化層13優(yōu)選 由具有有利的圖案化精度的材料制造，這是因為平坦化層13設(shè)置有微小的連接孔13A。驅(qū)動 電路層12的驅(qū)動晶體管Trl通過平坦化層13中設(shè)置的連接孔13A電連接到第一電極14。連接 孔13A設(shè)置有由導(dǎo)電金屬制造的栓塞13B。平坦化層13的材料示例包括諸如丙烯和聚酰亞胺 的有機(jī)材料和諸如氧化娃(Si〇2)、氮化娃(SiNx)和氧氮化娃(SiON)的無機(jī)材料。
[0048] 第一電極14也具有作為反射層的功能，并且希望具有盡可能高的反射系數(shù)，以便 改善發(fā)光效率。然而，例如，如果第一電極14由諸如鋁(A1)、鋁合金和銀(Ag)合金的高反射 性金屬材料制造，則根據(jù)空穴注入勢皇對于與第一電極14接觸的有機(jī)層16(后述的空穴注 入層16A)難于使用具有高電阻值的材料。就是說，漏電流易于產(chǎn)生在彼此相鄰的有機(jī)EL器 件IOR和有機(jī)EL器件IOG之間（或在有機(jī)EL器件IOG和有機(jī)EL器件IOB之間以及在有機(jī)EL器件 IOB和有機(jī)EL器件IOR之間）。在本實施例中，因為通過絕緣膜15的內(nèi)壁面15A中設(shè)置的拐角 部分15B能夠抑制漏電流產(chǎn)生，所以高反射性材料能夠用于第一電極14,盡管稍后將給出詳 細(xì)的描述。作為形成拐角部分15B期間研磨的結(jié)果，第一電極14的從絕緣膜15暴露的部分薄 于第一電極14的在絕緣膜15上層疊的部分約4nm至25nm，包括4nm和25nm〇
[0049] 此外，因為第一電極14用作陽極，所以第一電極14希望由具有高電子空穴注入性 的材料制造。這樣的第一電極14的示例包括層疊方向上的厚度(下文簡稱為厚度)為30nm至 1000 nm(包括30nm和1000 nm)的電極，并且該電極由諸如鉻(Cr)、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、銅 (Cu)、鉬(Mo)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)和銀(Ag)的金屬元素的單一物質(zhì)或合金構(gòu)成。第一電 極14的表面可設(shè)置有諸如銦錫氧化物（ITO)的透明導(dǎo)電膜。第一電極的厚度根據(jù)配線電阻 和反射系數(shù)(表面粗糙度)之間的平衡而調(diào)整。
[0050] 如果設(shè)置適當(dāng)?shù)目昭ㄗ⑷雽?6A，具有高反射系數(shù)但因為存在表面氧化物膜和小 功函也具有空穴注入勢皇問題的材料(例如鋁(Al)合金)可用作第一電極14的材料。例如， 可單獨(dú)使用厚度為30nm的鋁層。另外，第一電極14可通過在厚度為20nm的鈦、鎢、銅、鉭或鉬 上層疊厚度為15nm的鋁形成。在本實施例中，第一電極14由兩層構(gòu)成，即第一電極14-1和 14-2 〇
[0051] 絕緣膜15設(shè)置為覆蓋第一電極14從其表面(與第二電極17相對的表面)到其側(cè)面 (端表面)的邊緣。絕緣膜15用于保證第一電極14和第二電極17之間的絕緣以及彼此相鄰的 有機(jī)EL器件10R、10G和IOB之間的絕緣，并且準(zhǔn)確地獲得發(fā)光區(qū)域所希望的形狀。
[0052] 盡管絕緣膜15例如由氧氮化硅構(gòu)成，但是其材料不限于此。例如，絕緣膜15可由氧 化硅、氮化硅或諸如丙烯和聚酰亞胺的有機(jī)材料構(gòu)成。第一電極14上的由絕緣膜15圍繞的 區(qū)域(開口）對應(yīng)于發(fā)光區(qū)域。盡管開口（發(fā)光區(qū)域）的平面形狀沒有特別限定，但是其平面 形狀在本實施例中是矩形。其平面形狀根據(jù)像素的布置可為三角形或圓形。有機(jī)層16和上 電極17共同地提供給有機(jī)EL器件10RU0G和10B，并且不僅設(shè)置在第一電極14上的開口之 上，而且設(shè)置在絕緣膜15之上。然而，僅在絕緣膜15的開口中產(chǎn)生光。為了防止開口的面積 減小，絕緣膜15的內(nèi)壁面15A的垂直截面形狀優(yōu)選為向前漸縮的形狀。絕緣膜15優(yōu)選具有約 IOnm至IOOnm(包括IOnm和IOOnm)的厚度。更優(yōu)選地，在形成絕緣膜15中的拐角部分15B期間 研磨的第一電極14的部分的厚度和絕緣膜15的厚度之和等于或小于100nm。在絕緣膜15的 厚度小于IOnm的情況下，可能暴露第一電極14的側(cè)面。同時，在絕緣膜15的厚度大于IOOnm 的情況下，可能斷開第二電極。
[0053]如圖4的截面結(jié)構(gòu)中所示，在絕緣膜15的開口側(cè)從頂部到第一電極14的表面14A的 面中，即在與有機(jī)層16接觸的內(nèi)壁面15A中，絕緣膜15具有一個或更多的拐角部分15B。在此 情況下，作為示例，絕緣膜15具有一個拐角部分15B。拐角部分15B設(shè)置為使其脊線(ridge line)實際上與第一電極14的表面(水平面)14A平行。作為設(shè)置這樣拐角部分15B的結(jié)果，內(nèi) 壁面15A具有兩個面15AdP15A 2,其每一個具有以拐角部分15B的脊線為邊界的不同傾斜角。 實際上平行包括制造誤差。在此情況下，由第一電極14側(cè)的面15M(第一面)和第一電極14 的表面14A形成的夾角為Θ1，并且第二電極17側(cè)的面15A 2(第二面)和第一電極14的表面14A 形成的夾角為Θ2。如上所述，因為絕緣膜15的截面形狀優(yōu)選為向前漸縮的形狀，所以滿足Θ1 >02。在本實施例中，如稍后所述，具有大傾斜角的面KA 1主要具有保證開口面積的功能和 局部增加與絕緣膜15接觸的有機(jī)層16(后述的空穴注入層16A)的電阻值的功能。同時，具有 小傾斜角的面15如主要具有防止第二電極17斷開和由于電流集中（電場集中）引起的有機(jī) 層16退化的功能。就是說，如果絕緣膜15的內(nèi)壁面15A相對于第二電極17具有大的傾斜，則 第二電極17的斷開和由于局部變薄的有機(jī)層16引起的電流集中容易產(chǎn)生。因此，通過采用 具有小傾斜角的面15A 2,改善了有機(jī)層16的覆蓋，并且抑制了第二電極17的斷開和電流集 中的發(fā)生。
[0054]有機(jī)層16的結(jié)構(gòu)是相同的，與有機(jī)EL器件10RU0G和IOB的每個發(fā)光顏色沒有關(guān) 系。如圖5所示，例如，在有機(jī)層16中，從第一電極14側(cè)依次層疊空穴注入層16A、電子空穴轉(zhuǎn) 移層16B、發(fā)光層16C、電子轉(zhuǎn)移層16D和電子注入層16E。
[0055] 可為各有機(jī)EL器件10R、10G和IOB設(shè)置用于紅、綠和藍(lán)的各發(fā)光層。然而，為了獲得 高清晰度并且改善開口比，發(fā)光層優(yōu)選具有如上所述的共用結(jié)構(gòu)。然而，在采用共用發(fā)光層 的情況下，在相鄰器件之間通過有機(jī)層(特別是通過空穴注入層）易于發(fā)生驅(qū)動電流泄漏。 由于漏電流，存在非發(fā)光像素受到發(fā)光像素影響并且發(fā)光的可能性，導(dǎo)致光發(fā)射效率降低。 如日本未審查專利申請公開No.2009-4347中，提出了一次形成反向漸縮形狀的絕緣膜且隨 后重整絕緣膜成為向前漸縮形狀的絕緣膜的方法。然而，在制造工藝的過程中、特別是在形 成有機(jī)層后執(zhí)行熱處理的情況下，器件特性變壞的可能性很高。
[0056] 在本實施例中，在絕緣膜15的內(nèi)壁面15A中，第一電極14側(cè)上的表面15Ai的傾斜角 很高。因此，空穴注入層16A正好位于面15M之上的膜厚度相對小于其它部分的膜厚度。因 此，彼此相鄰的有機(jī)EL器件10R、IOG和IOB之間的空穴注入層16A的電阻值局部增加，并且抑 制了漏電流的產(chǎn)生。
[0057] 空穴注入層16A用于改善空穴注入效率，并且是防止泄漏的緩沖層。空穴注入層 16A的厚度例如為5nm至300nm(包括5nm和300nm)，并且設(shè)置在基板11的整個表面之上，因此 我們稱之為沒有圖案化的固體膜。例如，空穴注入層16A由化學(xué)式1或化學(xué)式2所示的六氮雜 苯并菲衍生物(hexaazatriphenyIene derivative)構(gòu)成。
[0058] [化學(xué)式1]
[0059]
]
[0060] 在化學(xué)式1中，Rl至R6是各自獨(dú)立的氫、鹵化羥基、氨基、芳基氨基（arylamino group)、碳的數(shù)量等于或小于20的取代/非取代羰基、碳的數(shù)量等于或小于20的取代/非取 代羰基酯基、碳的數(shù)量等于或小于20的取代/非取代烷基、碳的數(shù)量等于或小于20的取代/ 非取代烯基、碳的數(shù)量等于或小于20的取代/非取代烷氧基、碳的數(shù)量等于或小于30的取 代/非取代芳基、碳的數(shù)量等于或小于30的取代/非取代雜環(huán)基或者選自腈基、氰基、硝基和 甲硅烷基的取代基之一。相鄰的Rm(m:l至6之一)可通過環(huán)結(jié)構(gòu)彼此接合。此外，Xl至X6是各 自獨(dú)立的碳原子或氮原子。
[0061] [化學(xué)式2]
[0062]
[0063]電子空穴轉(zhuǎn)移層16B用于改善對發(fā)光層16C的空穴注入效率。在發(fā)光層16C中，如果 施加電場，則產(chǎn)生電子-空穴的再結(jié)合，從而產(chǎn)生光。電子轉(zhuǎn)移層16D用于改善對發(fā)光層16C 的電子轉(zhuǎn)移效率。電子注入層16E用于改善對發(fā)光層16C的電子注入效率。
[0064]電子空穴轉(zhuǎn)移層16B的厚度例如為約40nm，并且由4,4'，4"_三(3甲苯氨基)三苯胺 (m-MTDATA)或α-萘苯基二胺(aNPD)構(gòu)成。
[0065] 發(fā)光層16C是白光發(fā)射層，例如，具有在第一電極14和第二電極17之間彼此層疊的 紅光發(fā)射層16CR、綠光發(fā)射層16CG和藍(lán)光發(fā)射層16CB。紅光發(fā)射層16CR、綠光發(fā)射層16CG和 藍(lán)光發(fā)射層16CB依次從作為陽極的第一電極14側(cè)層疊。通過施加電場，紅光發(fā)射層16CR通 過從第一電極14經(jīng)由空穴注入層16A和電子空穴轉(zhuǎn)移層16B注入的部分電子空穴和從第二 電極17經(jīng)由電子注入層16E和電子轉(zhuǎn)移層16D注入的部分電子的再結(jié)合而產(chǎn)生紅光。通過施 加電場，綠光發(fā)射層16CG通過從第一電極14經(jīng)由空穴注入層16A和電子空穴轉(zhuǎn)移層16B注入 的部分電子空穴和從第二電極17經(jīng)由電子注入層16E和電子轉(zhuǎn)移層16D注入的部分電子的 再結(jié)合而產(chǎn)生綠光。通過施加電場，藍(lán)光發(fā)射層16CB通過從第一電極14經(jīng)由空穴注入層16A 和電子空穴轉(zhuǎn)移層16B注入的部分電子空穴和從第二電極17經(jīng)由電子注入層16E和電子轉(zhuǎn) 移層16D注入的部分電子的再結(jié)合而產(chǎn)生藍(lán)光。
[0066] 紅光發(fā)射層16CR例如包含一個或更多的紅光發(fā)射材料、電子空穴轉(zhuǎn)移材料、電子 轉(zhuǎn)移材料和兩種電荷轉(zhuǎn)移材料。紅光發(fā)射材料可為熒光材料或含磷材料。在本實施例中，紅 光發(fā)射層16CR的厚度例如為約5nm，并且由通過混合30wt%的2,6-二[(4'_甲氧基二苯胺