一種量子點電致發(fā)光二極管及其制備方法、顯示器的制造方法
【技術領域】
[0001] 本申請設及量子點電致發(fā)光技術領域，尤其設及一種量子點電致發(fā)光二極管及其 制備方法、顯示器。
【背景技術】
[0002] 量子點電致發(fā)光二極管(如antum dot light-emitting diode,QLED)是一種電流 直接激發(fā)量子點發(fā)光的器件。QLm)結合了量子點材料優(yōu)勢，例如量子點具有發(fā)光波長可調(diào) 諧、線寬窄（15-30皿)、效率高(70 % -100 % )，光、熱及化學穩(wěn)定性好，W及OL邸成膜工藝，有 望應用于新一代高色彩質(zhì)量、低功耗的平板顯示，受到越來越多人們的關注。然而，W紅光 化抓為例，其外量子效率化犯)達20.5%，最大亮度> 104cd/m2，壽命達10Wh(T50@100cd/ m2)，與已經(jīng)推向量產(chǎn)的OLm)性能有一定的差距，不能滿足商業(yè)化產(chǎn)品的需求。
[0003] 目前，傳統(tǒng)的有機-無機雜化化邸器件中，量子點發(fā)光層夾在的有機空穴傳輸層和 無機電子傳輸層中間的=明治結構，其中無機電子傳輸材料多采用具有較高的電子遷移率 (I(T 3Cm2FiS^i)ZnO納米粒子薄膜，有利于器件中電子的注入和傳輸。而有機空穴傳輸材料 的HOMO能級位于-5. OeV~-6. OeV范圍，量子點價帶能級位于-6. OeV~-7 . OeV范圍，存在著 較大的空穴注入勢壘；另外，多數(shù)有機空穴傳輸材料的遷移率< ICT4Cm2FiS-I，不利于器件 中空穴的注入和傳輸，將導致器件中電子和空穴注入不平衡，并W熱的形式消耗能量，且有 機材料受熱老化W及容易受到環(huán)境中水、氧侵蝕，影響器件效率和壽命。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本申請實施例提供了一種化抓及其制備方法、顯示器，用W阻擋化抓中的電子注 入，增強QLED中載流子注入平衡，同時改善QLED中光的輸出效率W及器件抵抗水、氧侵蝕的 能力，提高QL邸亮度、工作效率及壽命。
[0005] 本申請實施例提供的一種QLED，包括：
[0006] 第一電極層和第二電極層、設置在所述第一電極層和所述第二電極層之間的空穴 傳輸層、設置在所述空穴傳輸層和所述第二電極層之間的量子點發(fā)光層、設置在所述量子 點發(fā)光層和所述第二電極層之間的電子傳輸層、設置在所述電子傳輸層和所述第二電極層 之間的電子緩沖層。
[0007] 本申請實施例提供的化ED，通過在電子傳輸層和第二電極層之間設置電子緩沖 層，或者，在電子傳輸層和第一電極層之間設置電子緩沖層，可W阻擋電子注入，增強載流 子注入平衡，同時將改善器件中光的輸出效率W及器件抵抗水、氧侵蝕的能力，提高器件亮 度和效率及壽命。
[000引較佳地，所述電子緩沖層采用的材料的折射率小于所述電子傳輸層采用的材料的 折射率。
[0009 ]運樣，可W改善QL抓中金屬電極和電子傳輸層之間的界面特性W及化邸中光的輸 出效率。
[0010] 較佳地，所述電子緩沖層是采用真空蒸鍛或電子束熱蒸鍛的方法制備得到的。
[0011] 運樣，使得化抓穩(wěn)定性好，可W改善化抓抵抗水、氧侵蝕的能力，有利于獲得更長 壽命的化邸。
[0012] 較佳地，所述電子緩沖層的材料包括下列材料的一種或多種:M評3、AlF3、Si化。
[0013] 較佳地，所述第一電極層為透明第一電極層。
[0014] 較佳地，所述第二電極層為金屬第二電極層。
[0015] 較佳地，所述電子緩沖層的厚度為:0.5nm~50nm。
[0016] 較佳地，所述電子緩沖層的厚度是所述電子傳輸層的厚度的1%~20%。
[0017] 本申請實施例提供的一種顯示器，包括本申請實施例提供的所述的QL邸。
[0018] 本申請實施例提供的一種量子點電致發(fā)光二極管QL邸的制備方法，包括：
[0019] 制備第一電極層;在所述第一電極層之上制備空穴傳輸層;在所述空穴傳輸層之 上制備量子點發(fā)光層;在所述量子點發(fā)光層之上制備電子傳輸層;所述電子傳輸層之上制 備電子緩沖層;在所述電子緩沖層之上制備第二電極層；
[0020] 或者，制備第一電極層;在所述第一電極層之上制備電子緩沖層;在所述電子緩沖 層之上制備電子傳輸層;在所述電子傳輸層之上制備量子點發(fā)光層;在所述量子點發(fā)光層 之上制備空穴傳輸層;在所述空穴傳輸層之上制備第二電極層。
[0021] 較佳地，所述制備第一電極層，包括：
[0022] 利用丙酬、乙醇、去離子水、異丙醇對已經(jīng)圖案化的透明導電膜基板清洗，并采用 等離子體或紫外光線UV照射處理，得到透明第一電極層。
[0023] 較佳地，在所述第一電極層之上制備空穴傳輸層，包括:利用旋涂工藝在所述透明 第一電極層上制備第一空穴傳輸層;利用旋涂工藝在所述第一空穴傳輸層上制備第二空穴 傳輸層；
[0024] 或者，在所述量子點發(fā)光層之上制備空穴傳輸層，包括:利用旋涂工藝在所述量子 點發(fā)光層上制備第一空穴傳輸層;利用旋涂工藝在所述第一空穴傳輸層上制備第二空穴傳 輸層。
[0025] 較佳地，在所述空穴傳輸層之上制備量子點發(fā)光層，包括:利用旋涂工藝在所述第 二空穴傳輸層上制備一層量子點薄膜，該量子點薄膜為量子點發(fā)光層；
[0026] 或者，在所述電子傳輸層之上制備量子點發(fā)光層，包括:利用旋涂工藝在所述電子 傳輸層上制備一層量子點薄膜，該量子點薄膜為量子點發(fā)光層。
[0027] 較佳地，在所述量子點發(fā)光層之上制備電子傳輸層，包括:利用旋涂工藝在所述量 子點發(fā)光層上制備一層無機納米粒子薄膜，該無機納米粒子薄膜為電子傳輸層；
[0028] 或者，在所述電子緩沖層之上制備電子傳輸層，包括:利用旋涂工藝在所述電子緩 沖層上制備一層無機納米粒子薄膜，該無機納米粒子薄膜為電子傳輸層。
[0029] 較佳地，在所述電子傳輸層之上制備電子緩沖層，包括:利用真空熱蒸鍛法在所述 電子傳輸層上制備A1F3薄膜，其中，真空度<l(T 6torr，鍛率為レ5 A/S;或者，利用真空熱蒸 鍛法在所述電子傳輸層上制備M評3薄膜，其中，真空度<l(T6torr，鍛率為1-5 A/S;或者，利 用電子束蒸鍛法在所述電子傳輸層上制備Si化薄膜，其中，真空度<l(T5torr，鍛率為 1-10 A/S；
[0030] 或者，在所述第一電極層之上制備電子緩沖層，包括:利用真空熱蒸鍛法在所述第 一電極層上制備A1F3薄膜，其中，真空度<l(T 6torr，鍛率為1-5 A/S;或者，利用真空熱蒸鍛 法在所述第一電極層上制備MgFs薄膜，其中，真空度<l(T6torr，鍛率為1-5 A/S;或者，利 用電子束蒸鍛法在所述第一電極層上制備Si化薄膜，其中，真空度<l(T5torr，鍛率為 1-10 A短。
[0031] 較佳地，在所述電子緩沖層之上制備第二電極層，包括:利用真空蒸鍛工藝在所述 電子緩沖層上制備金屬第二電極層，其中，真空度<l(T 6torr，鍛率為1-5 A/S，在140~150 °C手套箱內(nèi)化環(huán)境下退火30min;
[0032] 或者，在所述空穴傳輸層之上制備第二電極層，包括:利用真空蒸鍛工藝在所述空 穴傳輸層上制備金屬第二電極層，其中，真空度<l〇- 6torr，鍛率為1_5 A/S，在140~150°C 手套箱內(nèi)化環(huán)境下退火30min。
【附圖說明】
[0033] 圖1為本申請實施例提供的一種QL邸結構示意圖；
[0034] 圖2為本申請實施例提供的一種QL邸結構及各功能層折射率示意圖；
[0035] 圖3為本申請實施例提供的一種QL邸能級結構示意圖；
[0036] 圖4為本申請實施例提供的一種QL邸制備方法的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0037] 本申請實施例提供了一種化抓及其制備方法、顯示器，用W阻擋化抓中的電子注 入，增強QLED中載流子注入平衡，同時改善QLED中光的輸出效率W及器件抵抗水、氧侵蝕的 能力，提高QL邸亮度、工作效率及壽命。
[003引參見圖1，本申請實施例提供的一種QL邸，包括：
[0039] 第一電極層1和第二電極層6、設置在所述第一電極層和所述第二電極層之間的空 穴傳輸層2、設置在所述空穴傳輸層和所述第二電極層之間的量子點發(fā)光層3、設置在所述 量子點發(fā)光層和所述第二電極層之間的電子傳輸層4、設置在所述電子傳輸層和所述第二 電極層之間的電子緩沖層5。
[0040] 其中，較佳地，第一電極層1為陽極，第二電極層6為陰極;當然，也可W將第一電極 層1設置為陰極，第二電極層6設置為陽極。
[0041] 較佳地，所述陽極為透明陽極。
[0042] 較佳地，所述陰極為金屬陰極。
[0043] 因此，較佳地，本申請實施例