一種發(fā)光二極管的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種發(fā)光二極管的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]作為目前全球最受矚目的新一代光源，發(fā)光二極管(LightEmitting D1de，簡稱LED)因其高亮度、低熱量、長壽命、無毒、可回收再利用等優(yōu)點，被稱為時21世紀(jì)最有發(fā)展前景的綠色照明光源。其中，AlGaInP發(fā)光二極管在黃綠、橙色、橙紅色、紅色波段性能優(yōu)越，在白光光源、全色顯示、交通信號燈、城市亮化工程等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。
[0003]AlGaInP發(fā)光二極管的制備方法包括:在GaAs襯底的第一表面上生長AlGaInP外延層;在AlGaInP外延層上設(shè)置P型電極，在GaAs襯底的第二表面設(shè)置N型電極，得到晶元，GaAs襯底的第二表面為與GaAs襯底的第一表面相反的表面;采用刀片切割晶元，得到若干獨立的LED芯片。
[0004]在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題:
[0005]為了保證切割質(zhì)量，采用刀片切割晶元時刀頭的行進(jìn)速度不能太快，切割效率較低。而且隨著芯片尺寸越來越小，單片晶元的切割時間越來越長，設(shè)備產(chǎn)能降低，造成人力和設(shè)備成本增高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決現(xiàn)有技術(shù)切割效率較低、生產(chǎn)成本高的問題，本發(fā)明實施例提供了一種發(fā)光二極管的制備方法。所述技術(shù)方案如下:
[0007]本發(fā)明實施例提供了一種發(fā)光二極管的制備方法，所述制備方法包括:
[0008]在GaAs襯底的第一表面上生長AlGaInP外延層；
[0009]在所述AlGaInP外延層上設(shè)置P型電極，在所述GaAs襯底的第二表面設(shè)置N型電極，得到晶元，所述GaAs襯底的第二表面為與所述GaAs襯底的第一表面相反的表面；
[0010]對所述晶元的第一表面進(jìn)行切割，在所述晶元的第一表面形成P面切割道，所述晶元的第一表面為設(shè)有所述P型電極的表面；
[0011]采用刻蝕技術(shù)對所述晶元的第二表面進(jìn)行切割，在所述晶元的第二表面形成N面切割道，所述N面切割道與P面切割道圖形相同且位置相對，所述晶元的第二表面為與所述晶元的第一表面相反的表面；
[0012]將所述晶元的第二表面粘附在膠膜上，并在所述晶元的第一表面覆蓋薄膜；
[0013]對所述晶元的第一表面進(jìn)行裂片，得到若干獨立的發(fā)光二極管芯片；
[0014]對所述膠膜進(jìn)行擴(kuò)張，分離所述發(fā)光二極管芯片。
[0015]具體地，所述采用刻蝕技術(shù)對所述晶元的第二表面進(jìn)行切割，在所述晶元的第二表面形成N面切割道，包括:
[0016]在所述晶元的第二表面涂覆光刻膠；
[0017]采用光刻技術(shù)形成設(shè)定圖形的光刻膠；
[0018]在所述設(shè)定圖形的光刻膠的保護(hù)下，對所述晶元進(jìn)行電感耦合等離子體ICP刻蝕，在所述晶元的第二表面形成N面切割道；
[0019]去除所述設(shè)定圖形的光刻膠。
[0020]可選地，所述對所述晶元的第一表面進(jìn)行切割，在所述晶元的第一表面形成P面切割道，包括:
[0021 ]在所述晶元的第一表面涂覆光刻膠；
[0022]采用光刻技術(shù)形成設(shè)定圖形的光刻膠；
[0023]在所述設(shè)定圖形的光刻膠的保護(hù)下，對所述晶元進(jìn)行電感耦合等離子體ICP刻蝕，在所述晶元的第一表面形成N面切割道；
[0024]去除所述設(shè)定圖形的光刻膠。
[0025]可選地，所述對所述晶元的第一表面進(jìn)行切割，在所述晶元的第一表面形成P面切割道，包括:
[0026]采用刀片對所述晶元的第一表面進(jìn)行切割，在所述晶元的第一表面形成P面切割道。
[0027]可選地，所述對所述晶元的第一表面進(jìn)行裂片，得到若干獨立的發(fā)光二極管芯片，包括:
[0028]采用滾壓裂片的方式對所述晶元的第一表面進(jìn)行裂片，得到若干獨立的發(fā)光二極管芯片。
[0029]具體地，所述膠膜包括聚氯乙烯PVC基材和亞克力系粘著劑。
[0030]具體地，所述薄膜為塑料膜或聚氨酯PU膜。
[0031]可選地，所述N面切割道的寬度為10?20μπι。
[0032]可選地，所述N面切割道的深度為50?60μπι。
[0033]可選地，所述P面切割道的深度為15?40μπι。
[0034]本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是:
[0035]通過分別對晶元兩個相對的表面進(jìn)行切割，至少一個表面采用刻蝕技術(shù)進(jìn)行切害J，再對晶元進(jìn)行劈裂，得到若干獨立的發(fā)光二極管芯片，切割效率大大提高，降低了生產(chǎn)成本。
【附圖說明】
[0036]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0037]圖1是本發(fā)明實施例一提供的一種發(fā)光二極管的制備方法的流程圖；
[0038]圖2a_圖2g是本發(fā)明實施例一提供的發(fā)光二極管制備過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖3a_圖3d是本發(fā)明實施例一提供的形成N型切割道的過程中發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖4a和圖4b是本發(fā)明實施例一提供的滾裂機(jī)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖5是本發(fā)明實施例二提供的一種發(fā)光二極管的制備方法的流程圖；
[0042]圖6a_圖6g是本發(fā)明實施例二提供的發(fā)光二極管制備過程中的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0043]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0044]實施例一
[0045]本發(fā)明實施例提供了一種發(fā)光二極管的制備方法，參見圖1，該制備方法包括:
[0046]步驟101:在GaAs襯底的第一表面上生長AlGaInP外延層。
[0047]圖2a為步驟101執(zhí)行后的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，I為GaAs襯底，2為AlGaInP外延層。
[0048]在本實施例中，AlGaInP外延層可以包括依次層疊在GaAs襯底上的N型AlInP限制層、交替層疊的兩種Al組分不同的AlGaInP多量子阱層、P型AlInP限制層。
[0049]具體地，該步驟101可以包括:
[0050]采用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀(Metal-organic Chemical VaporDepos it 1n，簡稱MOCVD)技術(shù)在GaAs襯底的第一表面上生長AlGaInP外延層。
[0051 ] 步驟102:在AlGaInP外延層上設(shè)置P型電極，在GaAs襯底的第二表面設(shè)置N型電極，得到晶元。
[0052]圖2b為步驟102執(zhí)行后的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，I為GaAs襯底，2為AlGaInP外延層，3為P型電極，4為N型電極。
[0053]在本實施例中，GaAs襯底的第二表面為與GaAs襯底的第一表面相反的表面。
[0054]具體地，在AlGaInP外延層上設(shè)置P型電極，可以包括:
[0055]在AlGaInP外延層上蒸鍍P型電極；
[0056]退火形成歐姆接觸。
[0057]具體地，在GaAs襯底的第二表面設(shè)置N型電極，可以包括:
[0058]在GaAs襯底的第二表面蒸鍍N型電極；
[0059]退火形成歐姆接觸。
[0060]可選地，在GaAs襯底的第二表面設(shè)置N型電極之前，該制備方法還可以包括:
[0061 ] 減薄GaAs襯底。
[0062]步驟103:采用刀片對晶元的第一表面進(jìn)行切割，在晶