固化部和半固化部的位置關(guān)系的結(jié)構(gòu)示意圖二；
[0057]圖10為本發(fā)明實施例提供的負性光刻膠中完全固化部和半固化部的位置關(guān)系的結(jié)構(gòu)示意圖三；
[0058]圖11為本發(fā)明實施例提供的負性光刻膠中完全固化部和半固化部的位置關(guān)系的結(jié)構(gòu)示意圖四；
[0059]圖12為圖2中步驟S03第二次曝光時，調(diào)整曝光機發(fā)出光線角度的示意圖；
[0060]圖13為圖2中步驟S03第二次曝光時，采用第二掩膜板曝光的示意圖；
[0061]圖14為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的形成方法的流程示意圖；
[0062]圖15為對應(yīng)圖14步驟S141后形成的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0063]圖16為對應(yīng)圖14步驟S142后形成的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0064]圖17為對應(yīng)圖14步驟S143后形成的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0065]圖18為對應(yīng)圖14步驟S144后形成的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0066]圖19為對應(yīng)圖14步驟S145后形成的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0067]圖20為對應(yīng)圖14步驟S146后形成的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0068]圖21為本發(fā)明實施例提供的另一種薄膜晶體管的形成方法的流程示意圖；
[0069]圖22為對應(yīng)圖21步驟S211后形成的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0070]圖23為對應(yīng)圖21步驟S212后形成的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0071]圖24為對應(yīng)圖21步驟S213后形成的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0072]圖25為對應(yīng)圖21步驟S214后形成的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0073]圖26為對應(yīng)圖21步驟S215后形成的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0074]圖27為對應(yīng)圖21步驟S216后形成的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0075]圖28為在圖22中的襯底和多晶娃層之間形成有緩沖層的結(jié)構(gòu)不意圖。
[0076]附圖標(biāo)記:
[0077]1-具有臺階的掩膜圖案；101-臺階部；102-本體部;8-第一普通掩膜板;81-第一普通掩膜板的透光部;82-第一普通掩膜板的不透光部;9-第二普通掩膜板;91-第二普通掩膜板的透光部;92-第二普通掩膜板的不透光部；10-襯底；11-負性光刻膠；12-負性光刻膠的完全固化部；13-負性光刻膠的半固化部；14-負性光刻膠的去除部；15-金屬氧化物層；16-刻蝕阻擋層；150-金屬氧化物層圖案；160-刻蝕阻擋層圖案；17-多晶硅層；170-多晶硅層圖案;18-緩沖層;200-光線。
【具體實施方式】
[0078]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0079]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“上”、“下”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0080]在本發(fā)明的實施例中，普通掩膜板是指僅包括透光部和不透光部的掩膜板，半色調(diào)掩膜板是指包括透光部、半透光部和不透光部的掩膜板。本發(fā)明實施例中采用的掩膜板均為普通掩膜板。
[0081 ] 實施例一
[0082]本發(fā)明實施例提供了一種掩膜圖案的形成方法，參考圖2所示，該方法包括:
[0083]SOl、參考圖3所示，在襯底10上形成負性光刻膠11，且負性光刻膠11具有以下特性:在無氧環(huán)境中經(jīng)過曝光后，被曝光部分能夠固化;在有氧環(huán)境中經(jīng)過曝光后，被曝光部分的表面不能固化，除表面外的其他被曝光部分能夠固化。
[0084]上述負性光刻膠是一種特殊的光刻膠，其在無氧環(huán)境中經(jīng)過曝光后，被曝光部分可以固化;在有氧環(huán)境中經(jīng)過曝光后，被曝光部分的表面無法固化，除表面外的其他被曝光部分可以固化。示例的，該負性光刻膠可以是由Hitachi ChemicaK日立化成)公司生產(chǎn)的型號為MS100D3G4的TCTF(納米銀透明導(dǎo)電薄膜)除去表面的納米銀后直接得到。
[0085]上述襯底可以是康寧、旭硝子玻璃、石英玻璃等材質(zhì)，本發(fā)明實施例對此不作限定。
[0086]S02、參考圖4所示，在無氧環(huán)境中，利用第一普通掩膜板8對圖3所示的負性光刻膠11進行第一次曝光，以使得負性光刻膠11的完全固化部12被曝光、半固化部13和去除部14不被曝光。
[0087]經(jīng)過第一次曝光后可以得到如圖5所示的結(jié)構(gòu)，需要說明的是，為了便于區(qū)分，圖5中陰影部分表示完全固化部12被曝光后發(fā)生固化，并不代表其他含義;另外，由于工藝精度的限制，完全固化部12被曝光后發(fā)生固化，其側(cè)面大多為斜面，而不是理想中的直面。
[0088]具體的，參考圖4所示，第一普通掩膜板8的透光部81可以對應(yīng)負性光刻膠11的完全固化部12、不透光部82可以對應(yīng)負性光刻膠11的半固化部13和去除部14，這樣當(dāng)紫外光照射到該第一普通掩膜板8時，不透光部82可以阻擋紫外光照射到半固化部13和去除部14上，以使得負性光刻膠11的完全固化部12被曝光、半固化部13和去除部14不被曝光。
[0089]這里需要說明的是，為了區(qū)別負性光刻膠的不同部分，將負性光刻膠中需要完全固化的稱為完全固化部、將負性光刻膠中需要部分固化的稱為半固化部、將負性光刻膠中需要去除的稱為去除部。本發(fā)明實施例對于完全固化部、半固化部和去除部的位置關(guān)系不作限定，具體可以根據(jù)需要形成的掩膜圖案來確定，完全固化部可以對應(yīng)掩膜圖案中厚度較厚的部分、半固化部可以對應(yīng)掩膜圖案中厚度較薄的部分、去除部可以對應(yīng)需要去除的部分。示例的，若要形成如圖1所示的具有臺階的掩膜圖案1，則參考圖6所示，負性光刻膠11的半固化部13可以對應(yīng)掩膜圖案I的臺階部101、完全固化部12可以對應(yīng)臺階部101緊鄰的本體部102，即半固化部可以位于完全固化部和去除部之間、并緊鄰?fù)耆袒?，這樣可以形成具有臺階的掩膜圖案。由于具有臺階的掩膜圖案應(yīng)用較多，因此本發(fā)明實施例以及附圖均以形成具有臺階的掩膜圖案為例進行說明。
[0090]S03、在有氧環(huán)境中，利用第二普通掩膜板對圖5所示的負性光刻膠進行第二次曝光，以使得負性光刻膠的半固化部被曝光、去除部不被曝光，從而得到如圖7所示的結(jié)構(gòu)。
[0091]這里需要說明的是，本發(fā)明實施例對于利用第二普通掩膜板對負性光刻膠進行第二次曝光的具體方法不作限定，只要使得負性光刻膠的半固化部被曝光、去除部不被曝光即可。同時需要說明的是，在第二次曝光中，可以對負性光刻膠的完全固化部進行再次曝光，也可以不對其進行曝光，這里不作限定，具體可以根據(jù)實際情況而定。
[0092]S04、去除掉圖7所示的未固化的負性光刻膠11，形成圖1所示的掩膜圖案。
[0093]本發(fā)明的實施例對于去除未固化的負性光刻膠的方法不作限定，示例的，可以采用顯影液去除掉未固化的負性光刻膠。
[0094]本發(fā)明的實施例提供了一種掩膜圖案的形成方法，該方法利用負性光刻膠在無氧環(huán)境中經(jīng)過曝光可以正常固化、而在有氧環(huán)境中經(jīng)過曝光表面無法正常固化、除表面外的其他被曝光部分可以正常固化的特點，在無氧環(huán)境中利用第一普通掩膜板對負性光刻膠進行第一次曝光，以使得負性光刻膠的完全固化部被曝光、半固化部和去除部不被曝光;接著在有氧環(huán)境中利用第二普通掩膜板對負性光刻膠進行第二次曝光，以使得負性光刻膠的半固化部被曝光、去除部不被曝光;最后，去除掉未固化的負性光刻膠，形成掩膜圖案。該掩膜圖案包括完全固化部對應(yīng)形成的圖案和半固化部對應(yīng)形成的圖案，半固化部對應(yīng)形成的圖案的厚度小于完全固化部對應(yīng)形成的圖案。該掩膜圖案的形成方法只需采用普通掩膜板即可形成厚度不均的掩膜圖案，從而避免了使用半色調(diào)掩膜板。
[0095]TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)在TFT_LCD(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯示器)中舉足輕重。在薄膜晶體管的制作過程中，需要形成具有臺階的薄膜圖案，因此具有臺階的掩膜圖案應(yīng)用較為廣泛?？蛇x的，負性光刻膠的半固化部位于完全固化部和去除部之間、并緊鄰?fù)耆袒?。這樣，可以形成具有臺階的薄膜圖案。需要說明的是，本發(fā)明實施例對于完全固化部、半固化部的形狀不作限定，具體可以根據(jù)實際情況而定。示例的，完全固化部可以為長方體、圓柱等，半固化部可以為矩形環(huán)、圓環(huán)、長方體等。在制