掩膜圖案的形成方法、薄膜晶體管及形成方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種掩膜圖案的形成方法、薄膜晶體管及形成方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，顯示裝置中的膜層大多采用構(gòu)圖工藝形成。構(gòu)圖工藝是將薄膜形成包含至少一個(gè)圖案的層的工藝。構(gòu)圖工藝一般包括:在薄膜上形成掩膜圖案，然后刻蝕掉掩膜圖案未覆蓋的薄膜部分，最后將剩下的掩膜圖案剝離，便可得到所需要的薄膜圖案。
[0003]在實(shí)際應(yīng)用中，往往需要形成具有臺(tái)階的薄膜圖案，此時(shí)就需要形成圖1所示的具有臺(tái)階的掩膜圖案I。目前均采用半色調(diào)掩膜板形成上述掩膜圖案，而半色調(diào)掩膜板的制作工藝較復(fù)雜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種掩膜圖案的形成方法、薄膜晶體管及形成方法、顯示裝置，該掩膜圖案的形成方法只需采用普通掩膜板即可形成厚度不均的掩膜圖案，避免了使用半色調(diào)掩膜板。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0006]第一方面，提供了一種掩膜圖案的形成方法，包括:
[0007]在襯底上形成負(fù)性光刻膠，且所述負(fù)性光刻膠具有以下特性:在無(wú)氧環(huán)境中經(jīng)過(guò)曝光后，被曝光部分能夠固化;在有氧環(huán)境中經(jīng)過(guò)曝光后，被曝光部分的表面不能固化，除表面外的其他被曝光部分能夠固化；
[0008]在無(wú)氧環(huán)境中，利用第一普通掩膜板對(duì)所述負(fù)性光刻膠進(jìn)行第一次曝光，以使得所述負(fù)性光刻膠的完全固化部被曝光、半固化部和去除部不被曝光；
[0009]在有氧環(huán)境中，利用第二普通掩膜板對(duì)所述負(fù)性光刻膠進(jìn)行第二次曝光，以使得所述負(fù)性光刻膠的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光；
[0010]去除掉未固化的所述負(fù)性光刻膠，形成掩膜圖案。
[0011]可選的，所述負(fù)性光刻膠的所述半固化部位于所述完全固化部和所述去除部之間、并緊鄰所述完全固化部。
[0012]可選的，所述第二普通掩膜板和所述第一普通掩膜板為同一掩膜板；
[0013]所述在有氧環(huán)境中，利用第二普通掩膜板對(duì)所述負(fù)性光刻膠進(jìn)行第二次曝光，以使得所述負(fù)性光刻膠的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光具體包括:
[0014]在有氧環(huán)境中，保持所述第一普通掩膜板與所述負(fù)性光刻膠的位置對(duì)應(yīng)關(guān)系并調(diào)整曝光參數(shù)，利用所述第一普通掩膜板對(duì)所述負(fù)性光刻膠進(jìn)行第二次曝光，以使得所述負(fù)性光刻膠的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光。
[0015]可選的，所述調(diào)整曝光參數(shù)具體包括:
[0016]調(diào)整曝光機(jī)發(fā)出光線的角度以使得所述負(fù)性光刻膠接受光線照射的范圍增大、增加曝光量、增加所述掩膜板與所述襯底之間的距離中的任意一種或其組合。
[0017]可選的，所述增加曝光量具體包括:
[0018]增加曝光時(shí)間和/或增加曝光機(jī)的照度。
[0019]可選的，所述無(wú)氧環(huán)境為真空環(huán)境或者惰性氣體環(huán)境。
[0020]可選的，所述負(fù)性光刻膠的所述半固化部位于所述完全固化部和所述去除部之間、并緊鄰所述完全固化部；
[0021]所述在有氧環(huán)境中，利用第二普通掩膜板對(duì)所述負(fù)性光刻膠進(jìn)行第二次曝光，以使得所述負(fù)性光刻膠的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光具體包括:
[0022]在有氧環(huán)境中，利用第二普通掩膜板對(duì)所述負(fù)性光刻膠進(jìn)行第二次曝光，以使得所述負(fù)性光刻膠的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光，其中，所述第二普通掩膜板和所述第一普通掩膜板為不同掩膜板。
[0023]可選的，所述在襯底上形成負(fù)性光刻膠具體包括:
[0024]在襯底上涂覆負(fù)性光刻膠，或者通過(guò)轉(zhuǎn)印方法在襯底上形成負(fù)性光刻膠。
[0025]本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種掩膜圖案的形成方法，該方法利用負(fù)性光刻膠在無(wú)氧環(huán)境中經(jīng)過(guò)曝光可以正常固化、而在有氧環(huán)境中經(jīng)過(guò)曝光表面無(wú)法正常固化、除表面外的其他被曝光部分可以正常固化的特點(diǎn)，在無(wú)氧環(huán)境中利用第一普通掩膜板對(duì)負(fù)性光刻膠進(jìn)行第一次曝光，以使得負(fù)性光刻膠的完全固化部被曝光、半固化部和去除部不被曝光;接著在有氧環(huán)境中利用第二普通掩膜板對(duì)負(fù)性光刻膠進(jìn)行第二次曝光，以使得負(fù)性光刻膠的半固化部被曝光、去除部不被曝光;最后，去除掉未固化的負(fù)性光刻膠，形成掩膜圖案。該掩膜圖案包括完全固化部對(duì)應(yīng)形成的圖案和半固化部對(duì)應(yīng)形成的圖案，半固化部對(duì)應(yīng)形成的圖案的厚度小于完全固化部對(duì)應(yīng)形成的圖案。該掩膜圖案的形成方法只需采用普通掩膜板即可形成厚度不均的掩膜圖案，從而避免了使用半色調(diào)掩膜板。
[0026]第二方面，提供了一種薄膜晶體管的形成方法，所述方法包括:
[0027]在襯底上依次形成金屬氧化物層、刻蝕阻擋層；
[0028]在所述刻蝕阻擋層上采用上述掩膜圖案的形成方法形成掩膜圖案，其中，所述掩膜圖案包括本體部和位于所述本體部周圍的臺(tái)階部，且所述本體部的厚度大于所述臺(tái)階部的厚度；
[0029]刻蝕掉所述金屬氧化物層和所述刻蝕阻擋層中所述掩膜圖案未覆蓋的部分；
[0030]對(duì)所述掩膜圖案進(jìn)行灰化，以去除所述臺(tái)階部、并減薄所述本體部；
[0031]刻蝕掉所述刻蝕阻擋層中灰化后的所述掩膜圖案未覆蓋的部分；
[0032]剝離剩下的所述掩膜圖案，以形成金屬氧化物層圖案和刻蝕阻擋層圖案。
[0033]可選的，所述金屬氧化物層的材料為銦鎵鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、鋅銦錫氧化物或者鎂銦鋅氧化物。
[0034]本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管的形成方法，通過(guò)該方法可以形成金屬氧化物薄膜晶體管，該薄膜晶體管具有非常高的迀移率和反應(yīng)速度。
[0035]第三方面，提供了另一種薄膜晶體管的形成方法，所述方法包括:
[0036]在襯底上形成多晶硅層；
[0037]在所述多晶硅層上采用上述掩膜圖案的形成方法形成掩膜圖案，其中，所述掩膜圖案包括本體部和位于所述本體部周圍的臺(tái)階部，且所述本體部的厚度大于所述臺(tái)階部的厚度；
[0038]對(duì)所述多晶硅層中所述掩膜圖案未覆蓋的部分進(jìn)行第一次摻雜；
[0039]對(duì)所述掩膜圖案進(jìn)行灰化，以去除所述臺(tái)階部、并減薄所述本體部；
[0040]對(duì)所述多晶硅層中灰化后的所述掩膜圖案未覆蓋的部分進(jìn)行第二次摻雜，其中，摻雜后的所述多晶硅層中僅經(jīng)過(guò)第二次摻雜的部分的雜質(zhì)濃度小于經(jīng)過(guò)兩次摻雜的部分的雜質(zhì)濃度；
[0041]剝離剩下的所述掩膜圖案，以形成多晶硅層圖案。
[0042]可選的，所述在襯底上形成多晶硅層之前，所述方法還包括:
[0043]在所述襯底上形成緩沖層，所述緩沖層位于所述襯底和所述多晶硅層之間。
[0044]本發(fā)明的實(shí)施例提供了另一種薄膜晶體管的形成方法，通過(guò)該方法可以形成多晶硅薄膜晶體管，該薄膜晶體管具有迀移率高、成本低的特點(diǎn)。
[0045]第四方面，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管采用上述任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管的形成方法形成。該薄膜晶體管的迀移率高、反應(yīng)速度快。
[0046]第五方面，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的薄膜晶體管。該顯示裝置可以為液晶顯示器、電子紙、OLED(Organic Light-Emitting D1de，有機(jī)發(fā)光二極管)顯示器等顯示器件以及包括這些顯示器件的電視、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。
【附圖說(shuō)明】
[0047]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0048]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中提供的一種具有臺(tái)階的掩膜圖案；
[0049]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩膜圖案的形成方法的流程示意圖；
[0050]圖3為圖2中步驟SOl后形成的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0051]圖4為圖2中步驟S02第一次曝光的示意圖；
[0052]圖5為圖3經(jīng)過(guò)第一次曝光后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0053]圖6為負(fù)性光刻膠與掩膜圖案的對(duì)應(yīng)關(guān)系的示意圖；
[0054]圖7為圖5經(jīng)過(guò)第二次曝光后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0055]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的負(fù)性光刻膠中完全固化部和半固化部的位置關(guān)系的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0056]圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的負(fù)性光刻膠中完全