示面板或顯示裝置，其包含前述的任一種陣列基 板。
[0024] 本發(fā)明的實施例還提供一種制備所述陣列基板的方法，包括：
[0025] 步驟A:在襯底基板上形成含有上述可交聯(lián)量子點的層，并將其圖案化(例如使用 光刻工藝)得到對應(yīng)于多個發(fā)光亞像素的量子點發(fā)光層，
[0026] 其中所述量子點發(fā)光層包含通過使所述可交聯(lián)量子點交聯(lián)形成的交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)。
[0027] 其中所述可交聯(lián)量子點是對單色光敏感的或者是對紫外線敏感的。
[0028] 在所述方法的一些實施方式中，所述光刻工藝如下進行:對所述含有所述可交聯(lián) 量子點的層，采用掩模板(例如與發(fā)光亞像素具有相反圖案的掩模板)進行曝光(所述曝光 采用的是所述可交聯(lián)量子點所敏感的光進行的，從而使得所述可交聯(lián)量子點發(fā)生交聯(lián)反應(yīng) 從而形成交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)），然后進行顯影，W進行圖案化，從而形成所述發(fā)光亞像素的圖案。
[0029] 在一些實施方式中，每種發(fā)光亞像素的圖案通過單獨涂覆量子點和單獨曝光顯影 的工藝形成。
[0030] 在一些實施方式中，多種發(fā)光亞像素的圖案通過一次涂覆多種顏色光量子點，多 次曝光，和一次顯影而形成。
[0031] 本發(fā)明的技術(shù)方案不僅實現(xiàn)了通過光刻法制備孤-LED陣列基板和顯示面板或顯 示裝置，而且獲得能夠達到300-80化Pi的分辨率的陣列基板。該陣列基板的制備方法，提升 了工藝良率，能夠大幅提升量子點材料的使用率，從而為大規(guī)模的AM-QD-L邸的產(chǎn)業(yè)化鋪平 了道路。
【附圖說明】
[0032] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介 紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅設(shè)及本發(fā)明的一些實施例，而非對本發(fā)明的限制。
[0033] 圖1是一種可交聯(lián)量子點發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的示意圖。
[0034] 圖2是一種可交聯(lián)量子點發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的示意圖。
[0035] 圖3-1至3-11是紅、綠、藍=層量子點分別獨立光刻制備成亞像素圖案的工藝流程 圖；
[0036] 圖4-1至4-7是紅、綠、藍S層量子點一起涂布分別光刻制備成亞像素圖案的工藝 流程圖。
[0037] 圖5為根據(jù)本發(fā)明的實施例的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[003引附圖標記：
[0039] 101-襯底基板;102-第一電極;103-第一量子點層；1031-綠色發(fā)光亞像素的圖案； 104-第一掩模板;105-第一單色光；107-第二量子點層；1071-藍色發(fā)光亞像素的圖案；108-第二單色光；109-第=量子點層；1091-紅色發(fā)光亞像素的圖案；110-第=單色光；112-第二 電極；113-絕緣材料;114-第二掩模板;115-第立掩模板;125-紫外光;203-第四量子點層。
【具體實施方式】
[0040] 為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例 的附圖，對本發(fā)明實施例的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本發(fā) 明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于所描述的本發(fā)明的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù) 人員在無需創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0041] 需要說明的是，在本申請中，當描述可交聯(lián)量子點時，所用的術(shù)語"對第一單色光 敏感"是指第一單色光能夠使該可交聯(lián)量子點交聯(lián)。類似地，術(shù)語"對第二單色光敏感"是指 第二單色光能夠使該可交聯(lián)量子點交聯(lián)。類似地，術(shù)語"對第=單色光敏感"是指第=單色 光能夠使該可交聯(lián)量子點交聯(lián)。術(shù)語"單色光"在本申請中是指具有極窄波長范圍（例如波 長跨度不超過20nm或者不超過IOnm的波長范圍）內(nèi)的波長的光，例如具有單一波長的光。一 般而言，單色光可W在紫外光和可見光的范圍內(nèi)選擇。
[0042] 術(shù)語"對紫外線敏感"是指該交聯(lián)量子點的表面基團能夠在紫外線的激發(fā)下發(fā)生 交聯(lián)反應(yīng)如C Ii Ck反應(yīng)。
[0043] 本發(fā)明的實施例一方面提供一種可交聯(lián)量子點，其中所述可交聯(lián)量子點的表面具 有可發(fā)生反應(yīng)從而形成交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的基團對Rl和R2,或者所述可交聯(lián)量子點的表面具有可由 交聯(lián)劑交聯(lián)從而形成交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的基團R3。
[0044] 對于具有可發(fā)生反應(yīng)從而形成交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的基團對Rl和R2的可交聯(lián)量子點，圖1示 出了運種量子點的交聯(lián)反應(yīng)原理示意圖。在圖1中，式I表示具有可發(fā)生反應(yīng)從而形成交聯(lián) 網(wǎng)絡(luò)的基團對Rl和R2的可交聯(lián)量子點，通過使用光照射化V)，該可交聯(lián)的量子點之間形成 交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)IA。
[0045] 對于具有可由交聯(lián)劑交聯(lián)從而形成交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的基團R3的可交聯(lián)量子點，圖2示出 了運種量子點的交聯(lián)反應(yīng)原理示意圖。在圖2中，式II表示具有可由交聯(lián)劑交聯(lián)從而形成交 聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的基團R3的可交聯(lián)量子點，R4-R4是交聯(lián)劑，通過使用光照射化V)，該可交聯(lián)的量子 點通過與該交聯(lián)劑反應(yīng)形成交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)IIA。
[0046] 在一些實施方式中，所述可交聯(lián)量子點的量子點材料為選自CdS、CdSe、ZnSe、